数据表
硅功率晶体管
2SB601
PNP硅外延晶体管（达林顿连接）
低频功率放大器和低速开关
特点
高直流电流增益，由于达林顿连接
低集电极饱和电压
低集电极截止电流
适用于直接驱动使用，从IC的输出驱动器磁体等
作为treminal设备或收银机
封装图（单位：mm ）
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流
基极电流
总功耗
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
*
I
B（ DC ）
P
T
（ TA = 25°C ）
P
T
（ TC = 25 ° C）
T
j
T
英镑
评级
100
100
7.0
–
+5.0
–
+8.0
0.5
1.5
30
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
(/(&752'(
&211(&7,21
* PW
≤
10毫秒，占空比
≤
50%
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文档编号D16131EJ3V0DS00
发布日期2002年4月 CP （ K）
日本印刷
2002
1998
2SB601
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
基本饱和电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEX(SUS)1
V
CEX(SUS)2
I
CBO
I
CER
I
CEX1
I
CEX2
I
EBO
h
FE1
*
h
FE2
*
V
CE （ SAT ）
*
V
BE （ SAT ）
*
t
on
t
英镑
t
f
条件
I
C
=
3
A，I
B1
=
3
毫安， L = 1毫亨
I
C
=
3
A，I
B1
=
I
B2
=
3
毫安，
V
BE （OFF）的
= 5.0 V，L = 180
H，钳位
I
C
=
6
A，I
B1
=
12
妈，我
B2
= 3毫安，
V
BE （OFF）的
= 5.0 V，L = 180
H，钳位
V
CB
=
100
V，I
E
= 0
V
CE
=
100
V ，R
BE
= 51
,
TA = 125°C
V
CE
=
100
V, V
BE （OFF）的
= 1.5 V
V
CE
=
100
V, V
BE （OFF）的
= 1.5 V,
TA = 125°C
V
EB
=
5.0
V，I
C
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
3.0
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
5.0
A
I
C
=
3.0
A，I
B
=
3.0
mA
I
C
=
3.0
A，I
B
=
3.0
mA
I
C
=
3.0
A，R
L
= 17
,
I
B1
=
I
B2
=
3.0
毫安，V
CC
50
V
参考测试电路。
0.5
1.0
1.0
2,000
500
1.5
2.0
V
V
分钟。
100
100
100
10
1.0
10
1.0
3.0
15,000
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
mA
A
mA
mA
s
s
s
*脉冲试验PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
h
)(
分类
记号
h
FE1
M
2000至5000
L
3000至7000
K
5000到15000
典型特性（ TA = 25 ° C）
°
7RWDO 3RZHU “ LVVLSDWLRQ 3
7
&ROOHFWRU &XUUHQW ，
＆放大器;
&DVH 7HPSHUDWXUH 7
＆放大器;
°
&ROOHFWRU WR （ PLWWHU 9ROWDJH 9
& （
2
数据表D16131EJ3V0DS
2SB601
&DVH 7HPSHUDWXUH 7
＆放大器;
°
7UDQVLHQW 7KHUPDO 5HVLVWDQFH
θ
,
＆放大器;
&ROOHFWRU &XUUHQW ，
＆放大器;
&ROOHFWRU &XUUHQW ，
＆放大器;
： LWKRXW KHDWVLQN
： LWK LQILQLWH KHDWVLQN
&ROOHFWRU WR （ PLWWHU 9ROWDJH 9
& （
&ROOHFWRU WR （ PLWWHU 9ROWDJH 9
& （
&ROOHFWRU &XUUHQW ，
＆放大器;
&ROOHFWRU 6DWXUDWLRQ 9ROWDJH 9
％ DVH 6DWXUDWLRQ 9ROWDJH 9
“ & &XUUHQW * DLQ
)(
&ROOHFWRU &XUUHQW ，
＆放大器;
数据表D16131EJ3V0DS
3
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