【2SK1836 ， 2SK1837硅N沟道MOS FET应用高速电源开关特点低导通电阻高速开关低驱动】,IC型号2SK1837,2SK1837 PDF资料,2SK1837经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK1836 ， 2SK1837

硅N沟道MOS FET

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

无二次击穿

适合switchingregulator ， DC-DC转换

概要

TO-3PL

D

G

1

2

3

S

1.门

2.漏（法兰）

3.源

2SK1836 ， 2SK1837

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

K1836

K1837

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项1. PW

≤

10

s,

占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25

°C

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

1

I

DR

PCH *

2

总胆固醇

TSTG

符号

V

DSS

评级

450

500

±30

50

200

50

250

150

-55到+150

V

A

W

°C

单位

V

2

2SK1836 ， 2SK1837

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏极至源极

击穿

电压

K1836

K1837

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

符号

V

（ BR ） DSS

民

450

500

±30

—

典型值

—

最大

—

±10

250

V

A

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

= 360 V, V

GS

= 0

V

DS

= 400 V, V

GS

= 0

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

2.0

—

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

22

—

0.08

0.085

35

8150

2100

180

80

250

550

220

1.1

620

3.0

0.10

0.11

—

S

pF

ns

V

ns

I

F

= 50 A，V

GS

= 0

I

F

= 50 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A /

s

V

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 25 A

V

GS

= 10 V*

1

I

D

= 25 A

V

DS

= 10 V*

1

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 25 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 1.2

单位

V

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

栅源击穿

电压

门源漏电流

零门

电压漏

当前

K1836

K1837

门源截止电压

静态漏

源状态

阻力

K1836

K1837

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

记

1.脉冲测试

3

2SK1836 ， 2SK1837

功率与温度的关系

400

最高安全工作区

1000

300

在这一领域

由R有限公司

DS

（上）

10

0m

s

10

P沟（W）的

300

100

漏电流I

D

(A)

30

DC

PW

Op

er

ATI

散热通道

=

1m

200

10

3

1

0.3

0.1

1

TA = 25°C

10

m

s

on

(

s(

1s

Tc

=

ho

t)

25

°C

)

100

K1836

K1837

0

50

100

外壳温度

150

TC （ ℃）

200

3

10

30

100

300

1000

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

100

8V

10 V

80

漏电流I

D

(A)

5.5 V

60

漏电流I

D

(A)

脉冲测试

6V

80

100

典型的传输特性

V

DS

= 20 V

脉冲测试

60

40

5V

40

20

4.5 V

V

GS

= 4 V

20

TC = 75℃

25°C

– 25°C

4

6

8

10

0

4

8

12

16

20

0

2

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

4

2SK1836 ， 2SK1837

漏极至源极饱和电压

与门源电压

5

50 A

漏极至源极饱和电压

V

DS

（上）（V）的

4

脉冲测试

关于国家静态漏源

电阻R

DS

（上）（

)

0.5

1

脉冲测试

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

3

0.2

0.1

0.05

V

GS

= 10, 15 V

2

20 A

1

I

D

= 10 A

0.02

0.01

0

4

8

12

16

20

5

10

20

50

100

200

500

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

静态漏源导通状态

电阻与温度

0.5

脉冲测试

50

正向转移导纳

与漏电流

TC = - 25℃

关于国家静态漏源

电阻R

DS

（上）（

)

正向转移导纳

|y

fs

| (S)

0.4

20

25°C

75°C

10

5

0.3

0.2

I

D

= 50 A

20 A

2

1

0.1

10 A

V

DS

= 20 V

脉冲测试

1

2

5

10

20

50

0

–40

0

40

80

120

160

0.5

壳温度（ ° C）

漏电流I

D

(A)

