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2SK1334
硅N沟道MOS FET
REJ03G0932-0200
（上一个： ADE- 208-1271 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器和DC-DC转换器
概要
瑞萨封装代码： PLZZ0004CA -A
（包名称： UPAK
R
)
3
2 1
G
4
D
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
注意：
标记为“ BY” 。
* UPAK是瑞萨科技公司的商标。
Rev.2.00 2005年9月7日第1页6
2SK1334
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
PCH
*2
*1
评级
200
±20
1
2
1
1
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
总胆固醇
TSTG
°
C
°
C
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.当使用的氧化铝陶瓷板（ 12.5
×
20
×
0.7 mm)
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
200
±20
—
—
2.0
—
—
0.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
2.5
4.5
0.6
80
40
7
5
8
10
7
1.0
75
最大
—
—
±10
50
4.0
3.8
7.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 1 A，V
GS
= 0
I
F
= 1 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 50 A / μs的
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 0.5 A ，V
GS
= 10 V *
3
I
D
= 2 A，V
GS
= 10 V *
I
D
= 0.5 A ，V
DS
= 10 V *
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 0.5 A ，V
GS
= 10 V,
R
L
= 60
3
3
Rev.2.00 2005年9月7日第2 6
2SK1334
主要特点
功率与温度降额
1.2
最高安全工作区
5
REA
S A
上）
THI
(
10
在研发
DS
n
s
蒂奥通过
10
ra
0
PE imite
PW
1
0 1
M传
is
=
s
D
10
C
O
m
pe
s
(1
ra
TIO
Sh
n
ot
(T
)
C
=
25
°
C
)
TA = 25
°
C
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
测试条件：当使用氧化铝
陶瓷板
(12.5
×
20
×
0.7 mm)
0.8
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.4
0
50
100
150
1
3
10
30
100
300 1,000
环境温度Ta （C ）
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
2.0
10 V
1.6
8V
7V
6V
脉冲测试
2.0
典型的传输特性
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
1.6
V
DS
= 10 V
脉冲测试
1.2
1.2
0.8
5V
0.4
4V
0
4
8
12
16
20
V
GS
= 3 V
0.8
0.4
75°C
T
C
= 25°C
–25°C
2
4
6
8
10
0
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
20
脉冲测试
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
50
脉冲测试
20
10
5
2
1
0.5
0.05
V
GS
= 10 V
15 V
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
16
12
I
D
= 2 A
8
4
1A
0.5 A
4
8
12
16
20
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
0
0.1
0.2
0.5
1
2
5
漏极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页6
2SK1334
静态漏源导通状态
电阻与温度
10
V
GS
= 10 V
脉冲测试
I
D
= 2 A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
与漏电流
正向转移导纳
y
fs
(S)
5
V
DS
= 10 V
脉冲测试
2
1
0.5
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
8
6
1A
0.5 A
4
2
0.2
0.1
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
0
–40
0
40
80
120
160
案例温度T
C
(°C)
反向恢复时间对比
反向漏电流
反向恢复时间吨RR （ NS ）
500
的di / dt = 50A / μs的，TA = 25℃
V
GS
= 0
1,000
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
电容C （PF ）
200
100
50
100
西塞
科斯
20
10
10
CRSS
5
0.05
1
0.1
0.2
0.5
1
2
5
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏源极电压VDS （ V）
栅极至源极电压V
GS
(V)
500
V
DD
= 150 V
100 V
400
50 V
300
V
GS
V
DS
V
DD
= 150 V
100 V
50 V
2
4
6
8
10
I
D
= 1 A
20
16
100
50
开关特性
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 2
s,
值班< 1 ％
t
f
t
D（关闭）
t
r
5
2
1
0.05
t
D（上）
开关时间t（ NS ）
20
10
12
8
200
100
4
0
0
0.1
0.2
0.5
1
2
5
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 6
2SK1334
反向漏电流 -
源极到漏极电压
2.0
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
1.6
1.2
0.8
0.4
10 V, 15 V
V
GS
= 0, –5 V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压V
SD
(V)
Rev.2.00 2005年9月7日第5 6
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