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SMD型
SMDType
MOS场效应
2SJ461
SOT-23
IC
MOSFET
单位：mm
可以通过一个2.5V电源驱动。
+0.1
2.4
-0.1
不必考虑，因为驱动电流的
高输入阻抗。
可以通过省略偏置电阻，以减少零件的数目。
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
特点
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
1.门
2.Emitter
2.源
0-0.1
3.排水
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲） *
功耗
通道温度
储存温度
* PW
10
S;
1%.
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
-50
7.0
0.1
0.2
200
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
mW
电气特性TA = 25
参数
漏源击穿电压
栅源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V
DSS
V
GSS
I
DSS
I
GSS
Testconditons
I
D
=-10mA,V
GS
=0
I
G
=
200
A，V
DS
=0
民
-20
10
-100
10
-0.7
12
46
31
6
V
DS
=-3.0V,V
GS
=0,f=1MHZ
9
1.6
32
V
DD
=-3.0V,V
GS （ ON）
=-3.0V,I
D
=--20mA
R
L
=200 ,R
G
=10
270
45
130
100
50
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
-0.9
-1.3
典型值
最大
单位
V
V
A
A
V
ms
V
DS
=-50V,V
GS
=0
V
GS
=
7.0V,V
DS
=0
A
V
GS （ OFF ）
V
DS
=-3.0V,I
D
=-1
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
=-3.0V,I
D
=-10mA
V
GS
=-2.5V,I
D
=-3mA
V
GS
=-4.0V,I
D
=-10mA
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