【2SK2467东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型2SK2467高功率放大器应用单位：mm高击穿电压：】,IC型号2SK2467_06,2SK2467_06 PDF资料,2SK2467

2SK2467

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型

2SK2467

高功率放大器应用

单位：mm

高击穿电压： V

DSS

= 180 V

高正向转移导纳： | Y

| = 4.0 S（典型值）。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

GSS

英镑

等级

180

±20

150

单位

°C

漏极功耗（ TC = 25 ° C）

通道温度

存储温度范围

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ：

在重负载下连续使用（高如应用程序

温度/电流/电压和温度的显著变化，

等），可能会导致该产品在可靠性，降低显著

即使在操作条件下（即，操作

温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。请在审查设计相应的可靠性

东芝半导体可靠性手册（ “处理

注意事项“ /降级的概念和方法）和个人可靠性

数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-16F1B

重量：9.3克（典型值）。

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

排水截止电流

栅极漏电流

漏源击穿电压

漏极 - 源极饱和电压

栅极 - 源极截止电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向电容

（注3）

符号

DSS

GSS

（ BR ） DSS

DS （ ON）

GS （关闭）

国际空间站

OSS

RSS

测试条件

= 180 V, V

= 0

= 0, V

= ±20 V

= 10 mA时， V

= 0

= 10 V，I

= 6 A

= 10 V，I

= 0.1 A

= 10 V，I

= 3 A

= 30 V, V

= 0中，f = 1 MHz的

= 30 V, V

= 0中，f = 1 MHz的

= 30 V, V

= 0中，f = 1 MHz的

民

―

180

―

1.4

―

典型值。

―

2.5

―

4.0

700

150

最大

1.0

±0.5

―

5.0

2.8

―

单位

μA

注3 ： V

GS （关闭）

分类

Y： 1.4 2.8

此晶体管是静电感应装置。小心请注意适当处理。

2006-11-21

2SK2467

记号

K2467

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

2006-11-21

2SK2467

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701-EN

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

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2006-11-21