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2SK2229
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型(L
-π - MOSV )
2
2SK2229
斩波稳压器, DC-DC转换器和电机驱动器
应用
4 -V栅极驱动
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
低漏电流
增强型
: R
DS ( ON)
= 0.12
(典型值)。
: |Y
fs
| = 5.0 S(典型值)。
单位:mm
: I
DSS
= 100
μA
(最大值) (Ⅴ
DS
= 60 V)
: V
th
= 0.8~2.0 V (V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
漏极功耗
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
DC
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
60
60
±20
5
20
1.3
129
5
0.13
150
55~150
单位
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲(注1 )
JEDEC
JEITA
东芝
2-8M1B
重量0.54克(典型值)
注意:
重负载下连续使用(如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册( “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法)和个人可靠性数据(即可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
热特性
特征
耐热性,信道至
环境
符号
R
第(章-a)的
最大
96.1
单位
C / W
注1 :确保通道温度不超过150 ℃。
注2 : V
DD
= 25 V ,T
ch
= 25 ° C(初始) , L = 7 mH的,R
G
= 25
,
I
AR
= 5 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。
请谨慎操作。
1
2006-11-17
2SK2229
电气特性
( TA = 25°C )
特征
栅极漏电流
漏截止电流
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
关断时间
总栅极电荷(栅源
加栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
48 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 5 A
55
170
12
8
4
nC
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
GS
= 4 V,I
D
= 1.3 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 2.5 A
V
DS
= 10 V,I
D
= 2.5 A
60
0.8
3.0
典型值。
0.20
0.12
5.0
370
60
180
18
25
最大
±10
100
2.0
0.30
0.16
ns
pF
单位
μA
μA
V
V
S
源极 - 漏极额定值和特性
( TA = 25°C )
特征
连续漏电流反向
(注1 )
脉冲漏极电流反向
(注1 )
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
I
DR
= 5 A,V
GS
= 0 V
I
DR
= 5 A,V
GS
= 0 V ,二
DR
/ DT = 50 A / μs的
测试条件
典型值。
70
0.1
最大
5
20
1.7
单位
A
A
V
ns
μC
记号
K2229
产品型号(或缩写代码)
LOT号
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
2
2006-11-17
2SK2229
3
2006-11-17
2SK2229
4
2006-11-17
2SK2229
安全工作区
100
ID MAX(脉冲)
*
10
ID MAX(连续)
1
1毫秒
*
100
μs
*
漏电流
I
D
(A)
10毫秒
*
直流操作
Ta
=
25°C
0.1
0.01
*:
单一不重复的脉冲
Tc
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
VDSS最大
1
10
100
0.001
0.01
0.1
漏源电压
V
DS
(V)
R
G
= 25
V
DD
= 25 V , L = 7毫亨
E
AS
=
B
VDSS
1
L
I
2
2
B
VDSS
V
DD
5
2006-11-17
2SK2229
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型(L
-π - MOSV )
2
2SK2229
斩波稳压器, DC-DC转换器和电机驱动器
应用
4 -V栅极驱动
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
低漏电流
增强型
: R
DS ( ON)
= 0.12
(典型值)。
: |Y
fs
| = 5.0 S(典型值)。
单位:mm
: I
DSS
= 100 μA(最大值) (Ⅴ
DS
= 60 V)
: V
th
= 0.8~2.0 V (V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
漏极功耗
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
DC
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
60
60
±20
5
20
1.3
129
5
0.13
150
55~150
单位
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲(注1 )
JEDEC
JEITA
东芝
2-8M1B
重量0.54克(典型值)
热特性
特征
耐热性,信道至
环境
符号
R
第(章-a)的
最大
96.1
单位
C / W
注1 :确保通道温度不超过150 ℃。
注2 : V
DD
= 25 V ,T
ch
= 25 ° C(初始) , L = 7 mH的,R
G
= 25
,
I
AR
= 5 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。
请谨慎操作。
1
2004-07-06
2SK2229
电气特性
( TA = 25°C )
特征
栅极漏电流
漏截止电流
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
关断时间
总栅极电荷(栅源
加栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
48 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 5 A
55
170
12
8
4
nC
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
GS
= 4 V,I
D
= 1.3 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 2.5 A
V
DS
= 10 V,I
D
= 2.5 A
60
0.8
3.0
典型值。
0.20
0.12
5.0
370
60
180
18
25
最大
±10
100
2.0
0.30
0.16
ns
pF
单位
A
A
V
V
S
源极 - 漏极额定值和特性
( TA = 25°C )
特征
连续漏电流反向
(注1 )
脉冲漏极电流反向
(注1 )
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
I
DR
= 5 A,V
GS
= 0 V
I
DR
= 5 A,V
GS
= 0 V ,二
DR
/ DT = 50 A / μs的
测试条件
典型值。
70
0.1
最大
5
20
1.7
单位
A
A
V
ns
C
记号
K2229
产品型号(或缩写代码)
LOT号
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
2
2004-07-06
2SK2229
3
2004-07-06
2SK2229
4
2004-07-06
2SK2229
安全工作区
100
ID MAX(脉冲)
*
10
ID MAX(连续)
1
1毫秒
*
100
s
*
漏电流I
D
(A)
10毫秒
*
直流操作
Ta
=
25°C
0.1
0.01
*:
单一不重复的脉冲
Tc
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
VDSS最大
1
10
100
0.001
0.01
0.1
漏源电压
V
DS
(V)
R
G
= 25
V
DD
= 25 V , L = 7毫亨
E
AS
=
1
B
VDSS
L
I
2
2
B
VDSS
V
DD
5
2004-07-06
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK2229
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SK2229
原装正品
22+
17862
TO-251-3
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-23607529/23603360/83258002
联系人:江先生
地址:深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
2SK2229
TOSHIBA
2015+
9800
TO
香港原装现货 3-5天
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电话:755-83616256 // 83210909
联系人:王小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室(亚太地区XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿特拉)专业分销商!)
2SK2229
TOS
22+
4231
TO-251
绝对一手货源,现货,公司优势产品,全新原装正品
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SK2229
TOSHIBA/东芝
2443+
23000
TO-
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
2SK2229
TOSHIBA/东芝
24+
27200
TO-251
全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
2SK2229
TOSHIBA/东芝
21+22+
12600
TO-251
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
2SK2229
TOSHIBA/东芝
07+
620
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881894392 复制 点击这里给我发消息 QQ:28818943932881894393 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881894392 复制

电话:0755- 82556029/82532511
联系人:高小姐/李先生
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区鹏基上步工业厂房102栋西620
2SK2229
TOSHIBA
2025+
4835
TO-251
全新原装、公司现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881443942 复制

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
2SK2229
TOSHIBA
22+
33000
TO-251
百分百进口正品原装现货 支持实单!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ:3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ:1245773710 复制

电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室(本公司为一般纳税人,可开增票)
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TOSHIBA
25+
3000
TO-92
全新原装正品特价售销!
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