2SK1881-L,S
F- III系列
＆ GT ;产品特点
-
-
-
-
-
HIGH CURRENT
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高正向跨导
N沟道MOS - FET的
60V
0,07
20A
45W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
- 电机控制
- 通用功率放大器
- DC-DC变换器
＆ GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
=20K)
连续漏极电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
V
DGR
I
D
I
D（ PULS ）
V
GS
P
D
T
ch
T
英镑
等级
60
60
20
80
±20
45
150
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
V
W
°C
°C
＆ GT ;等效电路
- 电气特性（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D（上）
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D（关闭）
+t
f
)
连续反向漏电流
脉冲反向漏电流
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
- 热特性
项
热阻
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
I
I
V
t
Q
GSS
DS （ ON）
fs
国际空间站
OSS
RSS
D（上）
r
D（关闭）
f
DR
DRM
SD
rr
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS =
V
GS
V
DS
=60V
T
ch
=25°C
V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
GS
=±20V
V
DS
=0V
I
D
=10A
V
GS
=4V
I
D
=10A
V
GS
=10V
I
D
=10A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=30V
I
D
=20A
V
GS
=10V
R
GS
=25
分钟。
60
1,0
典型值。
1,5
10
0,2
10
0,07
0,05
15
860
300
100
10
40
150
50
马克斯。
2,5
500
1,0
100
0,11
0,07
1300
450
150
15
60
230
80
20
80
1,8
8
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
1,25
60
0,1
单位
V
V
A
mA
nA
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
A
A
V
ns
C
符号
R
第（章-a）的
R
TH（ CH-C ）
测试条件
通道的空气
渠道情况
分钟。
典型值。
马克斯。
125
2,78
单位
° C / W
° C / W
富士
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