数据表
硅功率晶体管
2SA1743
PNP硅外延晶体管
对于高速切换
该2SA1743是用于高速开发的功率晶体管
开关,并配有高
FE
低V
CE ( SAT )
。此晶体管是
非常适合用作在直流/直流转换器和致动器的驱动。
另外,一个小的树脂模制绝缘型包
有利于高密度安装,并降低安装的
成本。
封装图(单位:mm )
特点
高
FE
低V
CE ( SAT )
:
h
FE
≥
100 (V
CE
=
2
V,I
C
=
2
A)
V
CE ( SAT )
≤
0.3 V(I
C
=
6
A,I
B
=
0.3
A)
全模制封装,不需要绝缘板或
衬套
质量等级
标准
请参考“质量等级NEC半导体设备”
(文档编号C11531E )由NEC公司公布的认识
的质量等级上的设备和说明书中其
推荐应用。
电极连接
1.基地
2.收集
3.辐射源
绝对最大额定值(Ta = 25 ° C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
基极电流(DC)的
总功耗
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C( DC )
I
C(脉冲)
*
I
B( DC )
P
T
( TC = 25 ° C)
P
T
( TA = 25°C )
T
j
T
英镑
评级
100
60
7.0
10
20
5.0
30
2.0
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
* PW
≤
300
S,占空比
≤
10%
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证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D16126EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2002年4月 CP ( K)
日本印刷
2002