UTC 2SD1624 NPN外延平面硅晶体管
HIGH CURRENT SWITCHIG
应用
描述
在UTC 2SD1624适用于电压调节器，继电器
司机，灯驱动器，和电气设备。
1
特点
*采用FBET的， MBIT流程
*低集电极 - 发射极饱和电压
*开关速度快。
*大电流容量，广ASO 。
SOT-89
记号
XX
DG
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极耗散功率（ TC = 25 ° C）
集电极电流（DC）的
集电极电流（脉冲）
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Pc
Ic
ICP
T
j
T
英镑
价值
60
50
6
500
3
6
150
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mW
A
A
°C
°C
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益（注）
增益带宽积
输出电容
-E饱和电压
B -E饱和电压
C- B击穿电压
C- E击穿电压
E- B击穿电压
开启时间
符号
I
CBO
I
EBO
的hFE
fT
COB
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
吨
测试条件
VCB=40V,IE=0
VEB=4V,IC=0
VCE = 2V ， IC =百毫安
VCE = 10V ， IC = 50毫安
VCE=10V,f=1MHz
IC=2A,IB=100mA
IC=2A,IB=100mA
IC=10A,IE=0
IC=1mA,RBE=∞
IE=10A,IC=0
见测试电路
民
典型值
最大
1
1
560
单位
A
A
兆赫
pF
V
V
V
V
V
ns
100
150
25
0.19
0.94
60
50
6
70
0.5
1.2
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
1
QW-R208-005,A
UTC 2SD1624 NPN外延平面硅晶体管
参数
贮存时间
下降时间
符号
TSTG
tf
测试条件
见测试电路
见测试电路
民
典型值
650
35
最大
单位
ns
ns
分类的hFE的
秩
范围
R
100-200
S
140-280
T
200-400
U
280-560
测试电路
（单位： （电阻：
,
电容： F） ）
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
2
QW-R208-005,A
UTC 2SD1624 NPN外延平面硅晶体管
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
3
QW-R208-005,A
UTC 2SD1624 NPN外延平面硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
4
QW-R208-005,A
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2SD1624
HIGH CURRENT SWITCHIG
应用
描述
在UTC
2SD1624
适用于电压调节器，继电器驱动器，
灯驱动器，以及电气设备。
NPN硅晶体管
特点
*采用FBET的， MBIT流程
*低集电极 - 发射极饱和电压
*开关速度快。
*大电流容量，广ASO 。
无铅： 2SD1624L
无卤： 2SD1624G
订购信息
正常
2SD1624-x-AB3-R
订购数量
无铅
2SD1624L-x-AB3-R
无卤
2SD1624G-x-AB3-R
包
SOT-89
引脚分配
1
2
3
B
C
E
填料
带盘
记号
XX
DG
日期代码
L：无铅
G：无卤
www.unisonic.com.tw
2007 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R208-005.C
2SD1624
参数
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
符号
评级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
60
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
50
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
6
V
集电极耗散功率（ TC = 25 ° C）
Pc
500
mW
DC
Ic
3
A
集电极电流
脉冲
ICP
6
A
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
t
ON
t
英镑
t
F
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
= 1毫安，R
BE
=∞
I
E
= 10μA ，我
C
=0
I
C
= 2A ，我
B
=100mA
I
C
= 2A ，我
B
=100mA
V
CB
= 40V ，我
E
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
= 2V ， IC = 100毫安
V
CE
= 10V ，我
C
=50mA
V
CE
= 10V ， F = 1MHz的
见测试电路
见测试电路
见测试电路
民
60
50
6
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
μA
μA
兆赫
pF
ns
ns
ns
0.19
0.94
100
150
25
70
650
35
0.5
1.2
1
1
560
分类h及
FE
秩
范围
R
100-200
S
140-280
T
200-400
U
280-560
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 5
QW-R208-005.C
2SD1624
测试电路
PW=20S
占空比= 1 ％
输入
I
B1
R
B
I
B2
50
V
R
+
100F
-5V
IC = 10 ，余
B1
= -10, I
B2
=1A
NPN硅晶体管
产量
25
25V
+
470F
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 5
QW-R208-005.C
2SD1624
典型特征
NPN硅晶体管
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
3.0
2.8
集电极电流，I
C
(A)
2.4
2.0
-25
℃
1000
7
5
直流电流增益与集电极电流
V
CE
=2V
V
CE
=2V
直流电流增益，H
FE
3
2
Ta=75
℃
Ta=7
5
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
25
℃
℃
25℃
-25℃
100
7
5
3
2
0.2
0.4
0.6
1.0
0.8
基地发射极电压，V
BE
(V)
1.2
7
0.01
2
3
0.1
2 3 5 7
1.0
集电极电流，I
C
(A)
5 7
2 3
5
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 5
QW-R208-005.C
2SD1624
典型特征
NPN硅晶体管
10
5
3
2
ASO 。
I
CP
I
C
D
10
0m
1.8
1.6
1.5
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.5
0.4
0.2
2
3
5
7
集电极耗散VS.
