订购数量： ENA0583
2SA2202
三洋半导体
数据表
2SA2202
应用
PNP外延平面硅晶体管
高压开关的应用
直流/直流转换器，继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪存。
特点
采用FBET的， MBIT过程。
大电流电容。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
高允许功耗。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷板（ 250毫米
0.8mm)
2
条件
评级
--100
--100
--100
--7
--2
--3
--400
1.3
3.5
150
--55到150
单位
V
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
Tc=25°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
条件
VCB = -
-80V ， IE浏览器= 0A
VEB = -
-4V ， IC = 0A
VCE = -
-5V ， IC = - 100毫安
VCE = -
-10V ， IC = - 500毫安
VCB = -
-10V ， F = 1MHz的
200
300
23
评级
民
典型值
最大
--1
--1
400
兆赫
pF
单位
A
A
标记： RC
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
用这样的描述或包含任何三洋半导体的产品在此之前，最近的你
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
D2706EA TI IM TC- 00000421号A0583-1 / 4
2SA2202
从接下页。
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CES
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
IC = - 1A ， IB = - 100毫安
IC = - 1A ， IB = - 100毫安
IC = - 10μA ， IE = 0A
IC = - 100μA ， RBE = 0Ω
IC = - 1mA时， RBE = ∞
IE = - 10μA ， IC = 0A
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
--100
--100
--100
--7
40
600
30
评级
民
典型值
--120
--0.85
最大
--240
--1.2
单位
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7007A-004
顶视图
4.5
1.6
1.5
开关时间测试电路
PW=20s
D.C.≤1%
输入
VR
50
RB
+
220F
+
470F
VCC = --50V
RL
IB1
IB2
产量
2.5
1.0
4.0
VBE=5V
IC = --10IB1 = 10IB2 = --0.5A
0.4
1
0.4
0.5
1.5
2
3
3.0
0.75
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
底部视图
三洋： PCP
--2.0
IC - VCE
2
--1
0m
A
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
IC - VBE
VCE = --5V
0m
集电极电流， IC - 一个
--1.2
0m
A
--1
--100mA
--80mA
--60mA
--18
--40mA
--20mA
Ta=75
°
C
A
--0.8
集电极电流， IC - 一个
--1.6
60
mA
--1
4
A
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
--20
--0.4
IB = --5mA
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
IT11879
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
IT11880
集电极 - 发射极电压VCE - V
基极发射极电压VBE - V
--25
°
C
25
°
C
0m
第A0583-2 / 4
2SA2202
任何规范，并且所有三洋半导体产品描述或此处包含的规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，
并且不保证的性能，特性和功能的产品说明
如地安装在客户的产品或设备。要验证的症状，并指出不能
在一个独立的设备进行评估，客户必须不断的评估和测试设备的安装
在客户的产品或设备。
三洋半导体有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何
和所有的半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障
可能引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起冒烟或
火，或可能造成损害的其他财产。在设计产品时，必须采用安全指标
从而就不会发生这些意外事件或事件。这些措施包括但不限于
保护电路及安全设计，多余的设计和结构设计，电路错误预防。
倘任何或所有三洋半导体产品（包括技术数据和服务）
或此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规，控制，
产品在没有得到来自有关的部门的出口许可证出口
按照上述规律。
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或机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
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PS第A0583-4 / 4
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