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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第67页 > 2SK1933
2SK1933
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
无二次击穿
适用于开关稳压器
概要
TO-3P
D
G
1
2
3
1.门
2.漏
S
（法兰）
3.源
2SK1933
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项1. PW
≤
10
s,
占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
900
±30
10
30
10
150
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
2
2SK1933
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
民
900
±30
—
—
2.0
—
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.9
7
2620
830
320
30
140
285
170
0.9
1600
最大
—
—
±10
250
3.0
1.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 10 A，V
GS
= 0
I
F
= 10 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A /
s
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 720 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V*
1
I
D
= 5 A
V
DS
= 20 V*
1
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 6
零栅极电压漏极电流I
DSS
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
身体TP漏二极管的反向
恢复时间
记
1.脉冲测试
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
3
2SK1933
功率与温度降额
150
通道耗散P沟（W）的
最高安全工作区
50
30
漏电流I
D
(A)
10
L I M | N运算
伊特这个时代
D A TI
由R简
R a是
D
S
(o
n)
10
s
0
10
s
PW
=
1
m
s
100
D
C
10
3
1
0.3
0.1
m
s
(1
Sh
ot
ra
pe
O
n
TIO
(T
c
=
)
50
°C
25
)
0.05
0
50
100
150
1
3
10
30
100
300 1000
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
10
10 V
漏电流I
D
(A)
8
5V
6
4
4V
2
V
GS
= 3.5 V
0
10
20
30
40
50
6V
漏电流I
D
(A)
典型的传输特性
10
脉冲测试
V
DS
= 20 V
8
6
4
2
脉冲测试
TC = 25°C
75°C
–25°C
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
4
2SK1933
漏极至源极饱和电压
与门源电压
1.0
漏极至源极饱和
电压V
DS
（上） （V）的
0.8
0.6
5A
0.4
0.2
2A
I
D
= 1 A
0
4
8
12
16
20
脉冲测试
静态漏源导通状态
电阻R
DS
（上）（
)
10
5
脉冲测试
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
2
1
0.5
0.2
0.1
0.5
V
GS
= 10 V
1
2
5
10
20
50
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
静态漏源导通状态
电阻与温度
2.5
静态漏源导通状态
Resestance
DS
（上）（
)
2
1.5
1
0.5
0
–40
脉冲测试
V
GS
= 10 V
I
D
= 5 A
2A
1A
50
正向转移导纳
| Y FS | （ S）
20
10
5
2
1
正向转移导纳
与漏电流
脉冲测试
V
DS
= 20 V
TC = 25°C
–25°C
75°C
0
40
80
120
160
0.5
0.1
0.2
壳温度（ ° C）
0.5
1
2
5
漏电流I
D
(A)
10
5
2SK1933
硅N沟道MOS FET
REJ03G0984-0300
（上一个： ADE- 208-1332 ）
Rev.3.00
2006年4月27日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
无二次击穿
适用于开关稳压器
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZE -A
（包名称： TO- 3P ）
D
G
1.门
2.漏
（法兰）
3.源
S
3
1
2
Rev.3.00 2006年4月27日第1页6
2SK1933
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25
°
C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
900
±30
10
30
10
150
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向
恢复时间
注：1，脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
900
±30
—
—
2.0
—
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.9
7
2620
830
320
30
140
285
170
0.9
1600
最大
—
—
±10
250
3.0
1.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 720 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 5 A，V
GS
= 10 V*
1
I
D
= 5 A，V
DS
= 20 V*
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 5 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 6
I
F
= 10 A，V
GS
= 0
I
F
= 10 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
Rev.3.00 2006年4月27日第2页6
2SK1933
主要特点
功率与温度降额
200
50
30
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
10
s
0
10
漏电流I
D
(A)
L I M在运
伊特这个时代
D A吨IO
通过重新
R a是
D
S
(o
n)
150
10
D
C
s
PW
=
10
1
s
m
3
1
0.3
0.1
0.05
s
m
O
TIO
ra
pe
100
(1
Sh
ot
)
n
c
(T
=
°
C
25
50
)
0
50
100
150
200
1
3
10
30
100
300 1000
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
10
10 V
6V
5V
6
4
4V
2
V
GS
= 3.5 V
0
10
20
30
40
50
0
10
典型的传输特性
脉冲测试
V
DS
= 20 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
8
8
6
4
2
TC = 25°C
75°C
–25°C
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
1.0
0.8
0.6
5A
0.4
0.2
2A
I
D
= 1 A
0
4
8
12
16
20
脉冲测试
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
10
5
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
2
1
0.5
0.2
0.1
0.5
V
GS
= 10 V
1
2
5
10
20
50
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00 2006年4月27日第3页6
2SK1933
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
y
fs
(S)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
–40
脉冲测试
V
GS
= 10 V
I
D
= 5 A
2A
1A
50
20
10
5
2
1
0.5
0.1
TC = 25°C
–25°C
75°C
脉冲测试
V
DS
= 20 V
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
与漏电流
0
40
80
120
160
0.2
0.5
1
2
5
10
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
5000
10000
漏电流I
D
(A)
典型电容
与漏极至源极电压
反向恢复时间trr （ NS ）
电容C （PF ）
2000
1000
500
200
100
50
0.1
西塞
1000
科斯
的di / dt = 100 A /
S，V
GS
= 0
TA = 25°C
100
CRSS
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
0.2
0.5
1
2
5
10
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
V
GS
V
DD
= 250 V
400 V
600 V
V
DS
I
D
= 8 A
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
20
16
12
8
4
0
500
TD （关闭）
1000
800
600
400
200
开关时间t（ NS ）
200
100
50
20
10
5
0.2
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 5
s,
税
≤
1 %
tf
tr
TD （上）
V
DD
= 250 V
400 V
600 V
40
80
120
160
200
0
0.5
1
2
5
10
20
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00 2006年4月27日第4 6
2SK1933
反向漏电流 -
源极到漏极电压
10
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
8
6
4
2
V
GS
= 10 V
0, –5 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
源极到漏极电压V
SD
(V)
归瞬态热阻抗
γ
S
(t)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
D=1
0.5
0.3
0.1
0.2
0.1
T
C
= 25°C
1.0
0.05
0.02
θch -C
(t) =
γ
S
(t) ·
θch -C
θch -C
= 0.83 ° C / W ，T
C
= 25°C
P
DM
se
0.03
0.01
1S
h
ul
OT P
T
100
1m
10 m
100 m
PW
1
D = PW
T
0.01
10
10
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
VOUT监控
D.U.T
R
L
50
VIN
10 V
VIN
VOUT
10%
10%
波形
90%
10%
90%
t
D（关闭）
V
DD
.
= 30 V
.
t
D（上）
90%
t
r
t
f
Rev.3.00 2006年4月27日第5 6
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2032-6350-00
22-02-3203
2020-6627-20
2359
2SK3695-01
2-1437659-0
2SD2118Q
290LX
2SD1266AP
235FN11-116
24LC02BTE/SNG
27LV256-30/VS
2SJ607-Z
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2SK2333
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2N3326
20021444-00068T8LF
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    2SK1933
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瑞萨RENESA
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VB
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HITACHI/日立
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21000
TO-3P
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SK1933
HITACHI/日立
2024
20918
TO3P
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
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