2SK1299 (L) 2SK1299 (S)
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
4 V栅极驱动器
可从5 V电源驱动
适用于电机驱动器,DC-DC转换器,功率开关和螺线管驱动
概要
DPAK-1
4
4
1
1
D
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
2
3
2 3
2SK1299 (L) 2SK1299 (S)
功率与温度降额
30
通道耗散P沟(W)的
最高安全工作区
50
在这一领域
20是由R的限制
DS ( ON)
10
漏电流I
D
(A)
10
s
0
10
20
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
PW
s
=
10
1
m
m
s
s
n
TIO
RA C)
PE °
O 25
C =
牛逼
C
(
(1
10
Sh
ot
)
TA = 25°C
1
2
5 10 20 50 100 200 500 1000
漏极至源极电压V
DS
(V)
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
典型的输出特性
10
10 V
5V
4.5 V
4V
4
3.5 V
漏电流I
D
(A)
5
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
8
漏电流I
D
(A)
6
3
4
3V
V
GS
= 2.5 V
脉冲测试
2
2
1
25°C
75°C
T
C
= –25°C
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
0
3
1
2
4
栅极至源极电压V
GS
(V)
5
4