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晶体管
2SC2632
NPN硅外延平面型
对于低频高击穿电压的放大
补充2SA1124
5.9±0.2
单位：mm
4.9±0.2
q
q
q
2.54±0.15
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
150
150
5
100
50
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mA
W
C
C
0.45
–0.1
1.27
1.27
+0.2
13.5±0.5
0.7
–0.2
+0.3
正向电流传输比H良好的线性
FE
.
高集电极到发射极电压V
首席执行官
.
小集电极输出电容C
ob
.
0.7±0.1
8.6±0.2
s
特点
0.45
–0.1
+0.2
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声电压
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NV
条件
V
CB
= 100V ，我
E
= 0
I
C
= 0.1毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安
I
C
= 30mA时我
B
= 3毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= -10mA ， F = 200MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安，G
V
= 80分贝
R
g
= 100kΩ的，功能= FLAT
150
160
3
300
150
5
130
330
1
V
兆赫
pF
mV
民
典型值
最大
1
单位
A
V
V
*
h
FE
等级分类
R
130 ~ 220
S
185 ~ 330
h
FE
秩
3.2
1
2
3
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
EIAJ ： SC- 51
TO- 92L封装
1
晶体管
P
C
- TA
1.2
120
V
CE
=10V
25C
2SC2632
I
C
— V
BE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
Ta=75C
25C
–25C
V
CE （ SAT ）
— I
C
I
C
/I
B
=10
集电极耗散功率P
C
(W)
1.0
100
集电极电流I
C
（MA ）
Ta=75C
80
–25C
0.8
0.6
60
0.4
40
0.2
20
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.3
1
3
10
30
100
环境温度Ta （C ）
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
h
FE
— I
C
600
V
CE
=10V
300
f
T
— I
E
集电极输出电容C
ob
（PF ）
V
CB
=10V
f=100MHz
Ta=25C
5
C
ob
— V
CB
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
4
正向电流传输比H
FE
500
过渡频率f
T
（兆赫）
250
400
200
3
300
Ta=75C
25C
–25C
150
2
200
100
100
50
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
–1
0
–3
–10
–30
–100
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
集电极基极电压V
CB
(V)
2
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推荐型号
2N1405
22R156
22-28-3052
2020-6609-30
206PHC250K
2151QA4-28V
2SK2445
2SK2475
2SK2467_06
2040.2031
250B20L102A2CA
218-501-22-65
2015487-4
2SK738
2SC5763
2SC2785
2520EX103Z8
2023-6126-20
2SD2192W
254TA104B50B
供货商
型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    2SC2632
    -
    -
    -
    -
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2SC2632
NEC
2443+
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一级代理专营，原装现货，价格优势
北京元坤国际科技有限公司
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2SC2632
NEC
22+
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全新原装正品/质量有保证
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2SC2632
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TO-92
全新原装，欢迎订购！
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2SC2632
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2SC2632
TOS
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