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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第500页 > 2SK2109
SMD型
MOS场效应
2SK2109
SOT-89
IC
MOSFET
单位：mm
+0.1
1.50
-0.1
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 1.0 MAX 。 @ V
GS
=4.0V,I
D
=0.3A
高开关速度
+0.1
4.50
-0.1
1.80
+0.1
-0.1
+0.1
2.50
-0.1
1
+0.1
0.48
-0.1
2
3
+0.1
0.80
-0.1
+0.1
0.53
-0.1
+0.1
0.44
-0.1
+0.1
2.60
-0.1
+0.1
4.00
-0.1
3.00
+0.1
-0.1
+0.1
0.40
-0.1
1.基地
1.源
2.收集
2.漏
3. Emiitter
3.门
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
P
D
T
ch
T
英镑
等级
60
20
0.5
1.0
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
tf
I
D
=0.3A,V
GS （ ON）
=10V,R
L
=83 ,R
G
=10
,V
DD
=25V
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
Testconditons
V
DS
=60V,V
GS
=0
V
GS
= 20V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=0.3A
V
GS
=4.0V,I
D
=0.3A
V
GS
=10V,I
D
=0.3A
0.8
0.4
0.55
0.41
111
55
19
2.2
1.5
35
19
1.0
0.8
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
1.5
民
典型值
最大
1.0
10
2.0
单位
A
nA
V
S
记号
记号
NS
www.kexin.com.cn
1
数据表
MOS场效应
2SK2109
N沟道MOS FET
对于高速切换
的2SK2109是一个N沟道纵型MOS场效应管和
是可通过的输出直接驱动开关元件
一个IC工作在5 V.
本产品具有低导通电阻和高超的切换
和DC / DC转换器。
特性，并适用于驱动致动器，例如马达
包装尺寸（单位：mm ）
4.5 ± 0.1
1.6 ± 0.2
2.5 ± 0.1
4.0 ± 0.25
1.5 ± 0.1
0.8分钟。
S
0.42
±0.06
D
G
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 1.0
MAX 。 @V
GS
= 4.0 V，I
D
= 0.3 A
高开关速度
t
on
+ t
关闭
< 100纳秒
低寄生电容
0.42
0.47 ±0.06
1.5 ±0.06
3.0
0.41
+0.03
–0.05
等效电路
漏极（四）
栅极（G ）
栅极保护
二极管
源极（S ）
内部二极管
引脚连接
S：源
D：漏
G：门
标记： NS
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
PW
≤
10毫秒，
占空比
≤
50 %
16厘米
2
×
0.7mm时，所使用的陶瓷基片
V
GS
= 0
V
DS
= 0
测试条件
等级
60
±20
±0.5
±1.0
单位
V
V
A
A
总功耗
通道温度
储存温度
P
T
T
ch
T
英镑
2.0
150
-55到+150
W
C
C
一号文件D11229EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期1996年P月
日本印刷
1996
2SK2109
电气特性（T
A
= 25 C)
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
|y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 25 V，I
D
= 0.3 A
V
GS （ ON）
= 10 V ，R
G
= 10
R
L
= 83
测试条件
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.3 A
V
GS
= 4.0 V，I
D
=0.3 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.3 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1.0 MHz的
0.8
0.4
0.55
0.41
111
55
19
2.2
1.5
35
19
1.0
0.8
1.5
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
±10
2.0
单位
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
2
2SK2109
典型特征（T
A
= 25 C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
100
10
5
d
T
- 降额因子 - ％
正向偏置安全工作区
80
I
D
- 漏电流 - 一个
60
2
1
0.5
DC
40
10
1m
s
m
s
PW
20
0.2
单脉冲
0
0.1
30
60
90
120
T
A
- 环境温度 - C
150
0
2
=
10
0
m
s
5
10
20
50
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
100
10 V
1.0
漏电流与
漏源极电压
1
10 V
3.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
传输特性
V
DS
= 10 V
0.8
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
2.5 V
0.1
T
A
= 75 C
25 C
–25 C
0.01
0.6
0.4
0.001
0.2
V
GS
= 2.0 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
2.0
0.0001
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
3
10
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
正向转移导纳主场迎战
漏电流
V
DS
= 10 V
漏极至源极导通电阻
与漏电流
1
V
GS
= 4 V
T
A
= 75 C
25 C
0.5
–25 C
1
T
A
= –25 C
25 C
75 C
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
I
D
- 漏电流 - 一个
1
0
0.01
0.1
1
I
D
- 漏电流 - 一个
10
3
2SK2109
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
1
