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动力F- MOS场效应管
2SK2325
硅N沟道功率的F- MOS FET
s
特点
q
雪崩能量容量保证
q
高速开关
q
低导通电阻
q
无二次击穿
单位：mm
4.6±0.2
φ3.2±0.1
9.9±0.3
2.9±0.2
s
应用
q
非接触式继电器
q
潜水电路为一个螺线管
q
驱动电路，一个马达
q
控制设备
q
开关电源
15.0±0.3
4.1±0.2 8.0±0.2
浸焊
3.0±0.2
13.7
–0.2
+0.5
1.2±0.15
1.45±0.15
0.75±0.1
2.54±0.2
5.08±0.4
1 2 3
2.6±0.1
0.7±0.1
s
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
参数
漏源击穿电压
栅极至源极电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
EAS
*
P
D
T
ch
T
英镑
评级
600
±30
±3
±6
22.5
40
2
150
55
+150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°C
°C
7
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
TO- 220E包
雪崩能量容量
允许功率
耗散
通道温度
储存温度
*
T
C
= 25°C
TA = 25°C
L = 5mH ，我
L
= 3A ， 1个脉冲
s
电气特性
(T
C
= 25°C)
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
符号
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
th
R
DS （ ON）
| Y
fs
|
V
DSF
C
OSS
t
D（上）
t
r
t
f
t
D（关闭）
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
V
DD
= 200V ，我
D
= 2A
V
GS
= 10V ，R
L
= 100
条件
V
DS
= 480V, V
GS
= 0
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 25V ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 2A
V
DS
= 25V ，我
D
= 2A
I
DR
= 3A ，V
GS
= 0
750
V
DS
= 20V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
80
25
15
25
40
90
3.125
62.5
1.5
600
2
1.7
2.5
1.5
5
2.5
民
典型值
最大
100
±1
单位
A
A
V
V
S
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
° C / W
° C / W
输入电容（共源）C
国际空间站
输出电容（共源）
反向传输电容（共源）C
RSS
开启时间（延迟时间）
上升时间
下降时间
关断时间（延迟时间）
通道与外壳之间的热阻
通道与大气之间的热电阻
1
动力F- MOS场效应管
安全操作区（ ASO ）
10
I
DP
I
D
t=100s
1
2SK2325
P
D
Ta
50
10
(1) T
C
= TA
（2）不带散热片
(P
D
=2W)
40
IAS
L-负荷
T
C
=25C
允许功耗P
D
(W)
非重复脉冲
T
C
=25C
3
雪崩电流IAS （ A）
3
22.5mJ
漏电流I
D
(A)
1ms
10ms
30
(1)
1
0.3
20
100ms
DC
0.3
0.1
10
(2)
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.1
10
30
100
300
1000
0.1
0.3
1
3
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
环境温度Ta （C ）
L型负载（毫亨）
I
D
V
DS
6
6
I
D
V
GS
35
V
DS
=25V
T
C
=25C
5
V
DS
V
GS
T
C
=25C
V
GS
=10V
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
6V 7V
5
30
漏电流I
D
(A)
25
4
5.5V
4
20
3
5V
2
40W
1
4.5V
4V
0
0
5
10
15
20
25
3
15
2
10
I
D
=3A
2A
1A
0
5
10
15
20
25
30
1
T
C
=125C
85C
0
0
2
4
6
8
10
12
0C
25C
5
0
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
R
DS （ ON）
I
D
漏源导通电阻R
DS （ ON）
(
)
6
7
| Y
fs
|
I
D
输入电容（共源） ，输出电容（共源）
反向传输电容（共源）C
国际空间站
,C
OSS
,C
RSS
（PF ）
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
V
DS
V
DS
=25V
1000
f=1MHz
T
C
=25C
C
国际空间站
300
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
V
GS
=10V
5
T
C
=125C
6
5
T
C
=0C
25C
85C
125C
4
85C
3
25C
4
100
C
OSS
30
C
RSS
10
3
2
2
0C
1
1
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
0
20
40
60
80
100
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
2
动力F- MOS场效应管
V
DS
, V
GS
Q
g
400
14
150
2SK2325
t
D（上）
, t
r
, t
f
, t
D（关闭）
I
D
V
DD
=200V
V
GS
=10V
T
C
=25C
300
12
开关时间t
D（上）
,t
r
,t
f
,t
D（关闭）
（纳秒）
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
125
250
V
DS
V
DS
=100V
200V
V
GS
10
100
t
D（关闭）
75
200
8
150
6
50
100
4
t
f
t
r
50
2
25
t
D（上）
0
0
1
2
3
4
5
0
0
5
10
15
20
25
0
栅极电荷量Q
g
（ NC ）
漏电流I
D
(A)
3
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