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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA766
描述
·采用TO- 66封装
·高功耗
·补键入2SC1450
应用
·线式垂直偏转输出
·中等功率放大器
钉扎(参照图2)
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
080
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-150
-150
-5
-0.4
-1.2
20
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -0.2A为:L = 25mH ,R
BE
=5k=
I
E
= -1mA ,我
C
=0
I
C
= -1A ;我
B
=-0.1A
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -60V ;我
E
=0
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
I
E
= 0.1A ; V
CB
=-10V
35
35
15
-150
-5
典型值。
2SA766
符号
V
CEO ( SUS )
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BE-1
V
BE-2
I
CBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
最大
单位
V
V
-1.0
-0.8
-1.0
-30
150
V
V
V
A
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA766
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA766
描述
·带
TO- 66封装
功耗
.Complement
键入2SC1450
应用
·线操作
垂直偏转输出
Medium
功率放大器
钉扎(参照图2)
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
≤80℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-150
-150
-5
-0.4
-1.2
20
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
CEO ( SUS )
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BE-1
V
BE-2
I
CBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -0.2A为:L = 25mH ,R
BE
=5kΩ
I
E
= -1mA ,我
C
=0
I
C
= -1A ;我
B
=-0.1A
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -60V ;我
E
=0
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
I
E
= 0.1A ; V
CB
=-10V
35
35
15
-150
-5
典型值。
2SA766
最大
单位
V
V
-1.0
-0.8
-1.0
-30
150
V
V
V
μA
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA766
图2外形尺寸
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA766
描述
·带
TO- 66封装
功耗
.Complement
键入2SC1450
应用
·线操作
垂直偏转输出
Medium
功率放大器
钉扎(参照图2)
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
≤80℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-150
-150
-5
-0.4
-1.2
20
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
CEO ( SUS )
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BE-1
V
BE-2
I
CBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -0.2A为:L = 25mH ,R
BE
=5kΩ
I
E
= -1mA ,我
C
=0
I
C
= -1A ;我
B
=-0.1A
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -60V ;我
E
=0
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
I
E
= 0.1A ; V
CB
=-10V
35
35
15
-150
-5
典型值。
2SA766
最大
单位
V
V
-1.0
-0.8
-1.0
-30
150
V
V
V
μA
兆赫
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA766
图2外形尺寸
3
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    联系人:杨小姐
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    -
    -
    -
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联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SA766
FAIRCHILD/仙童
2443+
23000
TO-66
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电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
2SA766
FAIRCHILD/仙童
24+
32000
TO-66
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
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2024
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√ 欧美㊣品
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