【2SK1254 （L） 2SK1254 （S）硅N沟道MOS FETREJ03G0917-0200（】,IC型号2SK1254L,2SK1254L PDF资料,2SK1254L经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK1254 （L） 2SK1254 （S）

硅N沟道MOS FET

REJ03G0917-0200

（上一个： ADE- 208-1255 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

4 V栅极驱动器

可从5 V电源驱动

适用于电机驱动器，DC-DC转换器，功率开关和螺线管驱动

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -A

（包名称： DPAK （ L） - （ 1 ））

4

D

4

G

1.门

2.漏

3.源

4.漏

S

1

2

3

瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -C

（包名称： DPAK （ S））

1

2

3

Rev.2.00 2005年9月7日第1页7

2SK1254 （L） 2SK1254 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在T

C

= 25

°

C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

*1

评级

120

±20

3

12

3

20

150

-55到+150

单位

V

A

W

°

C

PCH

*2

总胆固醇

TSTG

°

C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注意：

3.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

120

±20

—

1.0

—

2.4

—

典型值

—

0.30

0.35

4.0

420

190

25

5

20

150

45

0.95

160

最大

—

±10

100

2.0

0.40

0.55

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

I

F

= 3 A，V

GS

= 0

I

F

= 3 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 50 A / μs的

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100

μA ，V

DS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

V

DS

= 100 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 2 A，V

GS

= 10 V *

3

I

D

= 2 A，V

GS

= 4 V *

I

D

= 2 A，V

DS

= 10 V *

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

I

D

= 2 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 15

3

Rev.2.00 2005年9月7日第2 7

2SK1254 （L） 2SK1254 （S）

主要特点

功率与温度降额

30

50

20

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

D

(A)

10

5

2

1.0

0.5

PW

s

10

0

10

20

=

10

DC

O

m

1

s

m

(1

Sh

ot

s

pe

t

ra

io

10

0

50

100

150

操作在此

0.2

面积有限

由R

DS

（上）

0.1

TA = 25°C

0.05

1

3

10

30

n

(T

C

)

=

)

°

C

25

100

300

1,000

案例温度T

C

(°C)

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

5

10 V

脉冲测试

4V

3V

3

5

典型的传输特性

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

4

V

DS

= 10 V

脉冲测试

3

2

2.5 V

1

V

GS

= 2 V

0

4

8

12

16

20

2

1

75°C

T

C

= 25°C

1

2

3

–25°C

0

4

5

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

2.0

脉冲测试

1.6

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

漏极至源极饱和电压

与门源电压

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

5

脉冲测试

V

GS

= 4 V

2

1.0

0.5

1.2

3A

0.8

2A

0.4

I

D

= 1 A

10 V

0.2

0.1

0.05

0.2

0

2

4

6

8

10

0.5

1.0

2.0

5.0

10

20

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页7

2SK1254 （L） 2SK1254 （S）

静态漏源导通状态

电阻与温度

正向转移导纳

y

fs

(S)

1.0

脉冲测试

I

D

= 3 A

0.6

1, 2 A

V

GS

= 4 V

3A

1, 2 A

10

V

DS

= 10 V

5脉冲测试

2

1.0

0.5

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳

与漏电流

–25°C

T

C

= 25°C

75°C

0.8

0.4

V

GS

= 10 V

0.2

0.1

0.05 0.1

0

–40

0

40

80

120

160

0.2

0.5

1.0

2

5

案例温度T

C

(°C)

体漏二极管反向

恢复时间

500

1,000

的di / dt = 50A / μs的，TA = 25℃

V

GS

= 0

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

典型电容

与漏极至源极电压

反向恢复时间trr （ NS ）

西塞

电容C （PF ）

200

100

50

100

科斯

CRSS

10

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

1

20

10

5

0.1

0.2

0.5

1.0

2

5

10

0

10

20

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

100

开关特性

栅极至源极电压V

GS

(V)

20

500

t

D（关闭）

V

GS

= 10 V V

DD

= 30 V

PW = 2

s,

税

＆ LT ;

1 %

漏极至源极电压V

DS

(V)

V

DS

开关时间t（ NS ）

80

V

DD

= 25 V

50 V

80 V

16

200

100

50

60

V

GS

12

40

V

DD

= 80 V

50 V

25 V

8

16

24

I

D

= 3 A

8

t

f

20

10

20

4

t

r

t

D（上）

0

32

0

40

5

1.0

0.2

0.5

1.0

2

5

10

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 7

2SK1254 （L） 2SK1254 （S）

反向漏电流 -

源极到漏极电压

5

反向漏电流I

DR

(A)