环境温度
M
ou
10
m
s
s
1.0
5
3
2
nt
（ 2版
50对
M CE
m
2
ra
×0 m
0.8 IC
米博
M A
rd
)
C
O
pe
t
ra
io
n
0.1
5
3
2
2
安装在陶瓷板上
2
(250mm
2
×0.8mm)
TA = 25 ℃一个脉冲
5
无散热器
0
20 40 60 80 100 120 140 160
环境温度TA （ ℃ ）
1.0
10
100
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
7
2
3
5 7
0
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
5
QW-R208-005.C
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2SD1624
大电流开关
应用
描述
在UTC
2SD1624
适用于电压调节器，继电器驱动器，
灯驱动器，以及电气设备。
NPN硅晶体管
特点
*采用FBET的， MBIT流程
*低集电极 - 发射极饱和电压
*开关速度快。
*大电流容量，广ASO 。
订购信息
订购数量
无铅
无卤
2SD1624L-x-AB3-R
2SD1624G-x-AB3-R
包
SOT-89
引脚分配
1
2
3
B
C
E
填料
带盘
记号
XX
DG
日期代码
L：无铅
G：无卤
www.unisonic.com.tw
2011 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R208-005.D
2SD1624
参数
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
符号
评级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
60
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
50
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
6
V
集电极耗散功率（ TC = 25 ° C）
P
C
500
mW
DC
I
C
3
A
集电极电流
脉冲
I
CP
6
A
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
t
ON
t
英镑
t
F
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
= 1毫安，R
BE
=∞
I
E
= 10μA ，我
C
=0
I
C
= 2A ，我
B
=100mA
I
C
= 2A ，我
B
=100mA
V
CB
= 40V ，我
E
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
= 2V ， IC = 100毫安
V
CE
= 10V ，我
C
=50mA
V
CE
= 10V ， F = 1MHz的
见测试电路
见测试电路
见测试电路
民
60
50
6
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
μA
μA
兆赫
pF
ns
ns
ns
0.19
0.94
100
150
25
70
650
35
0.5
1.2
1
1
560
分类h及
FE
秩
范围
R
100-200
S
140-280
T
200-400
U
280-560
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 5
QW-R208-005.D
2SD1624
测试电路
PW=20S
占空比= 1 ％
输入
I
B1
R
B
I
B2
50
V
R
+
100F
-5V
IC = 10 ，余
B1
= -10, I
B2
=1A
NPN硅晶体管
产量
25
25V
+
470F
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 5
QW-R208-005.D
2SD1624
典型特征
NPN硅晶体管
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
3.0
2.8
集电极电流，I
C
(A)
2.4
2.0
-25
℃
1000
7
5
直流电流增益与集电极电流
V
CE
=2V
V
CE
=2V
直流电流增益，H
FE
3
2
Ta=75
℃
Ta=7
5
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
25
℃
℃
25℃
-25℃
100
7
5
3
2
0.2
0.4
0.6
1.0
0.8
基地发射极电压，V
BE
(V)
1.2
7
0.01
2
3
0.1
2 3 5 7
1.0
集电极电流，I
C
(A)
5 7
2 3
5
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 5
QW-R208-005.D
2SD1624
典型特征（续）
NPN硅晶体管
10
5
3
2
ASO 。
I
CP
I
C
D
10
0m
1.8
1.6
1.5
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.5
0.4
0.2
2
3
5
7
集电极耗散VS.
