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2SK1817-M
F- III系列
＆ GT ;产品特点
-
-
-
-
-
HIGH CURRENT
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高正向跨导
N沟道MOS - FET的
100V
0,08
20A
40W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
- 电机控制
- 通用功率放大器
- DC-DC变换器
＆ GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
连续反向漏电流
栅极 - 源极电压
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D（ PULS ）
I
DR
V
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P
D
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ch
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英镑
＆ GT ;等效电路
等级
100
20
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40
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-55 ~ +150
单位
V
A
A
A
V
W
°C
°C
- 电气特性（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D（上）
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
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D（关闭）
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二极管正向导通电压
反向恢复时间
符号
V
（ BR ） DSS
V
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I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
V
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DSS
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
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=1mA
V
DS
=100V
V
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=0V
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I
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I
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100
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2,5
500
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1,83
单位
V
V
A
mA
nA
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ns
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ns
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OSS
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GS
=0V
- 二
F
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ch
=25°C
- 热特性
项
热阻
符号
R
第（章-a）的
R
TH（ CH-C ）
测试条件
通道的空气
渠道情况
分钟。
典型值。
马克斯。
62,5
3,125
单位
° C / W
° C / W
富士电机有限公司; Lyoner大街26 ; D- 60528法兰克福;联系电话： 069-66 90 29-0 ;传真： 069-66 90 29-56
N沟道MOS - FET的
100V
0,08
2SK1817-M
F- III系列
漏源导通电阻与T
ch
典型的传输特性
20A
40W
＆ GT ;特色
典型的输出特性
↑
I
D
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1
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R
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2
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3
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DS
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→
T
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[°C]
→
V
GS
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典型的漏源导通状态，电阻与我
D
典型正向跨导与我
D
栅极阈值电压与T
ch
↑
R
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4
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5
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V
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→
I
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→
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ch
[°C]
→
典型的电容与V
DS
典型输入充电
反向二极管的正向特性
↑
C [ nF的]
7
↑
V
DS
[V]
8
↑
V
GS
[V]
↑
I
F
[A]
9
V
DS
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→
Q
g
[ NC ]
→
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[V]
→
允许功耗与T
C
安全工作区
↑
Z
TH（ CH-C ）
〔 K / W〕
瞬态热阻抗
↑
P
D
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10
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I
D
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12
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T
c
[°C]
→
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DS
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→
T [ S]
→
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2SK1817-M
F- III系列
＆ GT ;产品特点
-
-
-
-
-
HIGH CURRENT
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高正向跨导
N沟道MOS - FET的
100V
0,08
20A
40W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
- 电机控制
- 通用功率放大器
- DC-DC变换器
＆ GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
连续反向漏电流
栅极 - 源极电压
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D（ PULS ）
I
DR
V
GS
P
D
T
ch
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英镑
＆ GT ;等效电路
等级
100
20
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-55 ~ +150
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A
A
A
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W
°C
°C
- 电气特性（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
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on
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on
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r
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关闭
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反向恢复时间
符号
V
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V
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I
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C
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测试条件
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F
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ch
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项
热阻
符号
R
第（章-a）的
R
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测试条件
通道的空气
渠道情况
分钟。
典型值。
马克斯。
62,5
3,125
单位
° C / W
° C / W
富士电机有限公司; Lyoner大街26 ; D- 60528法兰克福;联系电话： 069-66 90 29-0 ;传真： 069-66 90 29-56
N沟道MOS - FET的
100V
0,08
2SK1817-M
F- III系列
漏源导通电阻与T
ch
典型的传输特性
20A
40W
＆ GT ;特色
典型的输出特性
↑
I
D
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1
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→
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D
典型正向跨导与我
D
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→
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DS
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8
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↑
I
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9
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→
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→
允许功耗与T
C
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↑
Z
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〔 K / W〕
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↑
P
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↑
I
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12
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T
c
[°C]
→
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DS
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T [ S]
→
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2SK1817-M
F- III系列
＆ GT ;产品特点
-
-
-
-
-
HIGH CURRENT
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高正向跨导
N沟道MOS - FET的
100V
0,08
20A
40W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
- 电机控制
- 通用功率放大器
- DC-DC变换器
＆ GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
连续反向漏电流
栅极 - 源极电压
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
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I
DR
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P
D
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英镑
＆ GT ;等效电路
等级
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20
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A
A
A
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C
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除非另有说明
项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
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反向传输电容
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on
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r
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关闭
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反向恢复时间
符号
V
（ BR ） DSS
V
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I
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DSS
测试条件
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F
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项
热阻
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R
第（章-a）的
R
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测试条件
通道的空气
渠道情况
分钟。
典型值。
马克斯。
62,5
3,125
单位
° C / W
° C / W
富士电机有限公司; Lyoner大街26 ; D- 60528法兰克福;联系电话： 069-66 90 29-0 ;传真： 069-66 90 29-56
N沟道MOS - FET的
100V
0,08
2SK1817-M
F- III系列
漏源导通电阻与T
ch
典型的传输特性
20A
40W
＆ GT ;特色
典型的输出特性
↑
I
D
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1
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C
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↑
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〔 K / W〕
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I
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c
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→
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DS
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T [ S]
→
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2SK1817-M
F- III系列
＆ GT ;产品特点
-
-
-
-
-
HIGH CURRENT
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高正向跨导
N沟道MOS - FET的
100V
0,08
20A
40W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
- 电机控制
- 通用功率放大器
- DC-DC变换器
＆ GT ;最大额定值和特性
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C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
连续反向漏电流
栅极 - 源极电压
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符号
V
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I
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＆ GT ;等效电路
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A
A
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项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
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漏源导通电阻
正向跨导
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反向传输电容
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V
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100
1,0
典型值。
1,5
10
0,2
10
0,070
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400
120
5
50
350
100
1,22
70
马克斯。
2,5
500
1,0
100
0,120
0,080
2780
600
180
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150
1,83
单位
V
V
A
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ch
=25°C
- 热特性
项
热阻
符号
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第（章-a）的
R
TH（ CH-C ）
测试条件
通道的空气
渠道情况
分钟。
典型值。
马克斯。
62,5
3,125
单位
° C / W
° C / W
富士电机有限公司; Lyoner大街26 ; D- 60528法兰克福;联系电话： 069-66 90 29-0 ;传真： 069-66 90 29-56
N沟道MOS - FET的
100V
0,08
2SK1817-M
F- III系列
漏源导通电阻与T
ch
典型的传输特性
20A
40W
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典型的输出特性
↑
I
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1
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→
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T
ch
[°C]
→
典型的电容与V
DS
典型输入充电
反向二极管的正向特性
↑
C [ nF的]
7
↑
V
DS
[V]
8
↑
V
GS
[V]
↑
I
F
[A]
9
V
DS
[V]
→
Q
g
[ NC ]
→
V
SD
[V]
→
允许功耗与T
C
安全工作区
↑
Z
TH（ CH-C ）
〔 K / W〕
瞬态热阻抗
↑
P
D
[W]
10
↑
I
D
[A]
12
11
T
c
[°C]
→
V
DS
[V]
→
T [ S]
→
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