2SK1739A
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
2SK1739A
RF功率MOS FET的UHF电视广播发射机
以毫米单位
l
输出功率
l
漏EF网络效率
l
频率
：宝
≥
90 W（最小值）。
:
η
D
= 50 ％ （典型值）。
： F = 770兆赫
l
推拉结构包
最大额定值
（ TC = 25 ° C）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
反向漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DR
P
D
T
ch
T
英镑
等级
80
±20
11
11
250
150
55~150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 17.5克
—
—
222C2A
000707EAA1
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。它的责任
买方，利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并
为避免出现此类东芝产品的故障或失效可能导致人的生命，人身伤害或损失
财产损失。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围用作规定
最近东芝的产品规格。另外，请记住载于“处理的注意事项和条件
导半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用
设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或
这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能
控制仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制
仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列
应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担
东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利，可能导致其
使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式
其他人。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
2001-01-31
1/4
2SK1739A
电气特性
（ TC = 25 ° C）
特征
输出功率
漏EF网络效率
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
漏源导通电阻
漏源电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
Po
ηD
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
测试条件
V
DD
= 40 V ， IIDLE = 0.2 A× 2
PI = 10 W，F = 770兆赫*
I
D
= 5毫安， V
GS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
I
D
= 0.5毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 2 A，V
GS
= 10 V **
I
D
= 2 A，V
GS
= 10 V **
I
D
= 1.5 A，V
DS
= 20 V
**
分钟。
90
—
80
—
0.5
—
—
0.9
—
—
—
典型值。
110
50
—
—
—
0.5
1.0
1.3
80
40
1
马克斯。
—
—
—
1.0
3.0
1.5
3.0
—
—
—
—
单位
W
%
V
mA
V
V
S
pF
pF
pF
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
*:
推挽式操作
**:
脉冲测试
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
2001-01-31
2/4
2SK1739A
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
2SK1739A
RF功率MOS FET的UHF电视广播发射机
以毫米单位
输出功率
漏EF网络效率
频率
：宝
≥
90 W（最小值）。
:
η
D
= 50 ％ （典型值）。
： F = 770兆赫
推拉结构包
绝对最大额定值
（ TC = 25 ° C）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
反向漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DR
P
D
T
ch
T
英镑
等级
80
±20
11
11
250
150
55~150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
—
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
EIAJ
—
温度/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
东芝
222C2A
可靠性显著即使工作条件（即工作
重量： 17.5克
温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2007-11-01
2SK1739A
电气特性
（ TC = 25 ° C）
特征
输出功率
漏EF网络效率
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
漏源导通电阻
漏源电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
Po
ηD
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
测试条件
V
DD
= 40 V ， IIDLE = 0.2 A× 2
PI = 10 W，F = 770兆赫*
I
D
= 5毫安， V
GS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
I
D
= 0.5毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 2 A，V
GS
= 10 V
I
D
= 2 A，V
GS
= 10 V
I
D
= 1.5 A，V
DS
= 20 V
**
**
**
分钟。
90
—
80
—
0.5
—
—
0.9
—
—
—
典型值。
110
50
—
—
—
0.5
1.0
1.3
80
40
1
马克斯。
—
—
—
1.0
3.0
1.5
3.0
—
—
—
—
单位
W
%
V
mA
V
V
S
pF
pF
pF
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
*:
推挽式操作
**:
脉冲测试
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
2
2007-11-01
2SK1739A
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2007-11-01
QQ：2880707522 复制
