数据表
MOS场效应
2SK2512
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SK2512是N沟道MOS场效应晶体管设计的
对于高电流的开关应用。
包装尺寸
(以毫米)
特点
低导通电阻
R
DS ( ON) 1
= 15毫欧(V
GS
= 10 V,I
D
= 23 A)
R
DS ( ON) 2
= 23毫欧(V
GS
= 4 V,I
D
= 23 A)
15.0±0.3
10.0±0.3
3.2±0.2
4.5±0.2
2.7±0.2
3±0.1
4±0.2
低C
国际空间站
C
国际空间站
= 2 100 pF的典型。
内置G -S保护二极管
绝对最大额定值(T
A
= 25 C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲) *
总功率耗散(T
c
= 25 C)
总功率耗散(T
A
= 25 C)
通道温度
储存温度
*
PW
≤
10
S,占空比
≤
1 %
1 2 3
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
±20
±45
±180
35
2.0
150
V
A
A
W
W
C
0.7±0.1
2.54
1.3±0.2
1.5±0.2
2.54
13.5MIN.
V
DSS
60
V
12.0±0.2
2.5±0.1
0.65±0.1
1.门
2.漏
3.源
-55 + 150℃
MP- 45F (隔离TO- 220 )
漏
体
二极管
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管
作为对ESD的保护。当此装置被实际使用
一个额外的保护电路,如果将电压从外部要求的
超过额定电压可以施加到该装置。
门
门
保护
二极管
来源
一号文件D10291EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期1995年P月
日本印刷
1995
2SK2512
电气特性(T
A
= 25 C)
特征
漏极至源极导通电阻
漏极至源极导通电阻
门源截止电压
正向转移导纳
漏极漏电流
门源漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
R
DS ( ON) 1
R
DS ( ON) 2
V
GS (关闭)
| y
fs
|
I
DSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
2 100
1 100
500
45
380
320
320
101
7
40
1.0
100
180
1.0
15
分钟。
典型值。
11
16
1.5
20
10
±10
马克斯。
15
23
2.0
单位
m
m
V
S
测试条件
V
GS
= 10 V,I
D
= 23 A
V
GS
= 4 V,I
D
= 23 A
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V,I
D
= 23 A
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 23 A
V
GS (上)
= 10 V
V
DD
= 30 V
R
G
= 10
I
D
= 45 A
V
DD
= 48 V
V
GS
= 10 V
I
F
= 45 A,V
GS
= 0
I
F
= 45 A,V
GS
= 0
的di / dt = 100 A /
s
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1开关时间
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
R
G
= 10
V
GS
电波表
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
10 %
V
GS (上)
90 %
V
GS
0
R
L
V
DD
V
DD
I
D
90 %
90 %
I
D
PG 。
50
V
GS
0
t
t = 1
s
占空比
≤
1 %
I
D
电波表
0
10 %
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
10 %
t
f
该应用电路及其参数仅供参考,并不用于实际设计中的应用。
2