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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第120页 > 2SK1636S
2SK1636 （L） 2SK1636 （S）
硅N沟道MOS FET
REJ03G0961-0200
（上一个： ADE- 208-1304 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器和DC-DC转换器
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -A
（包名称： LDPAK （ L） ）
4
4
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B
（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ） ）
D
1
1
2
3
2
3
Rev.2.00 2005年9月7日第1页7
2SK1636 （L） 2SK1636 （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25
°
C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
I
DR
PCH *
总胆固醇
2
1
评级
250
±30
15
60
15
75
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
TSTG
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
250
±30
—
—
2.0
—
6.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.22
10.0
1250
510
85
24
85
110
60
1.0
400
最大
—
—
±10
250
3.0
0.27
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V *
I
D
= 8 A，V
DS
= 10 V *
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 3.75
3
3
I
F
= 15 A，V
GS
= 0
I
F
= 15 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
Rev.2.00 2005年9月7日第2 7
2SK1636 （L） 2SK1636 （S）
主要特点
功率与温度降额
120
100
O
每
在林
ITE离子
d。在
由次
R是
ar
DS
ea
(o
n
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
10
30
10
1
PW
)
s
漏电流I
D
(A)
0
s
m
80
10
3
1
0.3
s
=
10
D
C
O
pe
s
m
(1
ot
Sh
)
=
(T
C
n
TIO
ra
40
°
C
25
)
TA = 25°C
0.1
0
50
100
150
1
3
10
30
100
300 1,000
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的传输特性
20
10 V
8V
5.5 V
20
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
12
5V
漏电流I
D
(A)
16
脉冲测试
16
12
8
4.5 V
4
4V
V
GS
= 3.5 V
0
4
8
12
16
20
8
TA = 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
4
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
10
脉冲测试
8
漏极至源极电压V
DS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
5
脉冲测试
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
2
1
0.5
V
GS
= 10 V
15 V
6
4
I
D
= 15 A
10 A
0.2
0.1
0.05
1
2
5
10
20
2
5A
0
2
4
6
8
10
50
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页7
2SK1636 （L） 2SK1636 （S）
静态漏源导通状态
电阻与温度
1.0
脉冲测试
V
GS
= 10 V
0.8
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
与漏电流
正向转移导纳
y
fs
(S)
50
V
DS
= 10 V
脉冲测试
20
T
C
= –25°C
10
5
25°C
75°C
0.6
I
D
= 15 A
0.4
5A
0.2
10 A
2
1
0.5
0.5
0
–40
0
40
80
120
160
1
2
5
10
20
50
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
1,000
10,000
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
反向恢复时间trr （ NS ）
500
电容C （PF ）
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
西塞
1,000
科斯
200
100
50
的di / dt = 100 A / μs的，TA = 25℃
V
GS
= 0
100
CRSS
20
10
0.5
10
1
2
5
10
20
50
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
500
20
V
DD
= 50 V
100 V
200 V
V
GS
I
D
= 15 A
V
DS
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
500
漏极至源极电压V
DS
(V)
开关时间t（ NS ）
400
16
200
t
D（关闭）
100
t
f
50
t
r
20
10
5
0.2
V
GS
= 10 V ， PW = 2
s
值班< 1 ％
0.5
1
2
5
10
20
t
D（上）
300
12
200
8
100
V
DD
= 200 V
100 V
50 V
20
40
60
80
100
4
0
0
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 7
2SK1636 （L） 2SK1636 （S）
反向漏电流 -
源极到漏极电压
20
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
16
12
8
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0, –5 V
4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压V
SD
(V)
归瞬态热阻抗
γ
S
(t)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
D=1
0.5
0.3
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
1S
ULS
OT P
h
e
1.0
T
C
= 25°C
θch -C
(t) =
γ
S
(t)
θch -C
θch -C
= 1.67 ° C / W ，T
C
= 25°C
P
DM
PW
1
D = PW
T
0.03
0.01
0.01
10
T
1m
10 m
100 m
100
10
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
VOUT监控
D.U.T
R
L
50
VIN
10 V
VIN
VOUT
10%
10%
波形
90%
10%
90%
t
D（关闭）
V
DD
.
= 30 V
.
t
D（上）
90%
t
r
t
f
Rev.2.00 2005年9月7日第5 7
2SK1636 （L） 2SK1636 （S）
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器和DC-DC转换器
概要
LDPAK
4
4
1 2
1
D
G
2
3
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
2SK1636 （L） 2SK1636 （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项1. PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
250
±30
15
60
15
75
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
2
2SK1636 （L） 2SK1636 （S）
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
民
250
±30
—
—
2.0
—
6.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.22
10.0
1250
510
85
24
85
110
60
1.0
400
最大
—
—
±10
250
3.0
0.27
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 15 A，V
GS
= 0
I
F
= 15 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 3.75
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V *
1
I
D
= 8 A，V
DS
= 10 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
零栅极电压漏极电流I
DSS
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
记
1.脉冲测试
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
3
2SK1636 （L） 2SK1636 （S）
功率与温度降额
120
通道耗散P沟（W）的
100
ea
最高安全工作区
10
ar
O
每
在林
ITE离子
d。在
由次
R是
30
漏电流I
D
(A)
80
10
3
1
0.3
10
0
(o
n)
s
s
DS
1
m
s
10
PW
=
D
C
pe
O
m
s
(1
)
ot
Sh
TIO
ra
n
=
(T
C
40
25
)
°C
TA = 25°C
0.1
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
1
3
10
30
100 300 1,000
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的传输特性
20
10 V
8V
5.5 V
脉冲测试
5V
漏电流I
D
(A)
20
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
16
16
漏电流I
D
(A)
12
12
8
4.5 V
4
4V
V
GS
= 3.5 V
0
4
12
16
8
20
漏极至源极电压V
DS
(V)
8
TA = 75℃
25°C
–25°C
4
0
2
6
8
4
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
4
2SK1636 （L） 2SK1636 （S）
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
10
脉冲测试
8
5
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
脉冲测试
2
1
0.5
V
GS
= 10 V
15 V
6
4
I
D
= 15 A
10 A
0.2
0.1
0.05
1
2
5
10
20
漏电流I
D
(A)
2
5A
0
2
6
8
4
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
50
100
静态漏源导通状态
电阻与温度
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
脉冲测试
V
GS
= 10 V
0.8
正向转移导纳
yfs
(S)
1.0
50
正向转移导纳
与漏电流
V
DS
= 10 V
脉冲测试
20
T
C
= –25°C
10
5
25°C
75°C
0.6
I
D
= 15 A
0.4
5A
0.2
10 A
2
1
0.5
0.5
0
–40
0
80
120
40
案例温度T
C
(°C)
160
1
2
5
10
20
漏电流I
D
(A)
50
5
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212X0112N220RB
202D188X0030A1
2SC2102
275V820R501B1A1
2N5681SMD
230002P
2500R-46J
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