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SMD型
晶体管
NPN型三重扩散平面硅晶体管
2SC4598
TO
-
263
特点
表面贴装型器件进行以下可能的。
降低制造过程的数目
为2SC4598 -应用设备。
+ .2
8 .7
-00.2
+ .1
1 .2 7
-00.1
单位：mm
1.27
+0.2
4.57
-0.2
+0.1
-0.1
高密度表面贴装应用。
对2SC4598 -应用设备体积小。
高的击穿电压，可靠性高。
+0.1
1.27
-0.1
0.1max
+0.1
0.81
-0.1
广ASO 。
通过MBIT过程。
+0.2
2.54
-0.2
+0.1
5.08
-0.1
2.54
+ .2
2 .5 4
-00.2
快速开关速度。
+ .2
5 .2 8
-00.2
+ .2
1 5 .2 5
-00.2
+0.2
0.4
-0.2
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（DC）的
集电极电流（脉冲） *
基极电流
集电极耗散功率
TA = 25
T
C
= 25
结温
存储温度范围
* PW
300毫秒，占空比10 ％
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
等级
500
400
7
7
14
3
1.65
50
150
-55到+150
A
W
单位
V
V
V
A
5 .6 0
1,Base
2,Collector
3,Emitter
www.kexin.com.cn
1
SMD型
2SC4598
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= 400 V，I
E
= 0
V
EB
= 5 V，I
C
= 0
V
CE
= 5 V，I
C
= 0.8A
直流电流增益
h
FE
V
CE
= 5 V，I
C
= 4A
V
CE
= 5 V，I
C
=10mA
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极维持电压
开启时间
贮存时间
下降时间
fT
COB
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CEX （ SUS）的
吨
t
英镑
t
f
I
C
=3A,I
B1
=0.6A,I
B2
=-1.2A,R
L
=66.6
,V
CC
=200V
V
CE
= 10 V，I
C
=0.8A
V
CB
=10V,f=1MHz
I
C
= 4 A，I
B
= 0.8 A
I
C
= 4 A，I
B
= 0.8 A
I
C
= 1毫安，我
E
= 0
I
C
= 5毫安， RBE =
I
E
=1mA,I
C
=0
I
C
=3A,I
B1
=0.3A,L=1mH,I
B2
=-1.2A
15
10
10
晶体管
民
典型值
最大
10
10
50
单位
ìA
ìA
20
80
0.8
1.5
500
400
7
400
0.5
2.5
0.3
兆赫
pF
V
V
V
V
V
V
ìs
开关时间测试电路
h
FE
分类
秩
的hFE
L
15至30
M
20至40
N
30至50
2
www.kexin.com.cn
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SC4598
TO
-
263
特点
表面贴装型器件进行以下可能的。
降低制造过程的数目
为2SC4598 -应用设备。
+ .2
8 .7
-00.2
+ .1
1 .2 7
-00.1
单位：mm
1.27
+0.2
4.57
-0.2
+0.1
-0.1
高密度表面贴装应用。
对2SC4598 -应用设备体积小。
高的击穿电压，可靠性高。
+0.1
1.27
-0.1
0.1max
+0.1
0.81
-0.1
广ASO 。
通过MBIT过程。
+0.2
2.54
-0.2
+0.1
5.08
-0.1
2.54
+ .2
2 .5 4
-00.2
快速开关速度。
+ .2
5 .2 8
-00.2
+ .2
1 5 .2 5
-00.2
+0.2
0.4
-0.2
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（DC）的
集电极电流（脉冲） *
基极电流
集电极耗散功率
TA = 25
T
C
= 25
结温
存储温度范围
* PW
300毫秒，占空比10 ％
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
等级
500
400
7
7
14
3
1.65
50
150
-55到+150
A
W
单位
V
V
V
A
5 .6 0
1,Base
2,Collector
3,Emitter
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SC4598
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= 400 V，I
E
= 0
V
EB
= 5 V，I
C
= 0
V
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= 5 V，I
C
= 0.8A
直流电流增益
h
FE
V
CE
= 5 V，I
C
= 4A
V
CE
= 5 V，I
C
=10mA
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极维持电压
开启时间
贮存时间
下降时间
fT
COB
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CEX （ SUS）的
吨
t
英镑
t
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I
C
=3A,I
B1
=0.6A,I
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=-1.2A,R
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=66.6
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CC
=200V
V
CE
= 10 V，I
C
=0.8A
V
CB
=10V,f=1MHz
I
C
= 4 A，I
B
= 0.8 A
I
C
= 4 A，I
B
= 0.8 A
I
C
= 1毫安，我
E
= 0
I
C
= 5毫安， RBE =
I
E
=1mA,I
C
=0
I
C
=3A,I
B1
=0.3A,L=1mH,I
B2
=-1.2A
500
400
7
400
0.5
2.5
0.3
ìs
15
10
10
20
80
0.8
1.5
兆赫
pF
V
V
V
V
V
V
民
典型值
最大
10
10
50
单位
ìA
ìA
开关时间测试电路
h
FE
分类
秩
的hFE
L
15至30
M
20至40
N
30至50
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235FN11-116
2SK1933
24LC02BTE/SNG
27LV256-30/VS
2SJ607-Z
2SK2333
26PCDFA6G
22PCFFJ2G
2N3326
20021444-00068T8LF
218-997-22-65
246DH2LP11000
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2SC518383R
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