环境温度
M
ou
10
m
s
s
1.0
5
3
2
nt
（ 2版
50对
M CE
m
2
ra
×0 m
0.8 IC
米博
M A
rd
)
C
O
pe
t
ra
io
n
0.1
5
3
2
2
安装在陶瓷板上
2
(250mm
2
×0.8mm)
TA = 25 ℃一个脉冲
5
无散热器
0
20 40 60 80 100 120 140 160
环境温度TA （ ℃ ）
1.0
10
100
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
7
2
3
5 7
0
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
5
QW-R208-005.D
订购数量： EN2019B
2SB1124/2SD1624
双极晶体管
（ - ） 50V ，（ - ） 3A，低VCE （饱和），（ PNP）的NPN单PCP
应用
http://onsemi.com
电压调节器，继电器驱动器，灯驱动器，电气设备
特点
采用FBET的， MBIT流程
开关速度快
低集电极 - 发射极饱和电压
大电流容量，广ASO
特定网络阳离子
（）： 2SB1124
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
条件
评级
(-
-)60
(--)50
(-
-)6
(--)3
(-
-)6
单位
V
V
V
A
A
接下页。
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7007B-004
顶视图
4.5
1.6
1.5
产品&包装信息
包
： PCP
JEITA ， JEDEC
： SC - 62 ， SOT- 89 ， TO- 243
最小包装数量： 1000个/卷。
2SB1124S-TD-E
2SB1124S-TD-H
2SB1124T-TD-E
2SB1124T-TD-H
2SD1624S-TD-E
2SD1624S-TD-H
2SD1624T-TD-E
2SD1624T-TD-H
包装类型： TD
2.5
1.0
4.0
TD
1
0.4
0.5
1.5
3.0
2
3
0.4
记号
LOT号
秩
DG
2SD1624
2
1
3
2SD1624
BG
秩
0.75
2SB1124
电气连接
2
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
底部视图
1
PCP
3
2SB1124
半导体元件工业有限责任公司， 2013
九月， 2013
80812 TKIM / O1003TN （ KOTO ） / 92098HA （ KT ） / 3307AT ， TS No.2019-1 / 7
LOT号
2SB1124 / 2SD1624
从接下页。
参数
集电极耗散
结温
储存温度
符号
PC
Tj
TSTG
条件
当安装在陶瓷基体（ 250毫米
×0.8mm)
2
评级
500
1.5
150
-
-55到+150
单位
mW
W
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。推荐工作上面的功能操作
条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
VCB = （ - ） 40V， IE = 0A
VEB = （ - ） 4V ， IC = 0A
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ - ） 100毫安
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ - ） 3A
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 50毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ - ） 2A ， IB = （ - ）百毫安
VCE = （ - ） 2A， IC = （ - ） 100毫安
IC = （ - ） 10μA ， IE = 0A
IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
IE = （ - ） 10μA ， IC = 0A
请参阅特定网络版测试电路。
(-
-)60
(--)50
(--)6
(70)70
(450)650
(35)35
100*
35
150
(39)25
(--0.35)0.19
(--)0.94
(--0.7)0.5
(--)1.2
兆赫
pF
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
评级
民
典型值
最大
(-
-)1
(--)1
560*
单位
μA
μA
* ;该2SB1124 / 2SD1624的分类网络版由100毫安hFE参数如下：
秩
的hFE
R
100至200
S
140至280
T
200至400
U
280 560
开关时间测试电路
PW=20μs
D.C.≤1%
输入
IB1
RB
IB2
产量
VR
50Ω
25Ω
+
100μF
--5V
+
470μF
25V
IC = 10IB1 = --10IB2 = 1A
对于PNP ，极性是相反的。
订购信息
设备
2SB1124S-TD-E
2SB1124S-TD-H
2SB1124T-TD-E
2SB1124T-TD-H
2SD1624S-TD-E
2SD1624S-TD-H
2SD1624T-TD-E
2SD1624T-TD-H
包
PCP
PCP
PCP
PCP
PCP
PCP
PCP
PCP
航运
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
备忘录
无铅
无铅和无卤素
无铅
无铅和无卤素
无铅
无铅和无卤素
无铅
无铅和无卤素
No.2019-2/7
2SB1124 / 2SD1624
袋装特定网络阳离子
2SB1124S - TD -E ， 2SB1124S - TD -H ， 2SB1124T - TD -E ， 2SB1124T - TD -H ， 2SD1624S - TD -E ， 2SD1624S - TD -H ，
2SD1624T - TD -E ， 2SD1624T - TD -H
No.2019-5/7
订购数量： ENN2019A
PNP / NPN外延平面硅晶体管
2SB1124/2SD1624
大电流开关应用
应用
·稳压器，继电器驱动器，灯驱动器，
电气设备。
包装尺寸
单位：mm
2038A
[2SB1124/2SD1624]
4.5
1.6
特点
·采用FBET ， MBIT过程。
·低集电极 - 发射极饱和电压。
·快速开关速度。
·大电流容量，广ASO 。
0.4
3
1.5
1.5
0.5
2
3.0
0.75
1
1.0
2.5
4.25max
0.4
（）： 2SB1124
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷板上（ 250毫米
2
×0.8mm)
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
三洋： PCP
（底视图）
条件
评级
(–)60
(–)50
(–)6
(–)3
(–)6
500