5

2SK1837

硅N沟道MOS FET

REJ03G0979-0200

（上一个： ADE- 208-1326 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

无二次击穿

适合于开关稳压器， DC-DC变换器

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZF -A

（包名称： TO- 3PL ）

D

G

1.门

2.漏（法兰）

3.源

1

S

2

3

Rev.2.00 2005年9月7日第1页6

2SK1837

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25

°

C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

PCH

总胆固醇

*1

评级

500

±30

50

200

50

250

150

-55到+150

单位

V

A

W

°

C

*2

TSTG

°

C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向

恢复时间

注： 3.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

500

±30

—

2.0

—

22

—

典型值

—

0.085

35

8150

2100

180

80

250

550

220

1.1

620

最大

—

±10

250

3.0

0.11

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

= 400 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 25 A，V

GS

= 10 V*

3

I

D

= 25 A，V

DS

= 10 V*

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

I

D

= 25 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 1.2

3

I

F

= 50 A，V

GS

= 0

I

F

= 50 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

Rev.2.00 2005年9月7日第2 6

2SK1837

主要特点

功率与温度降额

400

1000

300

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

10

s

0m

s

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

D

(A)

100

30

10

3

1

0.3

TA = 25°C

DC

Op

er

PW

一个TI

on

=

200

10

1m

s

ms

(1

(T

sh

c=

OT ）

100

25

°

C

)

0

50

100

150

200

0.1

1

3

10

30

100

300

1000

案例温度T

C

(°C)

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

100

8V

10 V

6V

典型的传输特性

100

V

DS

= 20 V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

脉冲测试

5.5 V

60

漏电流I

D

(A)

80

60

40

5V

40

20

4.5 V

V

GS

= 4 V

20

TC = 75℃

25°C

– 25°C

0

4

8

12

16

20

0

2

4

6

8

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

5

50 A

脉冲测试

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

1

脉冲测试

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

4

3

0.5

0.2

0.1

0.05

V

GS

= 10, 15 V

2

20 A

1

I

D

= 10 A

0.02

0.01

5

10

20

50

100

200

500

0

4

8

12

16

20

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

2SK1837

静态漏源导通状态

电阻与温度

正向转移导纳

y

fs

(S)

0.5

脉冲测试

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳

与漏电流

50

TC = - 25℃

25°C

75°C

0.4

20

10

5

2

1

V

DS

= 20 V

脉冲测试

0.3

I

D

= 50 A

20 A

0.2

0.1

10 A

0

–40

0

40

80

120

160

0.5

1

2

5

10

20

50

案例温度T

C

(°C)

体漏二极管反向

恢复时间

1000

10000

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

西塞

反向恢复时间吨RR （ NS ）

500

电容C （PF ）

200

100

50

的di / dt = 100 A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

1000

西塞

100

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

CRSS

20

10

0.5

10

1

2

5

10

20

50

0

10

20

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

500

V

DD

= 100 V

开关特性

栅极至源极电压V

GS

(V)

20

5000

V

GS

= 10 V, V

DD

= 30 V

PW = 2

s,

税

≤

1 %

250 V

400 V

开关时间t（ NS ）

400

16

2000

1000

500

tf

tr

300

V

DS

V

GS

12

TD （关闭）

200

V

DD

= 400 V

250 V

100 V

I

D

= 50 A

8

200

100

50

0.5

100

4

TD （上）

0

80

160

240

320

0

400

1

2

5

10

20

50

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

2SK1837

反向漏电流 -

源极到漏极电压

100

反向漏电流I

DR

(A)

脉冲测试

80

60

40

20

V

GS

= 10 V

0, – 5 V

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压V

SD

(V)

归瞬态热阻抗

γ

S

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

3

D=1

0.5

0.3

1

TC = 25°C

0.2

0.1

0.05

0.02

θch

- C （T ） =

γS （T ） θch

– c

θch

- C = 0.5 ° C / W ，TC = 25°C

P

DM

0.01

T

1m

10 m

100 m

1

PW

= T

0.1

0.03

1次脉冲

0.01

10

100

10

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

输入电压监视器

波形

90 %

VOUT监控

D.U.T

R

L

VIN

10 V

50

VIN

VOUT

10 %

V

DD

= 30 V

90 %

TD （上）

tr

90 %

TD （关闭）

tf

Rev.2.00 2005年9月7日第5 6