V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
与门源电压
1.5
I
D
= 0.3 A
1
T
A
= 75 C
0.5
25 C
–25 C
0.5
0
0.01
0.1
1
10
0
I
D
- 漏电流 - 一个
5
10
15
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
20
电容与
漏源极电压
500
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
开关特性
50
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
200
100
50
C
OSS
20
C
RSS
10
5
0.1
t
D（关闭）
20
10
t
f
t
r
C
国际空间站
5
t
D（上）
2
V
DD
= 25 V
V
GS （ ON）
= 10 V
1
0.5
0.1
0.2
1
0.5
I
D
- 漏电流 - 一个
2
5
0.2
2
5 10 20
0.5 1
50 100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
源极到漏极二极管
正向电压
1
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.2
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
1
4
2SK2109
参考
文件名称
NEC半导体设备可靠性/质量控制系统
质量等级NEC半导体设备
半导体设备安装技术手册
先导，以质量为保证半导体器件
半导体选择指南
文档编号
TEI-1202
IEI-1209
C10535E
MEI-1202
X10679E
5
SMD型
SMD型
IC
产品speci fi cation
2SK2109
SOT-89
单位：mm
+0.1
1.50
-0.1
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 1.0 MAX 。 @ V
GS
=4.0V,I
D
=0.3A
高开关速度
+0.1
4.50
-0.1
1.80
+0.1
-0.1
+0.1
2.50
-0.1
1
+0.1
0.48
-0.1
2
3
+0.1
0.80
-0.1
+0.1
0.53
-0.1
+0.1
0.44
-0.1
+0.1
2.60
-0.1
+0.1
4.00
-0.1
3.00
+0.1
-0.1
+0.1
0.40
-0.1
1.基地
1.源
2.收集
2.漏
3. Emiitter
3.门
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
P
D
T
ch
T
英镑
等级
60
20
0.5
1.0
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
tf
I
D
=0.3A,V
GS （ ON）
=10V,R
L
=83 ,R
G
=10
,V
DD
=25V
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
Testconditons
V
DS
=60V,V
GS
=0
V
GS
= 20V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=0.3A
V
GS
=4.0V,I
D
=0.3A
V
GS
=10V,I
D
=0.3A
0.8
0.4
0.55
0.41
111
55
19
2.2
1.5
35
19
1.0
0.8
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
1.5
民
典型值
最大
1.0
10
2.0
单位
A
nA
V
S
记号
记号
NS
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
查看更多2SK2109PDF信息
推荐型号
2SB0932P
2MBI200NB-120
2SC5300
2SB0929AP
2SC4536QR
2SA1459K
2SA1745
22-28-3178
2SD2028
25AA640A-I/MS
2690RD15
22-28-4076
2SA766
2026-6012-20
2SJ240
200YXF68M16X25
259628
2256R-48L
22-28-2168
2B125-48S12
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK2109
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
2SK2109
RENESAS
2019
79600
SOT-89
原装正品 钻石品质 假一赔十
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
2SK2109
NEC/RENESAS
21+22+
27000
SOT-89
原装正品
深圳市金亿泰电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：247773782 复制

电话：755-83252273
联系人：郑
地址：中航路新亚洲二期N3D039
2SK2109
NEC
18+
16238
SOT-89
房间现货原装低价
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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NEC
2443+
23000
SOT-89
一级代理专营，原装现货，价格优势
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电话：0755-23914006/18318877587
联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
2SK2109
NEC
24+
21000
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话：18926544209/18025435189
联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
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联系人：销售部1部
地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
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联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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VB
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联系人：王云
地址：深圳市华强北上步204栋五楼520室
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2425+
12127
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