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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1290
描述
·带
TO- 3PN封装
.Built式
阻尼二极管
高
电压，高可靠性
ùWide
安全工作区
应用
For
彩色电视水平偏转
输出的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
集电极开路
价值
1500
5
3
10
50
130
-55~130
单位
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
条件
I
E
= 500毫安;我
C
=0
I
C
= 2A ;我
B
=0.75A
I
C
= 2A ;我
B
=0.75A
V
CB
= 750V ;我
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 1500V ;我
E
=0
h
FE
t
s
t
f
V
F
直流电流增益
贮存时间
I
C
=2A
I
泄漏
=0.75A,L
B
=5μH
下降时间
二极管的正向电压
I
F
=-4A,I
B
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=10V
3
3
民
5
典型值。
2SD1290
最大
单位
V
5.0
1.5
50
1
8
7
1
2.2
V
V
μA
mA
μs
μs
V
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1290
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1290
描述
·采用TO- 3PN封装
·内置阻尼二极管
·高电压，高可靠性
·安全运行的广域
应用
·对于彩电水平偏转
输出的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
集电极开路
价值
1500
5
3
10
50
130
-55~130
单位
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
条件
I
E
= 500毫安;我
C
=0
I
C
= 2A ;我
B
=0.75A
I
C
= 2A ;我
B
=0.75A
V
CB
= 750V ;我
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 1500V ;我
E
=0
h
FE
t
s
t
f
V
F
直流电流增益
贮存时间
下降时间
二极管的正向电压
I
C
= 2A ; V
CE
=10V
3
3
民
5
2SD1290
符号
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
典型值。
最大
单位
V
5.0
1.5
50
1
8
7
1
2.2
V
V
A
mA
I
C
=2A
I
泄漏
=0.75A,L
B
=5H
s
s
V
I
F
=-4A,I
B
=0
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1290
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1290
描述
·带
TO- 3PN封装
.Built式
阻尼二极管
高
电压，高可靠性
ùWide
安全工作区
应用
For
彩色电视水平偏转
输出的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
发射极开路
集电极开路
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
OR
CT
U
价值
1500
5
3
10
50
130
-55~130
单位
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
条件
I
E
= 500毫安;我
C
=0
I
C
= 2A ;我
B
=0.75A
I
C
= 2A ;我
B
=0.75A
V
CB
= 750V ;我
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 1500V ;我
E
=0
h
FE
t
s
t
f
V
F
直流电流增益
贮存时间
I
C
=2A
I
泄漏
=0.75A,L
B
=5μH
下降时间
I
C
= 2A ; V
CE
=10V
3
3
民
5
典型值。
2SD1290
最大
单位
V
5.0
1.5
50
1
8
7
V
V
μA
mA
μs
μs
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
二极管的正向电压
I
F
=-4A,I
B
=0
OR
CT
U
1
2.2
V
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1290
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2SD1290
描述
·带
TO- 3PN封装
.Built式
阻尼二极管
高
电压，高可靠性
ùWide
安全工作区
应用
For
彩色电视水平偏转
输出的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
集电极开路
价值
1500
5
3
10
50
130
-55~130
单位
V
V
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
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硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
EBO
V
CESAT
V
BESAT
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
条件
I
E
= 500毫安;我
C
=0
I
C
= 2A ;我
B
=0.75A
I
C
= 2A ;我
B
=0.75A
V
CB
= 750V ;我
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 1500V ;我
E
=0
h
FE
t
s
t
f
V
F
直流电流增益
贮存时间
下降时间
二极管的正向电压
I
C
= 2A ; V
CE
=10V
3
3
民
5
典型值。
2SD1290
最大
单位
V
5.0
1.5
50
1
8
7
1
2.2
V
V
μA
mA
I
C
=2A
I
泄漏
=0.75A,L
B
=5μH
μs
μs
V
I
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=-4A,I
B
=0
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