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2SK168
硅n沟道FET的结
应用
甚高频放大器,混频器,本地振荡器
概要
TO-92 (2)
1.门
2.源
3.排水
3
2
1
2SK168
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
栅漏电压
栅极至源极电压
栅电流
漏电流
信道功率耗散
通道温度
储存温度
符号
V
GDO
V
GSS
I
G
I
D
PCH
总胆固醇
TSTG
评级
–30
–1
10
20
200
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
栅漏击穿
电压
门切断电流
漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
功率增益
噪声系数
注意:
D
4至8
符号
V
( BR ) GDO
I
GSS
I
DSS
*
1
V
GS ( OFF )
|y
fs
|
西塞
CRSS
PG
NF
–30
4
8
典型值
10
6.8
0.1
27
1.7
最大
–10
20
–3.0
单位
V
nA
mA
V
mS
pF
pF
dB
dB
测试条件
I
G
= –100
A,
I
S
= 0
V
GS
= –0.5 V, V
DS
= 0
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0
V
DS
= 5 V,I
D
= 10
A
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0中,f = 1千赫
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0中,f = 1 MHz的
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0中,f = 1 MHz的
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0,
F = 100 MHz的
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0,
F = 100 MHz的
1. 2SK168由I分组
DSS
如下。
E
612个
F
10至20
2
2SK168
最大信道功率
耗散曲线
信道功率耗散P沟道(MW )
300
典型的输出特性( 1)
10
V
GS
= 0
漏电流I
D
(MA )
8
–0.2 V
6
–0.4
4
–0.6
2
–0.8
–1.0
0
30
40
10
20
漏极至源极电压V
DS
(V)
50
Pc
h
=
200
20
0
m
W
100
0
100
150
50
环境温度Ta (C )
典型的输出特性( 2)
10
V
GS
= 0
漏电流I
D
(MA )
漏电流I
D
(MA )
8
–0.2 V
6
–0.4
4
–0.6
2
–0.8
–1.0
3
4
1
2
漏极至源极电压V
DS
(V)
5
15
典型的传输特性
V
DS
= 5 V
10
F
5
E
D
0
–3.0
0
–2.0
–1.0
栅极至源极电压V
GS
(V)
0
3
2SK168
正向转移导纳主场迎战
漏源极电压
正向转移导纳
y
fs
(女士)
15
正向转移导纳
y
fs
(女士)
TA = -25°C
25°C
10
75°C
50
20
10
5
2
1.0
0.5
0.2
V
DS
= 5 V
F = 1千赫
正向转移导纳主场迎战
漏电流
5
V
GS
= 0
F = 1千赫
0
10
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
15
5
10
0.5 1.0
2
漏电流I
D
(MA )
20
20
输入电容C
国际空间站
(PF )
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
反向传输电容C
RSS
(PF )
输入电容与
漏源极电压
反向传输电容主场迎战
漏源极电压
5
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
2
1.0
0.5
5
0.2
0.1
0.05
0.1
2
0.1
2
5
10
0.2
0.5 1.0
漏极至源极电压V
DS
(V)
2
5
0.2
0.5 1.0
漏极至源极电压V
DS
(V)
10
4
2SK168
输出电容与
漏源极电压
200
输出电容C
OSS
(PF )
100
50
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
功率增益PG (分贝)
20
V
GS
= 0
F = 100 MHz的
10
30
功率增益主场迎战
漏源极电压
20
10
5
2
0.1
0.2
0.5 1.0
2
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
10
0
10
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
15
功率增益与漏电流
30
E
功率增益PG (分贝)
D
20
F
噪声系数NF ( dB)的
6
8
噪声系数与
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 100 MHz的
4
10
V
DS
= 5 V
F = 100 MHz的
V
GS
变量
2
0
2
4
6
8
10 12 14
漏电流I
D
(MA )
16
0
4
8
12
漏极至源极电压V
DS
(V)
16
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK168E
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HITACHI/日立
21+
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