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> 2SK2685
2SK2685
的GaAs HEMT
ADE-208-400
1日。版
应用
超高频低噪声放大器
特点
优越的低噪点特性。
FMIN = 0.83分贝典型。 （ 3 V，10毫安， 2千兆赫）
高增益有关。
GA = 17 dB典型值。 （ 3 V，10毫安， 2千兆赫）
高电压。
V
DS
= 6或更大的电压。
小型封装。 （ CMPAK -4）的
概要
CMPAK–4
2
3
4
1
1.源
2.门
3.源
4.漏
2SK2685
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
栅漏电压
漏电流
信道功率耗散
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSO
V
GDO
I
D
PCH
总胆固醇
TSTG
评级
6
–6
–7
20
100
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
注意：此设备是非常敏感的静电放电。
建议处理该晶体管时采取适当的注意事项。
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
门源漏电流
门源截止电压
漏电流
正向转移导纳
相关的增益
相关的增益
相关的增益
相关的增益
最小噪声科幻gure
最小噪声科幻gure
最小噪声科幻gure
最小噪声科幻gure
注：标记为“ ZT- ” 。
符号
I
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
|y
fs
|
Ga
Ga
Ga
Ga
FMIN
FMIN
FMIN
FMIN
民
—
–0.3
35
40
—
—
16
—
—
—
—
—
典型值
—
—
50
60
17.0
15.2
21.4
19.7
0.83
1.08
0.52
0.74
最大
–20
–2.0
70
—
—
—
—
—
—
—
1.0
—
单位
A
V
mA
mS
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
测试条件
V
GS
= –6 V, V
DS
= 0
V
DS
= 3 V，I
D
= 100
A
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0
（脉冲测试）
V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安，
F = 1千赫
V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安，
F = 2 GHz的
V
DS
= 3 V，I
D
= 3毫安，
F = 2 GHz的
V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安，
F = 900兆赫
V
DS
= 3 V，I
D
= 3毫安，
F = 900兆赫
V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安，
F = 2 GHz的
V
DS
= 3 V，I
D
= 3毫安，
F = 2 GHz的
V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安，
F = 900兆赫
V
DS
= 3 V，I
D
= 3毫安，
F = 900兆赫
2
2SK2685
典型的输出特性
最大信道功率
耗散曲线
信道功率耗散P沟道（MW ）
200
16
150
漏电流I
D
（MA ）
20
–0.4
–0.3 V
–0.1 V
V
–0.5
V
脉冲测试
–0.6 V
12
100
8
–0.7 V
50
4
–0.8 V
V
GS
= –0.9 V
0
50
100
150
200
环境温度Ta （C ）
0
1
2
3
4
漏极至源极电压V
DS
(V)
5
典型的传输特性
正向转移导纳
yfs
（女士）
100
V
DS
= 3 V
脉冲测试
100
正向转移导纳主场迎战
栅极至源极电压
V
DS
= 3 V
脉冲测试
80
80
漏电流I
D
（MA ）
60
60
40
40
20
20
–2.0
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4
栅极至源极电压V
GS
(V)
0
0
–2.0
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4
栅极至源极电压V
GS
(V)
0
3
2SK2685
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳
yfs
（女士）
100
V
DS
= 3 V
脉冲测试
相关的增益嘎（分贝）
80
30
相关的增益与漏极电流
F = 900兆赫
20
1V
3V
60
3V
V
DS
= 1 V
F = 2 GHz的
10
40
20
0
4
8
12
16
漏电流I
D
（MA ）
20
0
10
20
漏电流I
D
（MA ）
30
最小噪声系数与漏电流
3
最小噪声系数Fmin （分贝）
30
相关增益与漏极至源极电压
相关的增益嘎（分贝）
F = 900兆赫
20
2 GHz的
2
1
F = 2 GHz的
V
DS
1V
=
1V
3V
3V
10
F = 900兆赫
0
10
20
漏电流I
D
（MA ）
30
0
I
D
= 10毫安
2
4
6
8
漏极至源极电压V
DS
(V)
10
4
2SK2685
最小噪声系数与
漏源极电压
3.0
最小噪声系数Fmin （分贝）
I
D
= 10毫安
隔离
S21
–
S12
（ dB）的
40
50
隔离与漏极电流
3V
V
DS
= 1 V
2.0
30
20
1.0
2 GHz的
10
F = 900兆赫
F = 900兆赫
0
2
4
6
8
漏极至源极电压V
DS
(V)
10
0
10
20
漏电流I
D
（MA ）
30
隔离与漏极电流
50
隔离
S21
–
S12
（ dB）的
3V
V
DS
= 1 V
30
40
20
10
F = 2 GHz的
0
10
20
漏电流I
D
（MA ）
30
5
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2SK2685
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