【2SK2618LSN沟道MOS FET硅超高速开关应用暂定性能和应用低通态电阻。低的Qg绝对最大额定】,IC型号2SK2618LS,2SK2618LS PDF资料,2SK2618LS经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK2618LS

N沟道MOS FET硅

超高速开关应用

暂定

性能和应用

低通态电阻。

低的Qg

绝对最大额定值/ TA = 25℃

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

电气特性/ TA = 25℃

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏源

导通状态电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

二极管的正向电压

开关时间测试电路

VDD=200V

PW=1S

D.C.≤0.5%

VGS=15V

ID=3A

RL=66.7

16.1

VDSS

VGSS

IDP

(Tc=25°C)

总胆固醇

TSTG

500

±30

150

--55到150

民

单位

°C

典型值

最大

1.0

±100

5.5

3.0

0.95

700

250

120

1.2

1.25

单位

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

| YFS |

RDS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

VSD

ID=1mA

VDS=500V

VGS=±30V

VDS=10V

ID=3A

VDS=20V

VDS=200V

GS=10V

， VGS = 0

， VDS = 0

ID = 1毫安

， ID = 3A

， VGS = 15V

f=1MHz

ID=5A

500

3.5

1.5

见指定的测试

电路

IS = 5A

， VGS = 0

案例外形

TO-220FI(LS)

（单位：毫米）

10.0

3.5

3.2

4.5

2.8

7.2

16.0

VOUT

2SK2618LS

0.9

1.2

14.0

3.6

P.G

RGS

2 3

0.75

规格书中信息如有变更，恕不另行通知。

2.55

三洋电机有限公司半导体事业本部

东京办公室Ttokyo大厦， 1-10,1丁目，上野，台东区，日本110

960329TM2fXHD

2.4

0.6

0.7

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超高速开关应用

暂定

性能和应用

低通态电阻。

低的Qg

绝对最大额定值/ TA = 25℃

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

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漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏源

导通状态电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

二极管的正向电压

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VDD=200V

PW=1S

D.C.≤0.5%

VGS=15V

ID=3A

RL=66.7

16.1

VDSS

VGSS

IDP

(Tc=25°C)

总胆固醇

TSTG

500

±30

150

--55到150

民

单位

°C

典型值

最大

1.0

±100

5.5

3.0

0.95

700

250

120

1.2

1.25

单位

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

| YFS |

RDS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

VSD

ID=1mA

VDS=500V

VGS=±30V

VDS=10V

ID=3A

VDS=20V

VDS=200V

GS=10V

， VGS = 0

， VDS = 0

ID = 1毫安

， ID = 3A

， VGS = 15V

f=1MHz

ID=5A

500

3.5

1.5

见指定的测试

电路

IS = 5A

， VGS = 0

案例外形

TO-220FI(LS)

（单位：毫米）

10.0

3.5

3.2

4.5

2.8

7.2

16.0

VOUT

2SK2618LS

0.9

1.2

14.0

3.6

P.G

RGS

2 3

0.75

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