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硅结场效应晶体管(小信号)
2SK1103
硅n沟道FET的结
切换
补充2SJ163
0.65±0.15
+0.2
单位:mm
0.65±0.15
2.8
–0.3
1.5
–0.05
+0.25
s
特点
2.9
–0.05
1.9±0.2
+0.2
q
低导通电阻
q
低噪声特性
0.95
1
0.95
3
0.4
–0.05
+0.1
s
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
栅漏电压
漏电流
栅电流
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
V
GDS
I
D
I
G
P
D
T
ch
T
英镑
评级
65
20
10
150
150
55
+150
单位
0.8
2
1.45
V
mA
mA
mW
°C
°C
1.1
–0.1
1 :源
2 :排水
3 :门
JEDEC : TO- 236
EIAJ : SC- 59
迷你型包装( 3针)
标记符号(例) : 4L
s
电气特性
( TA = 25°C )
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
栅漏电压
栅极到源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS *
I
GSS
V
GDS
V
GSC
| Y
fs
|
R
DS ( ON)
条件
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
GS
=
30V,
V
DS
= 0
I
G
=
10A,
V
DS
= 0
V
DS
= 10V ,我
D
= 10A
V
DS
= 10V ,我
D
= 1mA时, F = 1kHz时
V
DS
= 10mV的,V
GS
= 0
V
DS
= 10V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
1.8
65
1.5
2.5
300
7
1.5
3.5
0.2
典型值
最大
6
10
单位
mA
nA
V
V
mS
pF
pF
输入电容(共源)C
国际空间站
反向传输电容(共源)C
RSS
*
I
DSS
等级分类
Runk
I
DSS
(MA )
O
0.2-1
4LO
P
0.6 1.5
4LP
Q
1至3个
4LQ
R
2.5 6中
4LR
标记符号
0-0.1
为0.1 0.3
0.4±0.2
0.16
–0.06
+0.2
+0.1
1
硅结场效应晶体管(小信号)
P
D
Ta
320
2.5
Ta=25C
280
2.0
2.0
V
GS
=0V
1.5
– 0.1V
– 0.2V
1.0
– 0.3V
– 0.4V
0.5
40
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
1
2
3
4
5
6
0
–1.2
2SK1103
I
D
V
DS
2.5
I
D
V
GS
允许功耗P
D
( mW)的
漏电流I
D
(MA )
漏电流I
D
(MA )
240
200
160
120
80
Ta=–25C
1.5
25C
1.0
75C
0.5
–1.0 – 0.8 – 0.6 – 0.4 – 0.2
0
环境温度Ta (C )
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
| Y
fs
|
V
GS
5
2.5
V
DS
=10V
Ta=25C
4
| Y
fs
|
I
D
正向转移导纳| Y
fs
| (女士)
V
DS
=10V
Ta=25C
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
V
DS
输入电容(共源) ,输出电容(共源)
反向传输电容(共源)C
国际空间站
,C
OSS
,C
RSS
(PF )
10
V
GS
=0
f=1MHz
Ta=25C
8
正向转移导纳| Y
fs
| (女士)
2.0
I
DSS
=10mA
1.5
3
I
DSS
=10mA
2
6
C
国际空间站
1.0
4
1
0.5
2
C
OSS
C
RSS
0
–1.6
0
–1.2
– 0.8
– 0.4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
3
10
30
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(MA )
漏极至源极电压V
DS
(V)
2
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
& QUOT ;外汇及外国贸易法& QUOT ;要导出或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-
istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业,给予相对权利,或者给予任何许可。
(3)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-
ERAL电子设备(如办公设备,通讯设备,测量IN-
struments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 4 )在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段,采购
荷兰国际集团,或使用的产品,因此,事先要求的最先进的最新产品标准
确保最新的技术规格满足您的要求。
( 5 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,多余的设计建议,
所以,这样的设备可能没有违反,因为功能的有关法律,法规我们
产品。
( 6 )使用了该干的包装要求的产品,观察条件(包括保质期
及后拆包待机时间)约定,当规格表被单独更换。
( 7 )本资料的任何部分,未经书面许可,不得转载或复制任何手段
从我们公司。
使用数据表之前,请仔细阅读下面的注意事项
A.这些材料的目的是作为参考,以帮助客户松下的选择
半导体产品最适合他们的应用程序。
由于变形或其他原因,本资料中的任何信息,如可用的
产品类型,技术参数等,如有更改,恕不另行通知。
建议客户联系我们的半导体销售办事处,并获得最新信息
在开始之前,精确的技术研究和/或采购活动。
B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性,但
总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此,
松下将不承担任何错误等,可能AP-而引起的任何损失承担任何责任
梨在这种材料。
C.这些材料仅适用于客户的个人使用。
因此,如果没有松下的事先书面同意,任何其他用途,如再现,
销售或分发该材料给第三方,通过互联网或以任何其他方式,是禁止的。
2001年MAR
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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