【2SC2855 ， 2SC2856NPN硅外延ADE - 208-1079 （ Z）1日。版2001】,IC型号2SC2855D,2SC2855D PDF资料,2SC2855D经销商,ic,电子元器件-51电子网

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2SC2855 ， 2SC2856

NPN硅外延

ADE - 208-1079 （ Z）

1日。版

2001年3月

应用

低频率的低噪声放大器

互补配对2SA1190与2SA1191

概要

TO-92 （1）

1.发射器

2.收集

3. BASE

3

2

1

2SC2855 ， 2SC2856

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

发射极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

E

P

C

Tj

TSTG

2SC2855

90

90

5

100

–100

400

150

-55到+150

2SC2856

120

120

5

100

–100

400

150

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mA

mW

°C

°C

2

2SC2855 ， 2SC2856

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SC2855

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极到发射极

饱和电压

符号最小值

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

*

1

V

CE （ SAT ）

90

90

5

—

—

250

—

—

—

—

—

—

噪声电压简称

输入

e

n

—

典型值

—

—

—

—

—

—

2SC2856

最大最小

—

—

—

0.1

0.1

800

120

120

5

—

—

250

典型值

—

—

—

—

—

—

最大单位

—

—

—

0.1

0.1

800

V

V

V

A

A

测试条件

I

C

= 10

A,

I

E

= 0

I

C

= 1毫安，R

BE

=

∞

I

E

= 10

A,

I

C

= 0

V

CB

= 70 V，I

E

= 0

V

EB

= 2 V，I

C

= 0

V

CE

= 12 V，I

C

= 2毫安*

2

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1毫安*

2

0.05 0.10 —

0.7

310

3

1.0

—

—

—

—

—

—

—

—

0.05 0.10 V

0.7

310

3

1.0

—

—

V

兆赫

pF

dB

dB

基地发射极饱和V

BE （ SAT ）

电压

增益带宽积

集电极输出

电容

噪声系数

f

T

COB

NF

V

CE

= 6 V，I

C

= 10毫安

V

CB

= 10 V，I

E

= 0,

F = 1 MHz的

V

CE

= 6 V，I

C

= 0.1毫安，

R

g

= 10 kΩ的， F = 1千赫

V

CE

= 6 V，I

C

= 0.1毫安，

R

g

= 10 kΩ的， F = 10赫兹

0.15 1.5

0.2

0.7

2.0

—

0.15 1.5

0.2

0.7

2.0

—

内华达州/ √Hz的V

CE

= 6 V，I

C

= 10毫安，

R

g

= 0中，f = 1千赫

注：1. 2SC2855和2SC2856是用h分组

FE

如下。

2.脉冲测试

D

250至500

E

400至800

3

2SC2855 ， 2SC2856

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率P

C

（ mW）的

600

20

典型的输出特性

26

24

22

20

18

16

14

12

10

400

集电极电流I

C

（MA ）

16

P

C

12

=

40

0

m

W

8

200

4

8

6

4

2

A

I

B

= 0

0

50

100

环境温度Ta （C ）

150

0

20

40

60

80

100

集电极到发射极电压V

CE

(V)

典型的输出特性

10

典型的传输特性

100

集电极电流I

C

（MA ）

V

CE

= 6 V

脉冲

TA = 75℃

10

25°C

–25°C

1.0

18

集电极电流I

C

（MA ）

8

16

14

6

12

10

8

4

6

2

4

2

A

I

B

= 0

0

4

8

12

16

20

集电极到发射极电压V

CE

(V)

0.1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

基极至发射极电压V

BE

(V)

4

2SC2855 ， 2SC2856

集电极截止电流 -

集电极 - 基极电压

1,000

集电极截止电流I

CBO

（ PA ）

°

C

75

集电极截止电流与集电极

发射极电压

1,000

集电极截止电流I

首席执行官

（ nA的）

100

Ta

=

25

–25

100

=

Ta

C

75

°

25

10

10

–25

1.0

1.0

0.1

0

20

40

60

80

100

集电极基极电压V

CB

(V)

0.1

0

20

40

60

80

100

集电极到发射极电压V

CE

(V)

发射极截止电流vs.Emitter到

基极电压

集电极到发射极击穿电压

V

（ BR ） CER

(V)

1,000

发射极截止电流I

EBO

（ PA ）

190

集电极到发射极击穿

电压与基地发射极电阻

典型的价值

I

C

= 1毫安

75

°

C

100

180

Ta

=

25

170

–2

10

5

160

1.0

150

0.1

0

2

4

6

8

发射器基极电压V

EB

(V)

10

140

10

100

1k

10 k

100 k

基极 - 射极电阻R

BE

()

5

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