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2SK3175A
硅N沟道MOS FET
UHF功率放大器
ADE - 208-1452 ( Z)
1日。版
2001年9月
特点
高输出功率,高增益,高效率
P
1dB
= 110 W, PG = 16.0分贝,
ηD
= 60% (以P
1dB
) (典型值) 。 ( F = 860MHz的)
紧凑的封装
概要
RFPAK -G
3
D
2
G
1
1.漏
2.源
3.门
S
此设备是静电放电敏感。适当的处理程序要求。
在AC测试,该部分应安装在用热复合散热器。
2SK3175A
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
散热通道
通道温度
储存温度
注意:
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
Note2
PCH
Note3
总胆固醇
TSTG
Note1
评级
60
±10
8
16
126
175
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
1.引脚= 0 , PW
0.1秒
2. PW
10毫秒,占空比
50 %
3.价值在Tc = 25℃
电气特性
( TC = 25 ° C)
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出功率
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
1.0
4.0
100
典型值
2.2
6.7
165
4
135
最大
1
±3
3.0
单位
mA
A
V
S
pF
pF
W
测试条件
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
V
GS
= ±10V, V
DS
= 0
I
D
= 1mA时, V
DS
= 10V
V
DS
= 10V ,我
D
= 5A
Note4
V
GS
= 5V, V
DS
= 0
F = 1MHz的
V
DG
= 10V, V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
DS
= 28V ,我
DQ
= 0.6A
F = 860 MHz的
PIN = 7瓦
V
DS
= 28V ,我
DQ
= 0.6A
F = 860 MHz的
PIN = 7瓦
|y
fs
|
西塞
CRSS
排水理性
ηD
65
%
注意:
4.脉冲测试
Rev.0 , 2001年8月,第8页2
2SK3175A
主要特点
功率与温度降额
200
P沟(W)的
I
D
(A)
最高安全工作区
50
150
20
DC
10
5
2
1
0.5
O
TIO
ra
pe
散热通道
100
漏电流
n
(T
c
=
°
C
25
)
50
0
50
100
150
TC ( ℃)
200
1
外壳温度
10
20
50 100
2
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
20
10 V
8V
6V
I
D
(A)
I
D
(A)
典型的传输特性
20
V
DS
= 10 V
脉冲测试
16
16
5V
12
脉冲测试
8
4V
4
V
GS
= 3 V
0
2
4
6
漏源极电压
8
10
V
DS
(V)
12
漏电流
漏电流
8
4
0
1
2
3
4
栅极至源极电压
5
6
V
GS
(V)
Rev.0 , 2001年8月,第8页3
2SK3175A
正向转移导纳主场迎战
漏电流
漏极至源极电压Saturatioin对比
漏电流
5
2
1
0.5
0.2
0.1
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.1 0.2
V
DS
= 10 V
脉冲测试
1
2
漏电流I
D
(A)
0.5
5
10
20
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
0.05
0.02
0.01
0.1 0.2
V
GS
= 10 V
脉冲测试
5 10 20
0.5 1 2
漏电流I
D
(A)
50
门源截止电压主场迎战
环境温度
输入电容与
栅极至源极电压
170
门源截止电压
V
GS ( OFF )
(V)
3.6
输入电容西塞(PF )
3.2
1A
165
160
155
150
145
140
-10
V
DS
= 0
F = 1 MHz的
-6
-2
2
6
10
2.8
百毫安
2.4
10毫安
I
D
= 1
2.0
V
DS
= 10 V
1.6
- 25
0
25
50
75
mA
100
的Ta (℃)
125
环境温度
栅极至源极电压V
GS
(V)
Rev.0 , 2001年8月,第8第4页
2SK3175A
反向传输电容的Crss (PF )
输出电容与
漏源极电压
1000
输出电容科斯(PF )
反向传输电容主场迎战
漏极至栅极电压
100
50
20
10
5
2
1
1
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
500
200
100
50
20
10
1
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
2
5
10
20
50
100
2
5
10
20
50
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏门Voltege V
DG
(V)
160
输出功率大,漏理性
随输入功率
排水理性与输出功率
80
80
额定功率Pout (W)的
排水理性
η
D
(%)
120
η
D
排水理性
η
D
(%)
60
60
80
40
40
40
V
DS
= 28 V
I
DQ
= 0.6 A
F = 860 MHz的
1
2
3
4
5
6
7
20
20
V DS = 28 V
I
DQ
= 0.6 A
F = 860 MHz的
0
25
50
75
100
125
150
0
0
0
0
额定功率Pout (W)的
输入功率Pin ( W)
Rev.0 , 2001年8月,第8第5页
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