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数据表
MOS场效应
2SK2512
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SK2512是N沟道MOS场效应晶体管设计的
对于高电流的开关应用。
包装尺寸
(以毫米)
特点
低导通电阻
R
DS ( ON) 1
= 15毫欧(V
GS
= 10 V,I
D
= 23 A)
R
DS ( ON) 2
= 23毫欧(V
GS
= 4 V,I
D
= 23 A)
15.0±0.3
10.0±0.3
3.2±0.2
4.5±0.2
2.7±0.2
3±0.1
4±0.2
低C
国际空间站
C
国际空间站
= 2 100 pF的典型。
内置G -S保护二极管
绝对最大额定值(T
A
= 25 C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲) *
总功率耗散(T
c
= 25 C)
总功率耗散(T
A
= 25 C)
通道温度
储存温度
*
PW
10
S,占空比
1 %
1 2 3
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
±20
±45
±180
35
2.0
150
V
A
A
W
W
C
0.7±0.1
2.54
1.3±0.2
1.5±0.2
2.54
13.5MIN.
V
DSS
60
V
12.0±0.2
2.5±0.1
0.65±0.1
1.门
2.漏
3.源
-55 + 150℃
MP- 45F (隔离TO- 220 )
二极管
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管
作为对ESD的保护。当此装置被实际使用
一个额外的保护电路,如果将电压从外部要求的
超过额定电压可以施加到该装置。
保护
二极管
来源
一号文件D10291EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期1995年P月
日本印刷
1995
2SK2512
电气特性(T
A
= 25 C)
特征
漏极至源极导通电阻
漏极至源极导通电阻
门源截止电压
正向转移导纳
漏极漏电流
门源漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
R
DS ( ON) 1
R
DS ( ON) 2
V
GS (关闭)
| y
fs
|
I
DSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
2 100
1 100
500
45
380
320
320
101
7
40
1.0
100
180
1.0
15
分钟。
典型值。
11
16
1.5
20
10
±10
马克斯。
15
23
2.0
单位
m
m
V
S
测试条件
V
GS
= 10 V,I
D
= 23 A
V
GS
= 4 V,I
D
= 23 A
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V,I
D
= 23 A
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 23 A
V
GS (上)
= 10 V
V
DD
= 30 V
R
G
= 10
I
D
= 45 A
V
DD
= 48 V
V
GS
= 10 V
I
F
= 45 A,V
GS
= 0
I
F
= 45 A,V
GS
= 0
的di / dt = 100 A /
s
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1开关时间
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
R
G
= 10
V
GS
电波表
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
10 %
V
GS (上)
90 %
V
GS
0
R
L
V
DD
V
DD
I
D
90 %
90 %
I
D
PG 。
50
V
GS
0
t
t = 1
s
占空比
1 %
I
D
电波表
0
10 %
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
10 %
t
f
该应用电路及其参数仅供参考,并不用于实际设计中的应用。
2
2SK2512
典型特征(T
A
= 25 C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
70
胸苷 - 百分比额定功率 - %
P
T
- 总功耗 - W
100
80
60
40
20
60
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100 120 140 160
总功耗对比
外壳温度
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
- 外壳温度 - C
T
C
- 外壳温度 - C
漏电流与
漏源极电压
脉冲
正向偏置安全工作区
1000
I
D(脉冲)
200
V
GS
= 20 V
PW
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
100
R
DS
n
(o
)
LIM
d
ITE
=
V
GS
= 10 V
I
D( DC)的
10
0
1
20
10
m
s
m
s
V
GS
= 4 V
100
10
DC
0
s
m
s
1
0.1
T
C
= 25 C
单脉冲
1
10
100
0
1
2
3
4
V
DS -
漏源极电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
正向传递特性
1 000
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
100
T
A
= 125 C
75 C
25 C
10
–25 C
1
V
DS
= 10 V
0
2
4
6
8
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
3
2SK2512
瞬态热阻与脉冲宽度
1 000
r
日(T )
- 瞬态热阻 - C / W
R
第(章-a)的
= 62.5 C / W
100
10
R
TH( CH-C )
= 3.57 ° C / W
1
0.1
0.01
单脉冲
0.001
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1 000
PW - 脉冲宽度 - S
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
1000
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
正向转移导纳主场迎战
漏电流
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
脉冲
60
I
D
= 23 A
40
V
DS
= 10 V
脉冲
T
A
= –25 C
25 C
75 C
125 C
100
10
20
1
1
10
100
1000
0
10
20
30
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
门源截止电压主场迎战
通道温度
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
V
GS ( OFF )
- 门源截止电压 - V
80
脉冲
2
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
60
40
V
GS
= 4 V
20
V
GS
= 10 V
0
1
10
I
D
- 漏电流 - 一个
100
1
0
–50
0
50
100
150
T
ch
- 通道温度 - C
4
2SK2512
源极到漏极二极管
正向电压
脉冲
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
100
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
40
30
V
GS
= 4 V
20
10
1
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V
10
0
–50
0
50
100
I
D
= 23 A
150
0.1
0
0.5
1.0
1.5
T
ch
- 通道温度 - C
电容与漏极TO
源极电压
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
开关特性
1 000
t
D(上)
, t
r
, t
D(关闭)
, t
f
- 开关时间 - NS
t
D(关闭)
t
f
t
r
t
D(上)
10
100 000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10 000
C
国际空间站
1 000
C
OSS
100
C
RSS
100
0.1
1
10
100
1.0
0.1
1.0
V
DD
= 30 V
V
GS
= 10 V
R
G
=10
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
反向恢复时间对比
漏电流
1 000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
60
V
DS
40
V
DD
= 12 V
30 V
48 V
V
GS
12
10
8
6
100
10
20
4
2
1
0.1
1.0
10
100
0
40
80
120
0
160
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
5
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
动态输入/输出特性
16
80
I
D
= 45 A
14
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK2512
    -
    -
    -
    -
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电话:0755-88291559
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地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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联系人:朱咸华
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