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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第57页 > 2N6039G
（ PNP ） 2N6034 ， 2N6035 ，
2N6036 ; （ NPN ） 2N6038 ，
2N6039
塑料达林顿
其他芯片
功率晶体管
塑料达林顿互补硅功率晶体管
专为通用放大器和低速开关
应用程序。
特点
http://onsemi.com
ESD额定值：机器型号，C ; > 400 V
4.0安培达林顿
其他芯片
功率晶体管
40 ，60， 80伏， 40 WATTS
集热2,4
BASE
3
人体模型， 3B ; > 8000 V
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
2N6034
2N6035, 2N6038
2N6036, 2N6039
2N6034
2N6035, 2N6038
2N6036, 2N6039
符号
V
首席执行官
价值
40
60
80
40
60
80
5.0
4.0
8.0
100
40
320
1.5
12
- 65
+ 150
单位
VDC
发射器1
集电极 - 基极电压
V
CBO
VDC
TO225AA
CASE 77
风格1
3 2
1
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
连续
PEAK
V
EBO
I
C
I
B
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
VDC
ADC
APK
MADC
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
标记图
YWW
2
N603xG
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
最大
3.12
83.3
单位
° C / W
° C / W
Y
WW
2N603x
G
=年
=工作周
=器件代码
x = 4, 5, 6, 8, 9
= Pb-Free包装
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年9月，
启示录14
1
出版订单号：
2N6035/D
（ PNP ） 2N6034 ， 2N6035 ， 2N6036 ; （ NPN ） 2N6038 ， 2N6039
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 0)
2N6034
2N6035, 2N6038
2N6036, 2N6039
2N6034
2N6035, 2N6038
2N6036, 2N6039
2N6034
2N6035, 2N6038
2N6036, 2N6039
2N6034
2N6035, 2N6038
2N6036, 2N6039
2N6034
2N6035, 2N6038
2N6036, 2N6039
V
CEO （ SUS ）
VDC
40
60
80
100
100
100
100
100
100
500
500
500
0.5
0.5
0.5
2.0
mA
符号
民
最大
单位
集电极截止电流
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 80伏直流，我
B
= 0)
集电极截止电流
(V
CE
= 40 VDC ，V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
= 60 VDC ，V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
= 80伏，V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
= 40 VDC ，V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 125_C)
(V
CE
= 60 VDC ，V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 125_C)
(V
CE
= 80伏，V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 125_C)
集电极截止电流
(V
CB
= 40 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
发射极截止电流（V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 4.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 2.0 ADC ，我
B
= 8.0 MADC ）
(I
C
= 4.0 ADC ，我
B
= 40 MADC ）
基射极饱和电压
(I
C
= 4.0 ADC ，我
B
= 40 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
动态特性
小信号电流增益
(I
C
= 0.75 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
*表示JEDEC注册的数据。
I
首席执行官
I
CEX
mA
I
CBO
MADC
I
EBO
MADC
h
FE
500
750
100
15,000
VDC
2.0
3.0
4.0
2.8
VDC
VDC
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
|h
fe
|
C
ob
25
pF
2N6034, 2N6035, 2N6036
2N6038, 2N6039
200
100
http://onsemi.com
2
（ PNP ） 2N6034 ， 2N6035 ， 2N6036 ; （ NPN ） 2N6038 ， 2N6039
4.0
R
B
＆放大器;
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复型，如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
V
2
约
+ 8.0 V
0
V
1
约
-12 V
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
R
B
D
1
+ 4.0 V
25
ms
对于T
d
和T
r
, D
1
断开
和V
2
= 0, R
B
和R
C
是多种多样的
以获得所需的测试电流。
对于NPN测试电路，反向二极管，
极性和输入脉冲。
V
CC
- 30 V
R
C
t
s
2.0
范围
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
TUT
T， TIME （
μ
s)
1.0
0.8
0.6
0.4
PNP
NPN
0.2
0.04 0.06
0.1
t
f
t
r
≈
8.0 k
≈
60
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图1.开关时间测试电路
图2.开关时间
R（T ） ，瞬态热阻，
归
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
（ PK）
q
JC
（吨） = R （t）的
q
JC
q
JC
= 3.12 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t
1
读取时间AT＆T
1
t
2
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
q
JC
(t)
占空比D = T
1
/t
2
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1000
图3.热响应
http://onsemi.com
3
（ PNP ） 2N6034 ， 2N6035 ， 2N6036 ; （ NPN ） 2N6038 ， 2N6039
有源区的安全工作区
1.0
7.0
5.0
3.0
2.0
100
ms
1.0
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
100
ms
1.0毫秒
dc
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热
@ T
C
= 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
2N6039
2N6038
7.0
20
10
30
50
70
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
IC ，集电极电流（ AMP ）
dc
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热
@ T
C
= 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
2N6036
2N6035
7.0
70
20
10
30
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
图4. 2N6035 ， 2N6036
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0毫秒
1.0毫秒
5.0毫秒
0.1
5.0
图5. 2N6038 ， 2N6039
200
T
C
= 25°C
