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动力F- MOS场效应管

2SK1478

硅N沟道功率的F- MOS FET

特点

低导通电阻R

DS （ ON）

: R

DS （ ON）

= 0.4Ω （ TYP。）

高速开关：吨

= 44ns （典型值）。

无二次击穿

高击穿电压，大允许功耗

单位：mm

0.7±0.1

10.0±0.2

5.5±0.2

2.7±0.2

4.2±0.2

7.5±0.2

应用

非接触式继电器

潜水电路为一个螺线管

驱动电路，一个马达

控制设备

开关电源

16.7±0.3

φ3.1±0.1

4.0

1.4±0.1

1.3±0.2

14.0±0.5

浸焊

0.5

+0.2

–0.1

0.8±0.1

2.54±0.25

绝对最大额定值

= 25°C)

参数

漏源击穿电压

栅极至源极电压

漏电流

允许功率

耗散

通道温度

储存温度

脉冲

= 25°C

TA = 25°C

符号

DSS

GSS

英镑

评级

250

±20

±8

±16

150

+150

单位

°C

5.08±0.5

1 ：门

2 ：排水

3 ：源

EIAJ ： SC- 67

TO- 220全包套餐（一）

电气特性

= 25°C)

参数

漏极到源极截止电流

门源漏电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏极至源极导通电阻

正向转移导纳

符号

DSS

GSS

DSS

DS （ ON）

| Y

OSS

D（关闭）

条件

= 200V, V

= 0

= ±20V, V

= 0

= 1mA时， V

= 0

= 25V ，我

= 1毫安

= 10V ，我

= 5A

= 25V ，我

= 5A

= 10V, V

= 0中，f = 1MHz的

2.7

250

0.4

4.7

1100

200

= 10V ，我

= 5A

= 100V ，R

= 20

136

0.6

民

典型值

最大

0.1

±1

单位

输入电容（共源）C

国际空间站

输出电容（共源）

反向传输电容（共源）C

RSS

开启时间

下降时间

关断时间（延迟时间）

动力F- MOS场效应管

2SK1478

| Y

正向转移导纳| Y

| (S)

DS （ ON）

=10V

=25C

漏源导通电阻R

DS （ ON）

(

)

0.6

=10V

=25C

0.5

=25C

漏电流I

(A)

=10V

0.4

0.3

0.2

0.1

漏极至源极电压V

(V)

漏电流I

(A)

漏电流I

(A)

输入电容（共源），输出电容（共源）

反向传输电容（共源）C

国际空间站

OSS

RSS

（PF ）

=10V

=25C

10000

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

300

f=1MHz

=25C

, t

D（关闭）

=100V

=10V

=25C

开关时间t

D（关闭）

（纳秒）

3000

1000

300

100

150

250

漏电流I

(A)

国际空间站

200

D（关闭）

OSS

RSS

150

100

200

250

栅极至源极电压V

(V)

漏极至源极电压V

(V)

漏电流I

(A)

安全操作区（ ASO ）

100

非重复脉冲

=25C

t=100s

1ms

允许功耗P

(W)

(1) T

= TA

（2）不带散热片

=2W)

(1)

漏电流I

(A)

0.3

0.1

0.03

100ms

10ms

(2)

80 100 120 140 160

0.01

100

300

1000

环境温度Ta （C ）

漏极至源极电压V

(V)

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