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2SK2084 （L） 2SK2084 （S）
硅N沟道MOS FET
REJ03G0995-0200
（上一个： ADE- 208-1342 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动
适用于开关稳压器，直流 - 直流转换器
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -B
（包名称： DPAK （ L） - （ 2 ） ）
4
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -C
（包名称： DPAK （ S） ）
4
G
1
2
3
D
1.门
2.漏
3.源
4.漏
1
2 3
S
Rev.2.00 2005年9月7日第1页7
2SK2084 （L） 2SK2084 （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤10 s,
占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25
°
C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
20
±20
7
28
7
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
20
±20
—
—
1.0
—
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.04
0.058
9
800
680
165
15
60
100
80
0.9
80
最大
—
—
±10
100
2.5
0.053
0.075
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V*
3
I
D
= 4 A，V
GS
= 4 V*
3
I
D
= 4 A，V
DS
= 10 V*
3
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 5
I
F
= 7 A，V
GS
= 0
I
F
= 7 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 20 A /
s
Rev.2.00 2005年9月7日第2 7
2SK2084 （L） 2SK2084 （S）
主要特点
功率与温度降额
40
50
30
最高安全工作区
10
s
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
30
10
3
1
20
1
m
s
10
ms
D
(1
（T C 0
sh
C = PE
OT ）
操作
25慧慧
这个区域是
°
C对
限于由R
DS （ ON）
)
=
PW
100
s
10
0.3
TA = 25°C
0
50
100
150
200
0.1
0.3
1
3
10
30
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
20
10 V
6V
4V
脉冲测试
20
典型的传输特性
漏电流I
D
(A)
3.5 V
12
漏电流I
D
(A)
16
16
V
DS
= 10 V
脉冲测试
12
8
3V
4
V
GS
= 2.5 V
8
TC = 75℃
25°C
–25°C
1
2
3
4
5
4
0
2
4
6
8
10
0
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
0.5
脉冲测试
0.4
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
0.2
脉冲测试
0.1
V
GS
= 4 V
0.3
I
D
= 5 A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
0.05
10 V
0.2
2A
1A
0
2
4
6
8
10
0.1
0.02
0.01
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页7
2SK2084 （L） 2SK2084 （S）
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
y
fs
(S)
0.20
脉冲测试
0.16
20
10
5
TC = -25°C
25°C
75°C
V
DS
= 10 V
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
与漏电流
0.12
V
GS
= 4 V
5A
1A
2A
1A
2A
5A
80
120
160
0.08
2
1
0.5
0.1
0.04
10 V
0
–40
0
40
0.2
0.5
1
2
5
10
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
200
10000
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
反向恢复时间trr （ NS ）
100
电容C （PF ）
1000
西塞
科斯
50
的di / dt = 20A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
100
CRSS
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
20
10
0.1
10
0.2
0.5
1
2
5
10
0
4
8
12
16
20
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
50
20
200
开关特性
TD （关闭）
V
DD
= 20 V
10 V
5V
开关时间t（ NS ）
40
V
GS
16
100
tf
V
GS
= 10 V
V
DD
= 20 V
PW = 5
s
值班< 1 ％
tr
TD （上）
30
V
DS
12
50
20
8
10
V
DD
= 20 V
10 V
5V
4
0
40
20
0
8
16
24
32
10
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 7
2SK2084 （L） 2SK2084 （S）
反向漏电流 -
源极到漏极电压
20
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
16
10 V
5V
12
V
GS
= 0, –5 V
8
4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
S
(t)
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.02
1
0.0
0.1
θch
- C （T ） =
γs
(t)
θch
– c
θch
- C = 6.25 ° C / W ，TC = 25°C
u
tP
LSE
PDM
PW
T
D=
0.03
1s
ho
PW
T
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
RL
V
DD
= 20 V
90%
TD （上）
90%
TD （关闭）
tf
VIN
VOUT
VIN
10 V
50
VOUT
MONITOR
10%
10%
10%
波形
90%
tr
Rev.2.00 2005年9月7日第5 7
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29F004B-55
259283
2SA1470S
255351
2SD1640R
27-0250G
295S824F103A21
27T223C
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