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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2774
描述
·采用MT- 200封装
·高功耗
·高电流能力
应用
·对于音频功率放大器和一般
用途的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
200
200
6
17
5
200
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 25毫安;我
B
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
V
CB
= 200V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 2A ; V
CE
=12V
50
民
200
6
2SC2774
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
ob
f
T
典型值。
最大
单位
V
V
2.0
100
100
140
300
20
V
A
A
pF
兆赫
h
FE
分类
O
50-100
Y
70-140
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2774
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2773
描述
·带
MT- 200封装
高
电流能力
应用
For
音频功率放大器和一般
用途的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
Collectorl功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
200
200
6
15
5
150
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 10 A ，我
B
=1 A
V
CB
= 200V ;我
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=12V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
50
20
民
200
6
2SC2773
典型值。
最大
单位
V
V
3.0
100
100
180
V
μA
μA
兆赫
pF
250
h
FE
分类
O
50-100
P
70-140
Y
90-180
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2773
图2外形尺寸
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2774
描述
·带
MT- 200封装
高
功耗
高
电流能力
应用
For
音频功率放大器和一般
用途的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
200
200
6
17
5
200
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
ob
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 25毫安;我
B
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
V
CB
= 200V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 2A ; V
CE
=12V
50
民
200
6
2SC2774
典型值。
最大
单位
V
V
2.0
100
100
140
300
20
V
μA
μA
pF
兆赫
h
FE
分类
O
50-100
Y
70-140
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2774
图2外形尺寸
3
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24C640-ST
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    2SC2774
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