1兆位（ 128K ×8位） -
OTP EPROM
A5
27C010T
V
PP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
32
V
CC
PGM
NC
A14
A13
A8
A9
A9
X解码器
A12
A16
1024 x 1024
存储矩阵
I/O0
I/O7
输入
数据
控制
Y型GATING
y解码器
27C010T
A11
OE
A10
CE
CE
I/O7
OE
I/O6
PGM
A0-A4
V
CC
V
PP
H
H
：高阈值反相
A10-A11
I/O5
I/O4
16
17
I/O3
内存
V
SS
逻辑图
F
EATURES
:
128K ×8位OTP EPROM组织
R
AD
-P
AK
抗辐射对自然空间辐射
化
总剂量硬度：
- >100拉德（SI ） ，根据航天任务
卓越的单粒子效应：
- SEL
TH
LET ： > 80兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU
TH
LET （读取模式）： >80兆电子伏/毫克/平方厘米
2
??包装：
- 32引脚
AD
-P
AK
扁平封装
- 重量 - 6.0克
快速存取时间：
- 120 ， 150 ，的200ns （最大值）的可用时间
低功耗：
- 主动模式： 50毫瓦/ MHz（典型值）
- 待机模式： 5μW （典型值）
高速网页和字编程：
- 页编程时间： 14秒（典型值）
编程电源：
- V
PP
= 12.5 V ± 0.3 V
一次性可编程
管脚配置
- JEDEC标准的字节宽度的EPROM
- 闪存和掩模ROM兼容
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术
“ 27C010T高密度的1兆位
一次性可编程电可编程只读
只读存储器微电路设有超过100拉德（SI ）
总剂量耐受性，取决于航天飞行任务。该
27C010T具有快速地址，时间和低功率耗散
化。该27C010T提供了使用页面高速编程
编程模式。该27C010T提供的JEDEC -斯坦
达尔德字节宽度的EPROM引脚，允许插座替换 -
精神疾病与Flash存储器和面膜光盘。
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽，同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上，R
AD
-P
AK
提供大于100
拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选来上课S.
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T
ABLE
1. 27C010T P
INOUT
D
ESCRIPTION
P
IN
12-5, 27, 26, 23, 25,
4, 28, 29, 3 ,2
22
24
32
1
16
31
30
S
YMBOL
A0 - A16
I / O0 - I / O7
CE
OE
V
CC
V
PP
V
SS
PGM
NC
D
ESCRIPTION
地址
输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源
编程电源
地
编程启用
无连接
27C010T
内存
T
ABLE
2. 27C010T一
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
P
ARAMETER
电源电压
1
编程电压
1
所有的输入和输出电压
1,2
A9电压
2
工作温度范围
存储温度范围
1.相对于V
SS
.
2. V
IN
, V
OUT
和V
ID
分= -1.0V脉冲宽度< 20纳秒。
S
YMBOL
V
CC
V
PP
V
IN
, V
OUT
V
ID
T
A
T
S
M
IN
-0.6
-0.6
-0.6
-0.6
-55
-65
M
AX
7.0
13.5
7.0
13.0
+125
+150
U
NIT
V
V
V
V
°
C
°
C
T
ABLE
3. D
ELTA
L
IMITS
P
ARAMETER
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
3
ISB
V
ARIATION
的值的± 10％的指定的表6
的值的± 10％的指定的表6
的值的± 10％的指定的表6
的值的± 10％的指定的表6
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T
ABLE
4. 27C010T
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
P
ARAMETER
电源电压
输入电压
热阻抗
工作温度范围
1. V
IL
分= -1.0V脉冲宽度< 50纳秒。
2. V
IH
最大值= V
CC
+ 1.5V脉冲宽度< 20纳秒。
S
YMBOL
V
CC
V
IL
V
IH
T
A
M
IN
4.5
-0.3
1
2.2
--
-55
27C010T
M
AX
5.5
0.8
V
CC
+1
2
1.27
+125
° C / W
°
C
U
尼特
V
V
Θ
JC
T
ABLE
5. 27C010T
APACITANCE 1
P
ARAMETER
输入电容
输出电容
1.设计保证。
S
YMBOL
C
IN
C
OUT
M
IN
--
--
M
AX
10
15
U
NIT
pF
pF
内存
T
ABLE
6. 27C010T DC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
R
EAD
O
PERATION
(V
CC
= 5V ± 10%, V
PP
= V
SS
, T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
输入漏电流
输出漏电流
待机V
CC
当前
工作V
CC
当前
S
YMBOL
I
LI
I
LO
I
SB
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
PP
当前
输入电压
输出电压
I
PP1
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
OH
= -400 A
I
OL
= 2.1毫安
T
美东时间
C
ONDITION
V
IN
= 5.5V
V
OUT
= 5.5V/0.45V
CE = V
IH
I
