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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第638页 > 2SK1167
2SK1167 ， 2SK1168
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器和DC-DC转换器
概要
TO-3P
D
G
1
2
3
1.门
2.漏
（法兰）
3.源
S
2SK1167 ， 2SK1168
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
2SK1167
2SK1168
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25°C
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
符号
V
DSS
评级
450
500
±30
15
60
15
100
150
-55到+150
V
A
A
A
W
°C
°C
单位
V
2
2SK1167 ， 2SK1168
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏极至源极
击穿电压
符号最小值
2SK1167 V
（ BR ） DSS
2SK1168
V
（ BR ） GSS
I
GSS
450
500
±30
—
—
—
—
—
—
±10
250
V
A
A
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 360 V, V
GS
= 0
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0
V
GS （ OFF ）
2.0
—
—
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.25
0.30
13
2050
600
75
30
110
150
70
1.0
500
3.0
0.36
0.40
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 15 A，V
GS
= 0
I
F
= 15 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 3.75
I
D
= 8 A，V
DS
= 10 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V *
1
典型值
—
最大
—
单位
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
栅源击穿
电压
门源漏电流
零栅极电压
漏电流
2SK1167我
DSS
2SK1168
门源截止电压
静态漏源2SK1167
DS （ ON）
导通状态电阻
2SK1168
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
注意：
1.脉冲测试
3
2SK1167 ， 2SK1168
功率与温度降额
100
150
通道耗散P沟（W）的
30
漏电流I
D
(A)
D
PW
最高安全工作区
10
s
10
0
=
s
100
10
3
1.0
0.3
50
1
s
pe
0 m
ra
TIO
s (1
n
Sh
(T
ot
C
=
)
25
°C
在这一领域
)
由R有限公司
DS （ ON）
C
1
O
m
TA = 25℃
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
0.1
1
2SK1168
2SK1167
3
10
30
100 300 1,000
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
20
20
10 V
6V
漏电流I
D
(A)
脉冲测试
12
5.0 V
5.5 V
16
典型的传输特性
V
DS
= 20 V
脉冲测试
16
漏电流I
D
(A)
12
8
4.5 V
4
V
GS
= 4V
0
4
8
12
20
16
漏极至源极电压V
DS
(V)
8
4
75°C
–25°C
T
C
= 25°C
0
2
4
6
8
栅极至源极电压V
GS
(V)
10
4
2SK1167 ， 2SK1168
漏极至源极饱和电压
与门源电压
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
10
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
脉冲测试
20 A
6
5
2
1.0
0.5
V
GS
= 10 V
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
脉冲测试
8
4
2
10 A
I
D
= 5 A
0.2
0.1
0.05
1
2
10 20
5
漏电流I
D
(A)
15 V
0
4
8
12
16
20
50
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与温度
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
yfs
(S)
1.0
V
GS
= 10 V
脉冲测试
I
D
= 20 A
正向转移导纳主场迎战漏电流
50
20
10
5
V
DS
= 20 V
脉冲测试
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
0.8
0.6
0.4
5A
0.2
10 A
2
1.0
0.5
0.2
0
–40
0
40
80
120
案例温度T
C
(°C)
160
2
0.5 1.0
5
漏电流I
D
(A)
10
20
5
2SK1167 ， 2SK1168
硅N沟道MOS FET
REJ03G0915-0200
（上一个： ADE- 208-1253 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器和DC-DC转换器
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZE -A
（包名称： TO- 3P ）
D
G
1.门
2.漏
（法兰）
3.源
1
2
S
3
Rev.2.00 2005年9月7日第1页6
2SK1167 ， 2SK1168
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25
°
C
2SK1167
2SK1168
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
I
DR
2
PCH *
总胆固醇
TSTG
1
符号
V
DSS
评级
450
500
±30
15
60
15
100
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏极至源极
击穿电压
2SK1167
2SK1168
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
450
500
±30
—
—
2.0
—
—
8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.25
