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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第467页 > 2SA1127
晶体管
2SC2634
NPN硅外延平面型
对于低频和低噪声放大
补充2SA1127
5.1±0.2
单位：mm
5.0±0.2
4.0±0.2
s
特点
q
q
低噪声电压NV 。
高盼着电流传输比H
FE
.
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
60
55
7
200
100
400
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
13.5±0.5
0.45
–0.1
1.27
+0.2
0.45
–0.1
1.27
+0.2
1 2 3
2.3±0.2
2.54±0.15
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
JEDEC ： TO- 92
EIAJ ： SC- 43A
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
噪声电压
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
NV
条件
V
CB
= 10V ，我
E
= 0
V
CE
= 10V ，我
B
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安
I
CE
= 100mA时我
B
= 10毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 30毫安
V
CB
= 5V ，我
E
= -2mA ， F = 200MHz的
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安，G
V
= 80分贝
R
g
= 100kΩ的，功能= FLAT
200
150
60
55
7
180
700
0.6
1
V
V
兆赫
mV
民
典型值
1
0.01
最大
100
1
单位
nA
A
V
V
V
*
h
FE
等级分类
R
180 ~ 360
S
260 ~ 520
T
360 ~ 700
h
FE
秩
1
晶体管
P
C
- TA
500
120
I
B
= 400μA 350μA的Ta = 25℃
400
100
300A
250A
80
200A
60
100
2SC2634
I
C
— V
CE
120
25C
V
CE
=5V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
Ta=75C
80
–25C
300
150A
60
200
40
100A
40
100
20
50A
20
0
0
40
80
120
160
200
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
Ta=75C
25C
–25C
I
C
/I
B
=10
1000
h
FE
— I
C
400
V
CE
=5V
f
T
— I
E
V
CB
=5V
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
800
过渡频率f
T
（兆赫）
10
30
100
350
300
250
200
150
100
50
600
Ta=75C
400
25C
–25C
200
0.3
1
3
10
30
100
0
0.1
0.3
1
3
0
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
10
8
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
8
7
NF - 我
E
120
V
CE
=5V
R
g
=1k
Ta=25C
NV - 我
C
V
CE
=10V
G
V
=80dB
功能= FLAT
集电极输出电容C
ob
（PF ）
100
噪声系数NF （ dB）的
6
5
4
3
2
1
f=100Hz
噪声电压NV （MV ）
80
6
R
g
=100k
60
22k
40
5k
20
4
2
1kHz
10kHz
–30
–100
–300
–1000
0
1
3
10
30
100
0
–10
0
0.01
0.03
0.1
0.3
1
集电极基极电压V
CB
(V)
发射极电流I
E
(
A
)
集电极电流I
C
（MA ）
2
晶体管
2SA1127
PNP硅外延平面型
对于低频和低噪声放大
补充2SC2634
5.0±0.2
单位：mm
4.0±0.2
q
q
低噪音等特点。
高盼着电流传输比H
FE
.
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
–60
–55
–7
–200
–100
400
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
13.5±0.5
5.1±0.2
s
特点
0.45
–0.1
1.27
+0.2
0.45
–0.1
1.27
+0.2
1 2 3
2.3±0.2
2.54±0.15
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
JEDEC ： TO- 92
EIAJ ： SC- 43A
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
噪声电压
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
NV
条件
V
CB
= -10V ，我
E
= 0
V
CE
= -10V ，我
B
= 0
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -1mA ，我
B
= 0
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CE
= -5V ，我
C
= -2mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -10mA
V
CE
= -1V ，我
C
= -30mA
V
CB
= -5V ，我
E
= 2毫安中，f = 200MHz的
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA ，G
V
= 80分贝
R
g
= 100kΩ的，功能= FLAT
200
150
–60
–55
–7
180
700
– 0.6
–1
V
V
兆赫
mV
民
典型值
–1
– 0.01
最大
–100
–1
单位
nA
A
V
V
V
*
h
FE
等级分类
R
180 ~ 360
S
260 ~ 520
T
360 ~ 700
h
FE
秩
1
晶体管
P
C
- TA
500
–80
Ta=25C
–70
–100
25C
Ta=75C
–80
2SA1127
I
C
— V
CE
–120
V
CE
=–5V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
450
集电极电流I
C
（MA ）
–60
–50
–40
–30
–20
350
300
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
–180A
–160A
–140A
–120A
–100A
–80A
–60A
–40A
集电极电流I
C
（MA ）
400
I
B
=–200A
–25C
–60
–40
–20
–10
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–20A
0
0
– 0.4
– 0.8
–1.2
–1.6
–2.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–100
–30
–10
–3
–1
I
C
/I
B
=10
600
h
FE
— I
C
240
V
CE
=–5V
f
T
— I
E
V
CB
=–5V
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
500
Ta=75C
400
25C
过渡频率f
T
（兆赫）
–10
–30
–100
200
160
300
–25C
120
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.1 – 0.3
25C
Ta=75C
–25C
200
80
100
40
–1
–3
–10
–30
–100
0
– 0.1 – 0.3
0
–1
–3
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
10
100
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
NV - 我
C
V
CE
=–10V
90 G
V
=80dB
功能= FLAT
80
70
60
50
40
30
20
10
0
– 0.01
5k
22k
R
g
=100k
集电极输出电容C
ob
（PF ）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
–1
–3
–10
–30
–100
噪声电压NV （MV ）
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
2
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2SD2469
2N420
23ESA222MMF50NF
22-28-2037
2CTF-V04M-Q24R
2SD234G
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281695-3
2SC945-Y
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2026-6012-10
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    2SA1127
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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深圳市恒达亿科技有限公司
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室（本公司为一般纳税人，可开增票）
2SA1127
MAT
25+
3000
SMD
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
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PANASONIC/松下
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23000
TO-92
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2SA1127
PANASONIC
22+
9210
TO92
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深圳市毅创腾电子科技有限公司
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联系人：张小姐
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2SA1127
MAT
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6200
SMD
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电话：0755-83254070/18680328178
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技工业园4栋9层9B10房
2SA1127
MAT
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19500
SMD
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深圳市芯满林科技有限公司
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2SA1127
PANASONIC/松下
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32000
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百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！
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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SA1127
松下
2024
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SA1127
MAT
21+
8200
SMD
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深圳市金泽顺电子有限公司
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联系人：朱先生／公司可以开13％的税
地址：深圳市福田区华强北振兴路华康大厦2栋211室。
2SA1127
KEC
1545+
12400
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北京首天伟业科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SA1127
MAT
22+
3500
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