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2SK2397-01MR
FAP -II系列
＆ GT ;产品特点
-
-
-
-
-
-
-
高速开关
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高压
V
GS
= ± 30V保证
雪崩证明
N沟道MOS - FET的
800V
2,3
5A
50W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
-
-
-
-
开关稳压器
UPS
DC- DC转换器
通用功率放大器
＆ GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
=20K)
连续漏极电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
V
DGR
I
D
I
D（ PULS ）
V
GS
P
D
T
ch
T
英镑
等级
800
800
5
20
±30
50
150
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
V
W
°C
°C
＆ GT ;等效电路
- 电气特性（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D（上）
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D（关闭）
+t
f
)
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
I
V
t
Q
GSS
DS （ ON）
fs
国际空间站
OSS
RSS
D（上）
r
D（关闭）
f
AV
SD
rr
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS =
V
GS
V
DS
=800V
T
ch
=25°C
V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
GS
=±30V
V
GS
=0V
I
D
=2,5A
V
GS
=10V
I
D
=2,5A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=600V
I
D
=5A
V
GS
=10V
R
GS
=25
L=100H
T
ch
=25°C
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
800
2,5
典型值。
4,0
10
0,2
10
1,7
3,5
800
120
60
25
100
130
70
1,0
700
15,0
马克斯。
5,0
500
1,0
100
2,3
1200
180
90
40
150
200
110
1,5
1,8
5
单位
V
V
A
mA
nA
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
A
V
ns
C
- 热特性
项
热阻
符号
R
第（章-a）的
R
TH（ CH-C ）
测试条件
通道的空气
渠道情况
分钟。
典型值。
马克斯。
62,5
2,5
单位
° C / W
° C / W
N沟道MOS - FET的
800V
2,3
2SK2397-01MR
FAP -II系列
漏极 - 源极导通电阻与T
ch
R
DS （ ON）
= F （T
ch
); I
D
= 2,5A ; V
GS
=10V
5A
50W
＆ GT ;特色
典型的输出特性
I
D
= F（V
DS
） ;为80μs脉冲试验;牛逼
C
=25°C
典型的传输特性
I
D
= F（V
GS
） ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
↑
I
D
[A]
↑
1
R
DS （ ON）
[]
↑
2
I
D
[A]
3
V
DS
[V]
→
T
ch
[°C]
→
V
GS
[V]
→
典型的漏源导通状态，电阻与我
D
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;为80μs脉冲试验;牛逼
C
=25°C
典型正向跨导与我
D
g
fs
= F（我
D
） ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
栅极阈值电压与T
ch
V
GS （ TH）
= F （T
ch
); I
D
= 1毫安; V
DS
=V
GS
↑
R
DS （ ON）
[]
↑
g
fs
[S]
↑
5
V
GS （ TH）
[V]
4
6
I
D
[A]
→
I
D
[A]
→
T
ch
[°C]
→
典型的电容与V
DS
C = F（V
DS
); V
GS
= 0V ; F = 1MHz的
典型栅极电荷特性
V
GS
= F量（Qg ） ;我
D
= 5A ; TC = 25℃
反向二极管的正向特性
I
F
= F（V
SD
） ;为80μs脉冲试验; V
GS
=0V
↑
C [ nF的]
↑
V
DS
[V]
↑
V
GS
[V]
↑
I
F
[A]
7
8
9
V
DS
[V]
→
QG [ NC ]
→
V
SD
[V]
→
功耗
P
D
= F（ Tc）的
安全工作区
I
D
= F（V
DS
） ： D = 0.01 ， TC = 25℃
Z
TH（ CH-C ）
〔 K / W〕
↑
瞬态热阻抗
Z
thCH
= F（ t）的参数：D = T / T
↑
P
D
[W]
10
↑
I
D
[A]
12
T
ch
[°C]
→
V
DS
[V]
→
T [ S]
→
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2020LX103Z4
2SD1646
2SD1949P
27C04AFT-20P
2N4166
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封装
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    2SK2397-01MR
    -
    -
    -
    -
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