【2SK2075硅N沟道MOS FETADE-208-0741日。版应用高速电源开关特点低导通电阻高速】,IC型号2SK2075,2SK2075 PDF资料,2SK2075经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK2075

硅N沟道MOS FET

ADE-208-074

1日。版

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

无二次击穿

适用于开关稳压器

概要

TO-3P

1.门

2.漏

（法兰）

3.源

2SK2075

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项1. PW

≤

占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25℃

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

PCH *

总胆固醇

TSTG

评级

250

±30

100

150

-55到+150

单位

°C

2SK2075

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

民

250

±30

—

2.0

—

典型值

—

0.105

2400

970

145

110

220

1.3

330

最大

—

±10

250

3.0

0.13

—

单位

= 20 A，V

= 0

= 20 A，V

= 0,

/ DT = 100 A /

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

±100 A,

= 0

±25

V, V

= 0

= 200 V, V

= 0

= 1毫安， V

= 10 V

= 10 A

= 10 V*

= 10 A

= 10 V*

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

= 10 A

= 10 V

= 3

零栅极电压漏极电流I

DSS

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

记

1.脉冲测试

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

2SK2075

功率与温度降额

160

P沟（W）的

(A)

100

0.3

TA = 25

°C

0.1

100

150

TC （ ℃）

200

外壳温度

100 300 1000

漏极至源极电压V

(V)

最高安全工作区

操作

这个区域是

)

限于由R

DS （ ON）

120

TIO

散热通道

漏电流

)

典型的输出特性

脉冲测试

(A)

10 V

(A)

典型的传输特性

= 10 V

脉冲测试

漏电流

–25 °C

TC = 25℃

75 °C

4.5 V

= 4 V

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

2SK2075

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(

)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

脉冲测试

0.5

0.2

0.1

= 15 V

10 20

漏电流I

(A)

100

10 V

漏源极电压

= 20 A

10 A

栅极至源极电压

(V)

0.05

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(

)

脉冲测试

0.4

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.5

100

0.3

0.1

正向转移导纳主场迎战

漏电流

–25 °C

TC = 25℃

75 °C

0.3

= 20 A

0.2

0.1

–40

10 A

= 10 V

脉冲测试

0.3

100

120

160

壳温度（ ° C）

漏电流I

(A)

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