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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB757
描述
·带
TO- 3PN封装
高
集电极电流
ùWide
安全工作区
.Complement
键入2SD847
应用
·音频
扩增
·意甲
稳压器
■一般
目的功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-40
-40
-5
-15
-5
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
价值
1.56
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB757
最大
单位
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -0.1mA ;我
E
=0
-40
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -10mA ;我
B
=0
-40
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -0.1mA ;我
C
=0
-5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
-0.8
V
V
BESAT
基射极电压上
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
-1.8
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -40V ;我
E
=0
-10
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-100
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= -5A ; V
CE
=-2V
40
240
开关时间
μs
t
on
开启时间
I
C
=-15A;I
B1
=-I
B2
=-1.5A
R
L
=2Ω;P
W
=20μs,Duty≤2%
1.0
t
s
贮存时间
2.0
μs
t
f
下降时间
1.0
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB757
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB757
描述
·带
TO- 3PN封装
高
集电极电流
ùWide
安全工作区
.Complement
键入2SD847
应用
·音频
扩增
·意甲
稳压器
■一般
目的功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
固电
IN
导½
半
参数
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
ES
昂
CH
发射极开路
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
-40
-40
-5
-15
-5
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
开基
集电极开路
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
80
150
-55~150
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
价值
1.56
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB757
最大
单位
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -0.1mA ;我
E
=0
-40
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -10mA ;我
B
=0
-40
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -0.1mA ;我
C
=0
-5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
-0.8
V
V
BESAT
基射极电压上
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
-1.8
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -40V ;我
E
=0
-10
I
EBO
发射极截止电流
h
FE
开关时间
固电
IN
直流电流增益
导½
半
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-100
μA
I
C
= -5A ; V
CE
=-2V
t
on
开启时间
t
s
贮存时间
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
40
240
1.0
μs
2.0
μs
I
C
=-15A;I
B1
=-I
B2
=-1.5A
R
L
=2Ω;P
W
=20μs,Duty≤2%
t
f
下降时间
1.0
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB757
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB757
描述
·采用TO- 3PN封装
高集电极电流
·安全运行的广域
补键入2SD847
应用
音频扩增
意甲监管
通用功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-40
-40
-5
-15
-5
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
价值
1.56
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= -0.1mA ;我
E
=0
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
E
= -0.1mA ;我
C
=0
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
V
CB
= -40V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -5A ; V
CE
=-2V
40
民
-40
-40
-5
2SB757
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
h
FE
典型值。
最大
单位
V
V
V
-0.8
-1.8
-10
-100
240
V
V
A
A
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=-15A;I
B1
=-I
B2
=-1.5A
R
L
=2@;P
W
=20s,DutyB2%
1.0
2.0
1.0
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB757
图2外形尺寸
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB757
描述
·带
TO- 3PN封装
高
集电极电流
ùWide
安全工作区
.Complement
键入2SD847
应用
·音频
扩增
·意甲
稳压器
■一般
目的功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-40
-40
-5
-15
-5
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
价值
1.56
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB757
最大
单位
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -0.1mA ;我
E
=0
-40
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -10mA ;我
B
=0
-40
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -0.1mA ;我
C
=0
-5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
-0.8
V
V
BESAT
基射极电压上
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
-1.8
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -40V ;我
E
=0
-10
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-100
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= -5A ; V
CE
=-2V
40
240
开关时间
μs
t
on
开启时间
I
C
=-15A;I
B1
=-I
B2
=-1.5A
R
L
=2Ω;P
W
=20μs,Duty≤2%
1.0
t
s
贮存时间
2.0
μs
t
f
下降时间
1.0
μs
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB757
图2外形尺寸
3
J.Elieu ^ s.mi -L- onaactoi
I/
loaucti ，行。
20斯特恩AVE 。
SPRINGFIELD ，新泽西州07081
U.S.A.
电话： （ 973 ） 376-2922
(212) 227-6005
传真： （ 973 ） 376-8960
硅PNP功率晶体管
2SB757
描述
·采用TO- 3PN封装
高集电极电流
·安全运行的广域
补键入2SD847
应用
音频扩增
意甲监管
通用功率放大器
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
1
2
3
绝对最大额定值（ TC = 25
符号
VCBO
VCEO
VEBO
Ic
IB
PC
Tj
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
c
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-40
-40
-5
-15
-5
80
150
单位
V
V
V
A
A
W
-55-150
热特性
符号
RTH J-
参数
从结热阻到外壳
价值
1.56
单位
/W
质量半导体
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
2SB757
符号
典型值。
最大
单位
V（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
l
c
=-0.1mA;l
E
=0
-40
V
V（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
l
c
= -10mA ;我
B
=0
-40
V
V（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
l
E
= -0.1mA ;升
c
=0
-5
V
VCE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
-0.8
V
VBE （ SAT ）
基射极饱和电压
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
-1.8
V
ICBO
集电极截止电流
V
CB
= -40V ;我
E
=0
-10
uA
IEBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;升
c
=0
-100
uA
的hFE
直流电流增益
LC = -5A ; V
CE
=-2V
40
240
开关时间
吨
开启时间
lc=-15A;l
B
i=-lB2=-1.5A
R
L
=2n;P
w
=20us,Duty<2%
1.0
us
t
s
t
f
贮存时间
2.0
us
下降时间
1.0
us
I
t
-.-
1350
100
°
-
-J
480
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4260
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36.60
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26.60
25.00
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60
^3.40*8°'
^10 90'0.0
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2SJ213
2.5MSF/O16
2-1437723-5
2SC537
2SD1252AP
2SK1336TZ-E
24AA02B-E/SN
2SB1605A
2SB1355D
222428-1
2PLB5LB-110
2N6403
24AA025TISN
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    2SB757
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FUJITSU/富士通
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FUJITSU/富士通
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深圳市悦兴晨电子科技有限公司
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联系人：朱先生
地址：广东深圳福田区华强北上步工业区405栋6楼607
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FUJ
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