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2SK1623 (L) 2SK1623 (S)
硅N沟道MOS FET
REJ03G0958-0300
(上一个: ADE- 208-1299 )
Rev.3.00
2006年1月10日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
4 V栅极驱动器
可从5 V电源驱动
适用于电机驱动器,DC-DC转换器,功率开关和螺线管驱动
概要
瑞萨封装代码: PRSS0004AE -A
(包名称: LDPAK ( L) )
4
瑞萨封装代码: PRSS0004AE -B
(包名称: LDPAK ( S) - ( 1 ) )
4
G
1
2
D
1.门
2.漏
3.源
4.漏
3
S
1
2
3
Rev.3.00 2006年1月10日第1页7
2SK1623 (L) 2SK1623 (S)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在T
C
= 25
°
C
符号
V
( BR ) DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
I
DR
PCH
总胆固醇
*1
评级
100
±20
20
80
20
50
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
*2
TSTG
°
C
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注意:
3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
100
±20
1.0
10
典型值
0.065
0.085
16
1300
540
160
12
100
300
150
1.3
300
最大
±10
250
2.0
0.085
0.12
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 20 A,V
GS
= 0
I
F
= 20 A,V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 50 A / μs的
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安, V
DS
= 10 V
I
D
= 10 A,V
GS
= 10 V *
3
I
D
= 10 A,V
GS
= 4 V *
I
D
= 10 A,V
DS
= 10 V *
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 10 A,V
GS
= 10 V,
R
L
= 3
3
3
Rev.3.00 2006年1月10日第2 7
2SK1623 (L) 2SK1623 (S)
主要特点
功率与温度降额
60
100
10
s
最高安全工作区
通道耗散P沟(W)的
10
0
30
s
1
漏电流I
D
(A)
PW
=
m
s
40
10
3
1
0.3
D
10
C
m
O
s
pe
(1
Sh
ot
ra
TIO
n
)
(T
c
20
=
操作
C
)
这个区域是
限于由R
DS ( ON)
2
TA = 25°C
0
0
50
100
150
0.1
1
3
10
30
100
300
1000
外壳温度
TC ( ℃)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
50
10 V
7V
5V
脉冲测试
4V
20
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
40
16
30
3.5 V
12
20
3V
10
V
GS
= 2.5 V
8
TC = 75℃
25°C
–25°C
0
1
2
3
4
5
4
0
0
4
8
12
16
20
0
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
2.0
1.6
I
D
= 20 A
1.2
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
0.5
脉冲测试
0.2
0.1
0.05
V
GS
= 4 V
10 V
0.8
10 A
5A
0.02
0.01
0.005
2
5
10
20
50 100
200
0.4
0
0
2
4
6
8
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00 2006年1月10日第3页7
2SK1623 (L) 2SK1623 (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.20
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳
y
fs
(S)
50
TC = -25°C
25°C
脉冲测试
0.16
20
10
5
I
D
= 20 A 10 A
5A
0.12
V
GS
= 4 V
0.08
5 A, 10 A
20 A
10 V
2
1
0.5
0.2
75°C
0.04
0
–40
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.5
1
2
5
10
20
0
40
80
120
160
外壳温度
Tc
(°C)
漏电流I
D
(A)
体漏二极管反向
恢复时间
1000
10000
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
西塞
1000
科斯
反向恢复时间trr ( NS )
500
200
100
50
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 , TA = 25℃
脉冲测试
1
2
5
10
20
50
电容C (PF )
100
CRSS
20
10
0.5
10
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
100
开关特性
20
1000
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
I
D
= 20 A
V
DD
= 25 V
50 V
80 V
V
GS
V
DS
60
开关时间t( NS )
80
16
500
TD (关闭)
12
200
100
50
tf
tr
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 2
s,
1 %
TD (上)
1
2
5
10
20
50
40
8
20
V
DD
= 80 V
50 V
25 V
0
20
40
60
80
4
20
10
0.5
0
0
100
栅极电荷Qg ( NC )
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00 2006年1月10日第4 7
2SK1623 (L) 2SK1623 (S)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
20
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
16
10 V
5V
12
8
4
V
GS
=
0, –5
V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θch
- C (T ) =
γ
S( T)
θch
– c
θch
- C = 2.5 ° C / W ,TC = 25°C
P
DM
D=
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
PW
T
0.0
2
1
0.03
0.0
1
o
sh
u
tp
LSE
0.01
10
100
脉冲宽度PW (S )
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VOUT
VIN
10 V
50
V
DD
= 30 V
TD (上)
10%
VOUT
MONITOR
VIN
10%
波形
90%
10%
90%
tr
90%
TD (关闭)
tf
Rev.3.00 2006年1月10日第5页7
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