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2SK1336
硅N沟道MOS FET
REJ03G0933-0200
（上一个： ADE- 208-1273 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
4 V栅极驱动器
可从5 V电源驱动
适用于电机驱动器，DC-DC转换器，功率开关和螺线管驱动
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003ZA -A
（包名称： TO- 92 （ 1 ） ）
D
G
1.源
2.漏
3.门
32
1
S
Rev.2.00 2005年9月7日第1页6
2SK1336
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注：1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
PCH
总胆固醇
TSTG
*1
评级
60
±20
0.3
1.2
0.3
400
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
mW
°
C
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注意：
2.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
60
±20
—
—
1.0
—
—
0.22
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
1.3
1.8
0.35
33
17
5
2
4
18
16
0.9
45
最大
—
—
±10
50
2.0
1.7
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100
μA ，V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
2
I
D
= 0.2 A，V
GS
= 10 V *
I
D
= 0.2 A，V
GS
= 4 V *
2
I
D
= 0.2 A，V
DS
= 10 V *
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 0.2 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 150
2
I
F
= 0.3 A，V
GS
= 0
I
F
= 0.3 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 50 A / μs的
Rev.2.00 2005年9月7日第2 6
2SK1336
主要特点
功率与温度降额
600
最高安全工作区
5
3
通道耗散P沟（ mW）的
漏电流I
D
(A)
10
1
0.3
0.1
0.03
0.01
TA = 25°C
i
th
（上
在研发
DS
离子通过
为D
呃ITE
欧普LIM
is
r
sa
ea
)
s
10
400
0
1
10
m
PW
=
D
C
pe
O
TIO
ra
s
m
s
s
(1
o
Sh
200
n
=
(T
C
t)
)
°
C
25
0
50
100
150
0.005
0.1
0.3
1
3
10
30
100
环境温度Ta （C ）
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
1.0
10 V
6V
4V
脉冲测试
1.0
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
0.6
3V
0.4
2.5 V
0.2
V
GS
= 2 V
0
2
4
6
8
10
漏电流I
D
(A)
0.8
3.5 V
0.8
0.6
0.4
0.2
25
°
C
T
C
= 75
°
C
1
2
–25
°
C
3
4
5
0
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
1.0
脉冲测试
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
50
脉冲测试
20
10
5
2
1
0.5
0.05 0.1
V
GS
= 4 V
10 V
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
0.8
0.5 A
0.6
0.4
0.2 A
0.2
I
D
= 0.1 A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
0
2
4
6
8
10
0.2
0.5
1
2
5
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页6
2SK1336
静态漏源导通状态
电阻与温度
5
脉冲测试
4
I
D
= 0.5 A 0.2 A
3
V
GS
= 4 V
2
0.2 A
0.1 A
0.1 A
0.5 A
10 V
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
与漏电流
正向转移导纳
y
fs
(S)
5
V
DS
= 10 V
脉冲测试
2
1
0.5
25°C
–25°C
0.2
0.1
0.05
0.02
T
C
= 75°C
1
0
–40
0
40
80
120
160
0.05 0.1
0.2
0.5
1
2
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
1,000
100
的di / dt = 50A / μs的
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
反向恢复时间trr （ NS ）
500
西塞
电容C （PF ）
200
100
50
10
科斯
CRSS
1
20
10
0.05
0.1
0.1
0.2
0.5
1
2
5
0
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
100
20
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
100
50
20
10
5
2
1
0.05
t
r
t
D（上）
V
GS
= 10 V ， PW = 2
s
.
值班< 1 ％ ，V
DD
= 30 V
.
t
D（关闭）
漏极至源极电压V
DS
(V)
开关时间t（ NS ）
80
V
DD
= 10 V
25 V
50 V
V
DS
V
GS
16
t
f
60
12
40
8
20
0
0
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
0.8
1.6
I
D
= 0.3 A
4
0
2.4
3.2
4.0
0.1
0.2
0.5
1
2
5
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 6
2SK1336
反向漏电流 -
源极到漏极电压
1.0
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
0.8
0.6
0.4
10 V
0.2
5V
V
GS
= 0, –5 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压V
SD
(V)
Rev.2.00 2005年9月7日第5 6
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