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图4和图5的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C;
T
C
是可变的取决于条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
< 150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从该数据在图3中被计算。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过限制二次击穿的罚款。
100
C，电容（pF ）
70
50
C
ob
30
20
PNP
NPN
10
0.04 0.06 0.1
0.2 0.4 0.6 1.0
2.0 4.0 6.0 10
V
R
，反向电压（伏）
20
40
C
ib
图6.电容
PNP
2N6034, 2N6035, 2N6036
6.0 k
4.0 k
的hFE ， DC电流增益
3.0 k
2.0 k
25°C
T
C
= 125°C
V
CE
= 3.0 V
4.0 k
的hFE ， DC电流增益
3.0 k
6.0 k
NPN
2N6038, 2N6039
T
J
= 125°C
V
CE
= 3.0 V
25°C
2.0 k
- 55°C
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
- 55°C
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
0.1
0.2
1.0
0.4 0.6
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
0.1
0.2
1.0
0.4 0.6
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图7.直流电流增益
http://onsemi.com
4
（ PNP ） 2N6034 ， 2N6035 ， 2N6036 ; （ NPN ） 2N6038 ， 2N6039
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.4
T
J
= 25°C
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10
I
B
，基极电流（毫安）
20
100
50
I
C
=
0.5 A
1.0 A
2.0 A
4.0 A
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.4
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
10
5.0
I
B
，基极电流（毫安）
20
50
100
T
J
= 25°C
I
C
=
0.5 A
1.0 A
2.0 A
4.0 A
图8.集电极饱和区
2.2
T
J
= 25°C
1.8
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V，电压（V ）
2.2
T
J
= 25°C
1.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
1.4
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
1.4
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
1.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
0.6
1.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
0.6
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0 4.0
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图9. “开”电压
订购信息
设备
2N6034
2N6034G
2N6035
2N6035G
2N6036
2N6036G
2N6038
2N6038G
2N6039
2N6039G
包
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
500单位/箱
航运
http://onsemi.com
5
（ PNP ） 2N6034 ， 2N6035 ，
2N6036 ; （ NPN ） 2N6038 ，
2N6039
塑料达林顿
其他芯片
功率晶体管
塑料达林顿互补硅功率晶体管
专为通用放大器和低速开关
应用程序。
特点
http://onsemi.com
ESD额定值：机器型号，C ; > 400 V
人体模型， 3B ; > 8000 V
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
2N6034
2N6035, 2N6038
2N6036, 2N6039
2N6034
2N6035, 2N6038
2N6036, 2N6039
符号
V
首席执行官
价值
40
60
80
40
60
80
5.0
4.0
8.0
100
40
320
1.5
12
- 65
+ 150
单位
VDC
4.0安培达林顿
其他芯片
功率晶体管
40 ，60， 80伏， 40 WATTS
TO225AA
CASE 77
风格1
3 2
1
集电极 - 基极电压
V
CBO
VDC
标记图
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
连续
PEAK
V
EBO
I
C
I
B
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
VDC
ADC
APK
MADC
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
Y
WW
2N603x
G
YWW
2
N603xG
=年
=工作周
=器件代码
x = 4, 5, 6, 8, 9
= Pb-Free包装
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
最大
3.12
83.3
单位
° C / W
° C / W
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年5月 - 13牧师
出版订单号：
2N6035/D
（ PNP ） 2N6034 ， 2N6035 ， 2N6036 ; （ NPN ） 2N6038 ， 2N6039
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 0)
V
CEO （ SUS ）
2N6034
2N6035, 2N6038
2N6036, 2N6039
I
首席执行官
2N6034
2N6035, 2N6038
2N6036, 2N6039
I
CEX
2N6034
2N6035, 2N6038
2N6036, 2N6039
2N6034
2N6035, 2N6038
2N6036, 2N6039
I
CBO
2N6034
2N6035, 2N6038
2N6036, 2N6039
I
EBO
0.5
0.5
0.5
2.0
MADC
100
100
100
500
500
500
MADC
100
100
100
mA
40
60
80
mA
VDC
符号
民
最大
单位
集电极截止电流
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 80伏直流，我
B
= 0)
集电极截止电流
(V
CE
= 40 VDC ，V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
= 60 VDC ，V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
= 80伏，V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
= 40 VDC ，V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 125_C)
(V
CE
= 60 VDC ，V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 125_C)
(V
CE
= 80伏，V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 125_C)
集电极截止电流
(V
CB
= 40 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
发射极截止电流（V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 4.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 2.0 ADC ，我
B
= 8.0 MADC ）
(I
C
= 4.0 ADC ，我
B
= 40 MADC ）
基射极饱和电压
(I
C
= 4.0 ADC ，我
B
= 40 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
动态特性
小信号电流增益
(I
C
= 0.75 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
*表示JEDEC注册的数据。
h
FE
500