4

脉冲测试

3

10 V

15 V

2

1

V

GS

= 0, –5 V

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压V

SD

(V)

归瞬态热阻抗

γ

S

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

3

D=1

0.5

0.3

0.1

0.2

T

C

= 25°C

1.0

0.03

0.1

0.05

0.02

0.01

1

0.01

10

ULSE

OT P

Sh

100

1m

10 m

θch -C

(t) =

γ

S

(t)

θch -C

= 6.25 ° C / W ，T

C

= 25°C

P

DM

PW

D=

T

PW

T

100 m

1

10

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

输入电压监视器

VOUT监控

D.U.T

R

L

VIN

VOUT

10 %

波形

90 %

10 %

90 %

tr

90 %

TD （关闭）

10 %

50

VIN = 10 V

V

DD

= 30 V

TD （上）

tf

Rev.2.00 2005年9月7日第5 7

2SK1254 （L） 2SK1254 （S）

硅N沟道MOS FET

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

4 V栅极驱动器

可从5 V电源驱动

适用于电机驱动器，DC-DC转换器，功率开关和螺线管驱动

概要

DPAK-1

4

1

D

G

1.门

2.漏

3.源

4.漏

S

2

3

2 3

2SK1254 （L） 2SK1254 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在T

C

= 25°C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

1

I

DR

PCH *

2

总胆固醇

TSTG

评级

120

±20

3

12

3

20

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

2

2SK1254 （L） 2SK1254 （S）

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号最小值

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

120

±20

—

1.0

—

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

注意：

1.脉冲测试

| YFS |

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

2.4

—

典型值

—

0.30

0.35

4.0

420

190

25

5

20

150

45

0.95

160

最大

—

±10

100

2.0

0.40

0.55

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

I

F

= 3 A，V

GS

= 0

I

F

= 3 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 50 A / μs的

I

D

= 2 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 15

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

V

DS

= 100 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 2 A，V

GS

= 10 V *

1

I

D

= 2 A，V

GS

= 4 V *

1

I

D

= 2 A，V

DS

= 10 V *

1

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

零栅极电压漏极电流I

DSS

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

3

2SK1254 （L） 2SK1254 （S）

功率与温度降额

30

通道耗散P沟（W）的

50

20

漏电流I

D

(A)

10

5

2

1.0

0.5

s

10

0

10

最高安全工作区

20

PW

DC

O

=

10

m

1

s

m

(1

Sh

ot

s

r

pe

n(

io

at

10

0

50

100

案例温度T

C

(°C)

150

)

操作在此

0.2

面积有限

由R

DS （ ON）

0.1

TA = 25°C

0.05

3

30

1

10

100 300 1,000

漏极至源极电压V

DS

(V)

=

T

C

°

25

C)

典型的输出特性

5

10 V

4

漏电流I

D

(A)

3V

3

漏电流I

D

(A)

脉冲测试

4V

4

5

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

3

2

2.5 V

1

V

GS

= 2 V

0

4

8

12

16

漏极至源极电压V

DS

(V)

20

2

1

75°C

T

C

= 25°C

–25°C

0

1

2

3

4

栅极至源极电压V

GS

(V)

5

4

2SK1254 （L） 2SK1254 （S）

漏极至源极饱和电压

与门源电压

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

2.0

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

PulseTest

1.6

5

脉冲测试

V

GS

= 4 V

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

2

1.0

0.5

1.2

3A

0.8

2A

0.4

I

D

= 1 A

10 V

0.2

0.1

0.05

0.2

0

2

4

6

8

栅极至源极电压V

GS

(V)

10

0.5 1.0 2.0

5.0

漏电流I

D

(A)

10

20

静态漏源导通状态

电阻与温度

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳

yfs

(S)

1.0

脉冲测试

I

D

= 3 A

0.6

1, 2 A

V

GS

= 4 V

3A

1, 2 A

10

正向转移导纳

与漏电流

V

DS

= 10 V

5脉冲测试

2

1.0

0.5

–25°C

T

C

= 25°C

75°C

0.8

0.4

V

GS

= 10 V

0.2

0.1

0.05 0.1

0

–40

0

40

80

120

案例温度T

C

(°C)

160

2

0.2

0.5 1.0

漏电流I

D

(A)

5