0.30
13
2050
600
75
30
110
150
70
1.0
500
最大
—
—
±10
250
3.0
0.36
0.40
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 360 V, V
GS
= 0
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
3
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V *
I
D
= 8 A，V
DS
= 10 V *
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 3.75
3
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅压漏2SK1167
当前
2SK1168
门源截止电压
静态漏源2SK1167
态电阻
2SK1168
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 3.脉冲测试
I
F
= 15 A，V
GS
= 0
I
F
= 15 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
Rev.2.00 2005年9月7日第2 6
2SK1167 ， 2SK1168
主要特点
功率与温度降额
100
150
30
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
D
10
3
1.0
0.3
0.1
100
50
s
ra
ms
TIO
(1
n
(T
笑
C
=
t)
25
°
C
在这一领域
)
由R有限公司
DS （ ON）
pe
C
PW
10
=
10
0
s
s
1
10
O
m
TA = 25
°
C
1
3
10
2SK1168
2SK1167
30
100
300
1,000
0
50
100
150
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
20
10 V
6V
脉冲测试
12
5.0 V
20
5.5 V
典型的传输特性
V
DS
= 20 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
16
16
12
8
4.5 V
4
V
GS
= 4 V
0
4
8
12
16
20
8
4
75
°
C
–25
°
C
T
C
= 25
°
C
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
5
2
1.0
0.5
V
GS
= 10 V
脉冲测试
漏极至源极饱和电压
V
DS
（上） （V）的
10
脉冲测试
20 A
6
8
4
2
10 A
I
D
= 5 A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
漏极至源极饱和电压
与门源电压
0.2
0.1
0.05
1
2
5
10
20
15 V
0
4
8
12
16
20
50
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页6
2SK1167 ， 2SK1168
静态漏源导通状态
电阻与温度
1.0
V
GS
= 10 V
脉冲测试
I
D
= 20 A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳主场迎战漏电流
正向转移导纳
y
fs
(S)
50
20
10
5
V
DS
= 20 V
脉冲测试
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
0.8
0.6
0.4
5A
0.2
10 A
2
1.0
0.5
0.2
0
–40
0
40
80
120
160
0.5
1.0
2
5
10
20
案例温度T
C
(°C)
漏电流I
D
(A)
体漏二极管反向
恢复时间
反向恢复时间trr （ NS ）
5,000
2,000
1,000
500
的di / dt = 100 A / μs的，TA = 25℃
V
GS
= 0
脉冲测试
10,000
典型电容
与漏极至源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
电容C （PF ）
西塞
1,000
科斯
200
100
50
0.2
100
CRSS
10
0.5
1.0
2
5
10
20
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
500
V
DD
= 100 V
400
V
DS
300
250 V
400 V
V
GS
12
16
20
1,000
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
V
GS
= 10 V, V
DD
30 V
PW = 2
s,
值班< 1 ％
t
D（关闭）
t
r
t
f
开关时间t（ NS ）
500
200
100
50
200
100
V
DD
= 400 V
250 V
100 V
20
40
60
I
D
= 15 A
8
4
t
D（上）
20
10
0.5
0
80
0
100
1.0
2
5
10
20
50
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 6
2SK1167 ， 2SK1168
反向漏电流 -
源极到漏极电压
20
反向漏电流I
DR
(A)
16
脉冲测试
12
8
4
5 V, 10 V
V
GS
= 0, –10 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压V
SD
(V)
归瞬态热阻抗
γ
S
(t)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
D=1
0.5
0.3
T
C
= 25°C
1.0
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
e
1
0.03
0.0
吨普尔斯
o
h
1S
0.01
10
100
1m
10 m
θch -C
(t) =
γ
S
(t)
θch -C
θch -C
= 1.25 ° C / W ，T
C
= 25°C
P
DM
D = PW
T
PW
T
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
VOUT监控
D.U.T
R
L
VOUT
50
VIN = 10 V
.
V
DD
= 30 V
.
TD （上）
VIN
10 %
波形
90 %
10 %
90 %
tr
90 %
TD （关闭）
10 %
tf
Rev.2.00 2005年9月7日第5 6
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2087-6001-00
2N6507
2SC959
2100LL-1R5-RC
24AA32AFT-I/OT
24C640-ST
2SC4998
25AA080A-I/STG
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