750
100
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
2.0
3.0
4.0
15,000
VDC
VDC
2.8
VDC
|h
fe
|
C
ob
2N6034, 2N6035, 2N6036
2N6038, 2N6039
25
pF
200
100
http://onsemi.com
2
（ PNP ） 2N6034 ， 2N6035 ， 2N6036 ; （ NPN ） 2N6038 ， 2N6039
4.0
R
B
＆放大器;
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复型，如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
V
2
约
+8.0 V
0
V
1
约
12 V
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
R
B
D
1
+4.0 V
25
ms
对于T
d
和T
r
, D
1
断开
和V
2
= 0, R
B
和R
C
是多种多样的
以获得所需的测试电流。
对于NPN测试电路，反向二极管，
极性和输入脉冲。
V
CC
30 V
R
C
t
s
2.0
范围
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
TUT
T， TIME （
μ
s)
1.0
0.8
0.6
0.4
PNP
NPN
0.1
t
f
t
r
≈
8.0 k
≈
60
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0
0.2
0.04 0.06
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图1.开关时间测试电路
图2.开关时间
R（T ） ，瞬态热阻，
归
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
（ PK）
q
JC
（吨） = R （t）的
q
JC
q
JC
= 3.12 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t
1
读取时间AT＆T
1
t
2
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC
(t)
占空比D = T
1
/t
2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1000
图3.热响应
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3
（ PNP ） 2N6034 ， 2N6035 ， 2N6036 ; （ NPN ） 2N6038 ， 2N6039
有源区的安全工作区
1.0
7.0
5.0
3.0
2.0
100
ms
1.0
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
100
ms
1.0毫秒
dc
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热
@ T
C
= 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
2N6039
2N6038
7.0
20
10
30
50
70
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
IC ，集电极电流（ AMP ）
dc
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热
@ T
C
= 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
2N6036
2N6035
7.0
70
20
10
30
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
图4. 2N6035 ， 2N6036
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0毫秒
1.0毫秒
5.0毫秒
0.1
5.0
图5. 2N6038 ， 2N6039
200
T
C
= 25°C
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图4和图5的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C;
T
C
是可变的取决于条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
< 150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从该数据在图3中被计算。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过限制二次击穿的罚款。
100
C，电容（pF ）
70
50
C
ob
30
20
PNP
NPN
10
0.04 0.06 0.1
0.2 0.4 0.6 1.0
2.0 4.0 6.0 10
V
R
，反向电压（伏）
20
40
C
ib
图6.电容
PNP
2N6034, 2N6035, 2N6036
6.0 k
4.0 k
的hFE ， DC电流增益
3.0 k
2.0 k
25°C
T
C
= 125°C
V
CE
= 3.0 V
4.0 k
的hFE ， DC电流增益
3.0 k
6.0 k
NPN
2N6038, 2N6039
T
J
= 125°C
V
CE
= 3.0 V
25°C
2.0 k
55
°C
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
55
°C
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
0.1
0.2
1.0
0.4 0.6
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
0.1
0.2
1.0
0.4 0.6
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图7.直流电流增益
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4
（ PNP ） 2N6034 ， 2N6035 ， 2N6036 ; （ NPN ） 2N6038 ， 2N6039
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.4
T
J
= 25°C
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10
I
B
，基极电流（毫安）
20
100
50
I
C
=
0.5 A
1.0 A
2.0 A
4.0 A
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.4
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
10
5.0
I
B
，基极电流（毫安）
20
50
100
T
J
= 25°C
I
C
=
0.5 A
1.0 A
2.0 A
4.0 A
图8.集电极饱和区
2.2
T
J
= 25°C
1.8
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V，电压（V ）
2.2
T
J
= 25°C
1.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
1.4
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
1.4
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
1.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
0.6
1.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
0.6
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0 4.0
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图9. “开”电压
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2N6034G
2N6035
2N6035G
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2N6036G
2N6038
2N6038G
2N6039
2N6039G
包
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（无铅）
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（无铅）
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212U01S324FD1
2SA1175
225HSM050M
2SA893AETZ
2SK2685
250U15L102A1NA
2DD2652
2SK595-23
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