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2SK1299 (L) 2SK1299 (S)
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
4 V栅极驱动器
可从5 V电源驱动
适用于电机驱动器,DC-DC转换器,功率开关和螺线管驱动
概要
DPAK-1
4
4
1
1
D
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
2
3
2 3
2SK1299 (L) 2SK1299 (S)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在T
C
= 25°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
100
±20
3
12
3
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
2
2SK1299 (L) 2SK1299 (S)
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
符号最小值
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
100
±20
1.0
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
注意:
1.脉冲测试
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
2.4
典型值
0.25
0.30
4.0
400
165
45
5
35
160
60
1.0
135
最大
±10
100
2.0
0.35
0.45
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 3 A,V
GS
= 0
I
F
= 3 A,V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 50 A / μs的
I
D
= 2 A,V
GS
= 10 V,
R
L
= 15
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安, V
DS
= 10 V
I
D
= 2 A,V
GS
= 10 V *
1
I
D
= 2 A,V
GS
= 4 V
1
*
I
D
= 2 A,V
DS
= 10 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
零栅极电压漏极电流I
DSS
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
3
2SK1299 (L) 2SK1299 (S)
功率与温度降额
30
通道耗散P沟(W)的
最高安全工作区
50
在这一领域
20是由R的限制
DS ( ON)
10
漏电流I
D
(A)
10
s
0
10
20
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
PW
s
=
10
1
m
m
s
s
n
TIO
RA C)
PE °
O 25
C =
牛逼
C
(
(1
10
Sh
ot
)
TA = 25°C
1
2
5 10 20 50 100 200 500 1000
漏极至源极电压V
DS
(V)
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
典型的输出特性
10
10 V
5V
4.5 V
4V
4
3.5 V
漏电流I
D
(A)
5
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
8
漏电流I
D
(A)
6
3
4
3V
V
GS
= 2.5 V
脉冲测试
2
2
1
25°C
75°C
T
C
= –25°C
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
0
3
1
2
4
栅极至源极电压V
GS
(V)
5
4
2SK1299 (L) 2SK1299 (S)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
2.0
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
脉冲测试
1.6
I
D
= 5 A
1.2
5
脉冲测试
2
1
0.5
V
GS
= 4 V
0.2
0.1
0.05
0.2
10 V
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
0.8
2A
0.4
1A
0
6
2
4
8
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
0.5
1
5
2
10
漏电流I
D
(A)
20
静态漏源导通状态
电阻与温度
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
正向转移导纳
yfs
(S)
0.5
I
D
= 5 A
2A
1A
5A
1A
0.2
10 V
2A
10
正向转移导纳
与漏电流
V
DS
= 10 V
5脉冲测试
T
C
= –25°C
0.4
V
GS
= 4 V
0.3
2
75°C
1
0.5
25°C
0.1
脉冲测试
0
–40
0
40
120
80
案例温度T
C
(°C)
160
0.2
0.1
0.05
1.0
2
0.2
1
0.5
漏电流I
D
(A)
5
5
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