OUT
= 0 mA时， CE = V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F = 5兆赫
I
OUT
= 0 mA时， F = 10 MHz的
V
PP
= 5.5V
S
UB
G
ROUPS
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
M
IN
--
--
--
--
--
--
--
2.2
--
2.4
--
T
YP
--
--
--
--
--
--
1
--
--
--
--
M
IN
2
2
1
30
30
50
20
--
0.8
--
0.45
V
A
V
U
NIT
A
A
mA
mA
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27C010T
T
ABLE
7. 27C010T AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
R
EAD
O
PERATION 1
(V
CC
= 5V ± 10%, V
PP
= V
SS
, T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
地址访问时间
- 120
- 150
- 200
芯片使能存取时间
- 120
- 150
- 200
输出启用访问时间
- 120
- 150
- 200
输出保持到地址变更
- 120
- 150
- 200
输出禁止到高阻
2
- 120
- 150
- 200
T
美东时间
C
ONDITION
CE = OE = V
IL
S
YMBOL
t
加
S
UB
G
ROUPS
9, 10, 11
--
--
--
9, 10, 11
--
--
--
9, 10, 11
--
--
--
9, 10, 11
0
0
0
9, 10, 11
0
0
0
50
50
50
--
--
--
ns
60
70
70
ns
120
150
200
ns
120
150
200
ns
M
IN
M
AX
U
NIT
ns
OE = V
IL
t
CE
CE = V
IL
t
OE
CE = V
IL
t
OH
内存
CE = OE = V
IL
t
DF
1.测试条件：
- 输入脉冲电平0.45V / 2.4V
- 输入上升和下降时间
＆ LT ;
10纳秒
- 输出负载1 TTL门+ 100 pF的（包括范围和夹具）
- 参考电平测量时序0.8V / 2.0V
2. t
DF
被定义为在其输出成为一个开放电路和数据将不再被驱动的时间。
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27C010T
T
ABLE
8. 27C010T DC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
P
AGC软件
O
PERATIONS 1,2,3,4
(V
CC
= 6.25V + 0.25V, V
PP
= 12.5V + 0.3V ，T
A
= 25
°
C)
P
ARAMETER
输入漏电流
工作V
CC
当前
工作V
PP
当前
输入电压
5
输出电压
S
YMBOL
I
LI
I
CC
I
PP
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
OH
= -400 A
I
OH
= 2.1毫安
CE = PGM = V
IL
T
美东时间
C
ONDITION
V
IN
= 0V至V
CC
S
UB
G
ROUPS
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
M
IN
--
--
--
2.2
-0.1
7
2.4
--
M
AX
2
30
40
V
CC
+5
6
0.8
--
0.45
V
U
NIT
A
mA
mA
V
1. V
CC
V之前，必须应用
PP
和V后取出
PP
.
2. V
PP
不得超过13V ，计有超调。
3.不要更改V
PP
从V
IL
为12.5V或12.5V到V
IL
当CE =低。
四是直流电外观和数据进行编程操作时未经测试。这些参数由设计保证。
如果该设备被安装时或V除去5.装置可靠性可能受到不利影响
PP
= 12.5V.
6.如果V
IH
超过规定的最大值，编程操作不能保证。
7. V
IL
分= -0.6V脉冲宽度< 20纳秒。
内存
T
ABLE
9. 27C010T AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
P
AGC软件
O
PERATIONS 1,2
(V
CC
= 6.25V + 0.25V, V
PP
= 12.5V ± 0.3V ，T
A
= 25
°
C)
P
ARAMETER
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
芯片使能建立时间
V
PP
建立时间
V
CC
建立时间
输出使能设置时间
输出禁止时间
PGM初始编程脉冲宽度
PGM Overprogramming脉冲宽度
数据有效的输出使能时间
输出使能脉冲期间数据锁存器
输出使能保持时间
芯片使能保持时间
S
YMBOL
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
CES
t
VPS
t
VCS
t
OES
t
DF
t
PW
t
OPW
t
OE
t
LW
t
OEH
t
CEH
S
UB
G
ROUPS
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
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M
IN
2
0
2
2
2
2
2
2
0
0.19
0.19
0
1
2
2
T
YP
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.20
--
--
--
--
--
M
AX
--
--
--
--
--
--
--
--
130
0.21
5.25
150
--
--
--
U
NIT
s
s
s
s
s
s
s
s
ns
ms
ms
ns
s
s
s
所有数据表如有变更，恕不另行通知
5
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版权所有。
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