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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6495
描述
·采用TO- 66封装
·低集电极饱和电压
·卓越的安全工作区
应用
·专为开关和宽
频带放大器的应用
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
150
80
7
10
70
150
-65~200
单位
V
V
V
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
4.37
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
2N6495
符号
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
I
CEV
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
f
T
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1 A;我
B
=0
I
C
= 10A ;我
B
=1A
I
C
= 10A ;我
B
=1A
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
V
CE
=150V;V
BE （OFF）的
=-1.5V
T
C
=150
V
CE
= 40V ;我
B
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
I
C
= 1 ; V
CE
=10V
80
V
集电极 - 发射极饱和电压
1.5
V
基射极饱和电压
2.0
V
基地发射极电压上
2.8
0.1
1.0
0.1
V
集电极截止电流
mA
集电极截止电流
mA
发射极截止电流
0.1
mA
直流电流增益
10
60
跃迁频率
25
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6495
图2外形尺寸
3
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6495
描述
·带
TO- 66封装
ULOW
集电极饱和电压
优秀
安全工作区
应用
·设计
切换和宽
频带放大器的应用
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号
集热器
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
固电
IN
导½
半
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
ES
昂
CH
发射极开路
开基
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
150
80
7
10
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
集电极开路
T
C
=25℃
70
150
-65~200
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
4.37
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2N6495
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1 A;我
B
=0
80
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10A ;我
B
=1A
1.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 10A ;我
B
=1A
2.0
V
V
BE
基地发射极电压上
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
V
CE
=150V;V
BE （OFF）的
=-1.5V
T
C
=150℃
V
CE
= 40V ;我
B
=0
2.8
0.1
1.0
0.1
V
I
CEV
集电极截止电流
mA
I
首席执行官
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
h
FE
固电
IN
直流电流增益
导½
半
V
EB
= 7V ;我
C
=0
0.1
mA
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
f
T
跃迁频率
ES
昂
CH
I
C
= 1 ; V
CE
=10V
ND
ICO
EM
10
OR
UCT
60
25
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6495
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6495
描述
·带
TO- 66封装
ULOW
集电极饱和电压
优秀
安全工作区
应用
·设计
切换和宽
频带放大器的应用
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号
集热器
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
150
80
7
10
70
150
-65~200
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
4.37
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2N6495
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1 A;我
B
=0
80
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10A ;我
B
=1A
1.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 10A ;我
B
=1A
2.0
V
V
BE
基地发射极电压上
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
V
CE
=150V;V
BE （OFF）的
=-1.5V
T
C
=150℃
V
CE
= 40V ;我
B
=0
2.8
0.1
1.0
0.1
V
I
CEV
集电极截止电流
mA
I
首席执行官
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 7V ;我
C
=0
0.1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
10
60
f
T
跃迁频率
I
C
= 1 ; V
CE
=10V
25
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6495
图2外形尺寸
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26001-0902
27C512A-15IL
27C512A15IL
27C512A-12ETS
2SJ171
26-03-4121
2SB0767Q
27HC256-90I/SO
2SA1876
2N3809DCSM
2-177534-4
2082-6340-10
22-28-4097
223886712688
供货商
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    联系人：杨小姐
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    2N6495
    -
    -
    -
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