解锁旁路模式的秘密

应用说明

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规格连续性

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订购零件编号的连续性

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欲了解更多信息

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公开号

22281

调整

A

修订

0

发行日期

1998年11月1日

解锁旁路模式的秘密

应用说明

本文档介绍了所提供的功能

解锁旁路模式，并展示了研华

每日新闻（和缺点），使用旁路模式的

执行批量编程操作。

解锁绕道命令

旁路模式是一个三总线周期操作。首先，一

双总线周期解锁序列被写入部分

（在上一节中详细描述） ，然后将数据0x20的是

写入部分（地址不关心） 。而在绕道

模式中，只有解锁绕道程序和解锁附例

通过复位命令是有效的。闪存设备会

拒绝所有其他的编程（或总线）序列。

要设定一个字节（或字） ，这两个总线周期解锁

绕道程序命令写入。它包括一个

0XA0的单总线写周期（地址不关心）时，请按照

通过该程序数据lowed和预期的偏移量。

整个系统总线周期由四个周期缩短

于两个。从系统总线的观点来看，总的字节（或

字）的编程总线通信量减少50％ 。

从旁路模式退出时，系统必须发出

2总线周期解锁绕道复位命令， per-

通过写0x90处形成（地址不关心）到

装置。写入的数据为0x00 （地址不关心）到

装置完成复位命令，返回

部分读取阵列的数据。

AMD闪存编程操作

AMD的闪存器件的编程AC-

通过4总线周期序列complished 。这

序列需要编写两个解锁命令到

装置。首先，数据和0xAA （十六进制）被写入到闪存

胶印0xAAA 。第二，该数据将0x55写入到离

设置0x555 。这两种循环解锁序列使

闪光状态机接受程序命令

遵循。

软件驱动程序，然后写程序命令

0XA0抵消0xAAA 。下一个总线周期包含

数据编程到器件中，以及所希望的

抵消。闪光灯状态机然后将此数据写入

使用嵌入式算法。一旦完成，

闪存设备返回到读取阵列数据。

的旁路模式的目的是为了加速的编程

明的操作除去未锁定条件

在编程一个字节（或字，根据前

的闪光操作模式）。当闪光灯被放置

进入旁路模式，亲的只有两个总线周期

克命令都需要进行编程，在任何位置

在Flash中，从而降低了总的软件/硬件

开销来执行编程操作。

旁路模式并非适用于所有AMD的闪存设备。

只有低电压器件生产采用AMD的

0.35微米制程技术（或更小）包含本

功能。含一个“B”处的树突的终端设备

sity标识表示此过程中技术（

例如， AM29LV800B ） 。

注意：

在“B”标志不应该与混淆

底部引导标识。较旧的引导块设备也将

包含一个“B”处的密度指定的末尾，以表示

该装置具有底部引导扇区的组织。新

0.35微米（或更小）的设备将包含在一个附加的“B”

除了引导扇区组织（例如

Am29DL800BB或Am29DL800BT ） 。

优势和解锁的缺点

旁路模式

采用旁路模式是最合适的时候

大量数据的大容量编程到一个动画

装置。这种情况经常发生，当闪存设备

在制造过程中预先设定。使用旁路

模式可以提供一个可衡量的总体规划

当整个器件进行编程时间缩短。

为了说明这个原理，考虑下面的方程：

总时间编程一个字节/字=

（N * T

公共汽车

*循环

写

) + t

WHWH1

其中，N =由闪存设备所需的总线周期数

（4或2 ，取决于旁路模式）

t

公共汽车

=闪存总线时钟周期

周期

写

=系统/处理器总线周期数再

需要准备一个写操作

t

WHWH1

=时间来执行嵌入式程序算法

（在AMD表所列）

出版＃

22281

启：

A

Amendment/0

发行日期：

1998年11月

8-31

例如，一个Am29LV800BB - 90EI （ 8兆比特）的设备是

检查，结合一个12个时钟周期写入亲

处理器工作在33MHz 。使用典型的数据表

参数，所需的理论时间编程一个

在系统内编程的一个字节（或字）是：

（ 4 * 12 * 30纳秒） + 9微秒= 10.44微秒/字节

■

用16K的缓存恩AMD 486处理器DX4-120

体健。

■

120 MHz的处理器核心， 40 MHz的局部总线， 33 MHz的

PCI总线

■

等待的3-1-1-1状态设置

该闪存定位于PCI总线的地址空间，

和Flash器件工作在16位字模式。

整个正常模式编程（在系统）

8Mbit的设备所需15.21秒和旁路模式

需要15.1秒，产生的总储蓄的1 ％

（或11毫秒）。结果在特定的系统将有很大的不同

给出以上概述的上述系统的考虑。

使用一个数据I / O的PSX SE-进行相同的测试

里斯的程序员，在正常和旁路模式。

时间到同一AM29LV800B设备方案

由96秒缩短到56秒时，产生了

27.4 ％的跌幅在整个编程的时间。

也有一些小缺点经营

旁路模式。由于所有的命令序列等

比解锁绕道复位和器件复位

命令在此模式下禁用，这是neces-

萨利执行任何之前退出旁路模式

其它操作。这复杂的系统编程

明，因为命令如自选

序列，扇区擦除或擦除挂起没有

不再接受。在进入时必须小心练

旁路模式，制剂如可能致残

中断，并执行所有需要的部门纠删

之前，旁路模式的编程可以是合适的。

采用旁路模式，结果就变成了：

（ 2 * 12 * 30纳秒） + 9微秒= 9.72微秒/字节

这导致在一个6.9 ％的总理论还原

编程时，或每字节720纳秒。因此，对于这8个

兆位的设备，全面减少时间0.75秒

（或750毫秒）。

注意：

上述计算假设零等待状态，零

总线访问延迟，零保证金制度，指令缓存

化读取） 。

当批量编程使用商业编程

明装置，典型的总线周期的延迟要高得多

（这是由于高电压的内部总线延迟

编程器，其状态的内部延迟

机） 。在一个给定的微秒总线周期时序

分辨率，所观察到的时间可以节省显

着较高。

假设1微秒总线周期（单总线操作

循环写入时序，以1微秒的时钟周期），则

上述公式变为：

（4 * 1 * 1微秒）+ 9微秒= 13微秒/字节

采用旁路模式，结果就变成了：

（2 * 1 * 1微秒）+ 9微秒= 11微秒/字节

这导致了在平均15 ％的理论还原

字节编程时间，或每字节2微秒。对于一个8兆比特

装置中，总体上减少时间为2.1秒。

注意：

商用编程有很大的不同操作

的特点。单个程序员的结果会有所不同

广泛的理论计算。

结论

解锁绕道模式可以用来显著DE-

折痕批量编程AMD闪存设备，

特别是在高总线延迟系统例如计算

商用程序员。在利用低延迟的系统，

缓存的总线操作的时间减少是measur-

能，但不显著。

在一般情况下，由于需要处理的写入数

周期增加时，以及作为写入的速度操作

化降低，效益（无论从下跌

解锁附例的整体设备批量编程时）

通过模式增加。

实际时间减少取决于几个外交事务委员会

器，包括处理器速度，等待状态，指令

取周期（其可以是基本上为零proces-

与缓存感器） ， flash命令写入指令

执行周期，总线速度时，内存不

驻留在同一处理器总线等上。在一个典型的系

TEM环境的实际编程时间8

兆Am29LV800BB - 90EI闪存器件测量

在正常和字节解锁模式。该系统恩

vironment物组成：

8-32

解锁旁路模式的秘密