1.5
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
W
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
VCB = （ - ） 40V， IE = 0
VEB = （ - ） 4V， IC = 0
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ - ） 100毫安
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ - ） 3A
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 50毫安
100*
35
150
兆赫
条件
评级
民
典型值
最大
(–)1
(–)1
560*
单位
A
A
* ;该2SB1124 / 2SD1624进行分类百毫安
FE
如下：
秩
的hFE
R
100至200
S
140至280
T
200至400
U
280 560
标记2SB1124 ： BG
2SD1624 ： DG
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
O1003TN （ KOTO ） / 92098HA （ KT ） / 3307AT ， TS No.2019-1 / 4
2SB1124/2SD1624
从接下页。
参数
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
COB
VCE （ SAT ）
条件
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ - ） 2A ， IB = （ - ）百毫安
评级
民
典型值
(39)
25
(–0.35)
0.19
(–0.94)
(–)60
(–)50
(–)6
70
(70)
650
(450)
35
(35)
(–0.7)
0.5
(–)1.2
最大
单位
pF
pF
V
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
VBE （ sat）的IC = （ - ） 2A ， IB = （ - ）百毫安
V（ BR ） CBO IC = （ - ） 10μA ， IE = 0
V（ BR ） CEO IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
IE = （ - ） 10μA ， IC = 0
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
开关时间测试电路
PW=20s
D.C.≤1%
输入
IB1
RB
IB2
产量
VR
50
25
+
100F
--5V
+
470F
25V
10IB1 = --10IB2 = IC = 1A
（对于PNP ，极性是相反的。 ）
--5.0
--4.5
IC - VCE
2SB1124
5.0
4.5
IC - VCE
2SD1624
0mA
--20
A
100m
80mA
集电极电流， IC - 一个
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
--0.4
--0.8
--1.2
集电极电流， IC - 一个
--4.0
mA
--100
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
60mA
40mA
--50mA
--20mA
--10mA
--5mA
20mA
10mA
5mA
1.0
0.5
IB=0
--1.6
--2.0
ITR08907
0
0
0.4
0.8
1.2
IB=0
1.6
2.0
ITR08908
集电极 - 发射极电压VCE - V
--2.0
--1.8
集电极 - 发射极电压VCE - V
2.0
1.8
IC - VCE
m
--14
A
--12m
A
2SB1124
IC - VCE
8mA
2SD1624
集电极电流， IC - 一个
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--8mA
--6mA
集电极电流， IC - 一个
--1.6
--10mA
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
7mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
--4mA
--2mA
0.2
IB=0
--12
--14
--16
--18
--20
0
0
2
4
6
8
10
12
14
ITR08909
IB=0
16
18
20
集电极 - 发射极电压VCE - V
集电极 - 发射极电压VCE - V
ITR08910
No.2019–2/4
2SB1124/2SD1624
--10
7
VBE （星期六） - IC
2SB1124
IC / IB = 20
10
7
VBE （星期六） - IC
2SD1624
IC / IB = 20
基极 - 发射极
饱和电压VBE （星期六） - V
5
基极 - 发射极
饱和电压VBE （星期六） - V
5
3
2
3
2
--1.0
7
5
--25
°C
25
°C
1.0
7
5
TA
--25
°C
75
°C
25
°C
Ta=75
°C
3
7 --0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
3
7 0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
集电极电流， IC - 一个
10
5
3
ITR08919
1.8
1.6
1.5
集电极电流， IC - 一个
ITR08920
ASO
ICP=6A
IC=3A
10
PC - TA
2SB1124 / 2SD1624
2SB1124 /
2SD1624
集电极耗散，P
C
– W
集电极电流， IC - 一个
0m
10m
s
s
s
1m
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.5
0.4
0.2
0
M
2
1.0
5
3
2
0.1
5
3
2
ou
nt
ed
DC
op
ERA
on
ce
ra
m
TIO
n
ic
bo
ar
d(
25
0m
Ta=25°C
单脉冲
安装在陶瓷板上（ 250毫米
2
×0.8mm)
对于PNP ，减号省略。
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
证号H
吃s
墨
m
2
×
0
.8m
m
)
集电极 - 发射极电压VCE - V
7 100
ITR08921
5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度TA - C
ITR08922
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
本产品目录提供的信息截至10月， 2003年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.2019-4 / 4
QQ：2881677436 复制
