数据表号2C2369A
芯片型号2C2369A
几何0005
极性NPN
通用封装器件：
2N2368, 2N2369, 2N3227,
2N4449
芯片型号
2C2369A
通过Semicoa
半导体提供perfor-
MANCE类似于这些设备。
型号：
2N2368 ， 2N2369A ， 2N3227 ，
2N4449
产品简介：
应用范围：
专为高
高速开关应用。
产品特点：
高速交换功能
机械的特定网络阳离子
金属化
焊盘尺寸
模具厚度
芯片面积
顶面
顶部
背面
辐射源
BASE
艾尔 - 17.5 KA分钟。
金 - 6.5 KA NOM 。
3.6密耳X 2.8密耳
3.6密耳X 2.8密耳
8密耳的名义
16密耳×16密耳
SILOX钝化
电气特性
T
A
= 25
o
C
参数
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
测试条件
I
C
= 10.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 10 μA ，我
E
= 0
I
E
= 10 μA ，我
C
= 0
民
15
40
4.5
最大
---
---
10
单位
V DC
V DC
V DC
h
FE
I
C
= 10 mA dc直流电，V
CE
= 0.35 V
40
---
---
由于探针测试的限制，只有直流参数进行测试。这是一定要做脉冲宽度小于
超过300微秒，比2 ％的占空比少。
2N3227
硅NPN晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供：
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级（ 2N3227J ）
JANTX级别（ 2N3227JX ）
JANTXV级（ 2N3227JV ）
JANS级（ 2N3227JS ）
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查
2072年的JANTXV和JANS
辐射测试（总剂量）要求
应用
高速开关晶体管
低功耗
NPN硅晶体管
特点
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900
密封TO- 18金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸0005
参考文献：
MIL-PRF-19500/317
好处
资质等级： JAN ， JANTX ，
JANTXV和JANS
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
功耗，T
A
= 25°C
线性降额25°C以上
热阻
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
P
T
等级
20
40
6
0.36
2.06
325
-65到+200
-65到+200
单位
伏
伏
伏
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
R
θJA
T
J
T
英镑
Copyright 2002年
牧师
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
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www.SEMICOA.com
2N3227
硅NPN晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射基截止电流
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
h
FE5
V
BEsat1
V
BEsat2
V
BEsat3
V
BEsat4
V
BEsat5
V
CEsat1
V
CEsat2
V
CEsat3
V
CEsat4
符号
|h
FE
|
C
敖包
C
IBO
t
s
t
ON
t
关闭
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO1
I
CBO2
I
CBO3
I
CEX
I
CES
I
EBO1
I
EBO2
测试条件
I
C
= 10毫安
V
CB
= 40伏
V
CB
= 32伏
V
CB
= 20伏，T
A
= 150°C
V
CE
= 10Volts ，V
EB
= 0.25Volts
T
A
= 125°C
V
CE
= 20伏
V
EB
= 6伏
V
EB
= 4伏
测试条件
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 0.35伏特
I
C
= 30 mA时， V
CE
= 0.4伏特
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 1伏特
I
C
= 100毫安， V
CE
= 1伏特
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 1伏特
T
A
= -55°C
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
I
C
= 30 mA时，我
B
= 3毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 10毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1mA时，
T
A
=+125°C
I
C
= 10毫安，我
B
= 1mA时，
T
A
= -55°C
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
I
C
= 30 mA时，我
B
= 3毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 10毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1mA时，
T
A
=+125°C
测试条件
V
CE
= 10伏，我
C
= 10毫安，
F = 100 MHz的
V
CB
= 5伏，我
E
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
V
EB
= 0.5伏特，我
C
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
I
C
= 10 mA时，我
B1
=I
B2
= 10毫安
I
C
= 10 mA时，我
B1
= 3毫安，
I
B2
= 1.5毫安
I
C
= 10 mA时，我
B1
= 3毫安，
I
B2
= 1.5毫安
民
20
10
0.2
30
30
400
10
0.25
民
70
40
75
30
20
0.70
0.80
0.50
典型值
最大
250
250
300
150
0.85
0.90
1.20
1.02
0.20
0.25
0.45
0.30
民
5
典型值
最大
10
4
4
18
12
25
pF
pF
ns
ns
ns
典型值
最大
单位
伏
A
A
nA
A
脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
单位
直流电流增益
基射极饱和电压
伏
集电极 - 发射极饱和电压
动态特性
参数
震级 - 共发射极，短
电路正向电流传输比
开路输出电容
开路输入电容
贮存时间
饱和导通时间
饱和的关断时间
伏
单位
Copyright 2002年
牧师
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
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NPN 2N3227
环形硅晶体管
该2N3227为硅NPN硅晶体管的环形低电流，高速
开关应用。
它们被安装在JEDEC的TO -18金属。
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
CES
I
C（峰值）
P
D
P
D
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
评级
价值
40
20
6
40
500
0.36
2.06
1.2
6.85
+200
-65到+200
单位
V
V
V
V
mA
瓦
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
集电极电流
器件总功耗环境温度
降额Factore以上
器件总功耗外壳温度。
降额Factore以上
结温
存储温度范围
@ T
C
25°
@ T
C
25°
=
=
NPN 2N3227
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
CBO
I
CEX
I
BL
BV
CBO
BV
EBO
BV
首席执行官
BV
CES
评级
集电极截止电流
集电极截止货币兑换。
底座截止货币兑换。
集电极 - 基极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压（1）
集电极 - 发射极电压
测试条件（S ）
I
E
= 0 ; V
CB
= 20V
I
E
= 0 ; V
CB
= 20V ;牛逼
A
= 150°C
V
CE
= 20V ; V
EB （O FF ）
= 3V
V
CE
= 20V ; V
EB （O FF ）
= 3V
I
C
= 10 μA ;我
B
= 0
I
E
= 10 μA ;我
C
= 0
I
C
= 10毫安
I
C
= 10 μA ;我
B
= 0
最小值典型值
-
-
-
-
40
6
20
40
-
-
-
-
-
-
-
-
MX单位
0.2
50
0.2
0.5
-
-
-
-
A
V
V
V
V
半导体COMSET
1/2
NPN 2N3227
环形硅晶体管
该2N3227为硅NPN硅晶体管的环形低电流，高速开关
应用程序。
它们被安装在JEDEC的TO -18金属。
符合RoHS指令
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
CES
I
C（峰值）
P
D
评级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
器件总功耗
环境温度
降额Factore以上
器件总功耗
外壳温度
降额Factore以上
结温
存储温度范围
价值
40
20
6
40
500
单位
V
V
V
V
mA
瓦
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
@ T
C
= 25°
0.36
2.06
P
D
T
J
T
英镑
@ T
C
= 25°
1.2
6.85
+200
-65到+200
16/10/2012
半导体COMSET
1/3
NPN 2N3227
机械数据案例TO- 18
外形尺寸（mm ）
民
A
B
C
D
E
F
G
H
I
L
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
案例：
12.7
-
0.9
-
-
-
2.54
-
-
45°
最大
-
0.49
-
5.3
4.9
5.8
-
1.2
1.16
-
辐射源
BASE
集热器
集热器
修订后的2012年9月
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，半导体COMSET承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利。资料如有变更，
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在生命支持设备或系统中的关键组件。
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16/10/2012
半导体COMSET
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3/3
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