【硅MOS场效应管（小信号）2SK0665(2SK665)硅N沟道MOS FET单位：mm(0.425】,IC型号2SK0665,2SK0665 PDF资料,2SK0665经销商,ic,电子元器件-51电子网

硅MOS场效应管（小信号）

2SK0665

(2SK665)

硅N沟道MOS FET

单位：mm

(0.425)

切换

特点

0.3

+0.1

–0.0

0.15

+0.10

–0.05

1.25

±0.10

(0.65) (0.65)

1.3

±0.1

2.0

±0.2

10°

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

最大漏极电流

允许功耗

通道温度

储存温度

符号

GSO

英镑

评级

100

200

150

+150

单位

°C

1 ：门

2 ：源

3 ：排水

0-0.1

0.9

±0.1

0.9

+0.2

–0.1

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

EIAJ ： SC- 70

SMini3 -G1封装

标记符号： 3O

内部连接

电气特性

（ TA = 25°C ）

参数

漏极到源极截止电流

门源漏电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏极至源极导通电阻

正向转移导纳

高电平输出电压

低电平输出电压

输入阻抗

开启时间

打开-O FF时间

符号

DSS

GSS

DSS

DS(on)*3

| Y

+ R

on*2

off*2

条件

= 10V, V

= 0

= 8V, V

= 0

= 100μA ，V

= 0

= 100μA ，V

= V

= 20mA时， V

= 5V

= 20mA时， V

= 5V ， F = 1kHz时

= 5V, V

= 1V ，R

= 200

= 5V, V

= 5V ，R

= 200

= 5V, V

= 0 5V ，R

= 200

= 5V, V

= 5 0V ，R

= 200

民

1.5

4.5

典型值

最大

3.5

单位

100

200

电阻比R

= 1/50

OUT

200

, t

关闭

测量电路

脉冲测量

90%

100F

= 5V

OUT

10%

90%

关闭

注）括号中的部分数字表示以往的零件号。

0.2

±0.1

高速开关

由于高输入inpedance小的驱动电流

高压静电击穿电压

2.1

±0.1

5°

291

硅MOS场效应管（小信号）

240

120

Ta=25C

200

100

2SK0665

120

=5V

允许功耗P

（ mW）的

漏电流I

（MA ）

160

漏电流I

（MA ）

=6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

Ta=–25C

25C

120

75C

4.0V

3.5V

3.0V

80 100 120 140 160

环境温度Ta （C ）

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

| Y

国际空间站

, C

OSS

输入电容（共源）

输出电容（共源）C

国际空间站

OSS

（PF ）

=5V

Ta=25C

f=1MHz

Ta=25C

国际空间站

DS （ ON）

漏源导通电阻R

DS （ ON）

(

)

120

=20mA

100

正向转移导纳| Y

| （女士）

Ta=75C

OSS

25C

–25C

0.1

0.3

100

栅极至源极电压V

(V)

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

1000

300

=1V

Ta=25C

输入电压V

(V)

100

0.3

0.1

0.3

100

输出电流I

（MA ）

292

请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息

并在此材料中描述的半导体

（ 1）出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的

换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术

＆ QUOT ;外汇及外国贸易法＆ QUOT ;要导出或带出日本。

（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-

istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得

物业，给予相对权利，或者给予任何许可。

（3）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-

ERAL电子设备（如办公设备，通讯设备，测量IN-

struments和家用电器）。

提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：

特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，

燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和

可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或

对人体的危害。

任何应用程序比预期的标准应用程序等。

（ 4 ）在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不

通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段，采购

荷兰国际集团，或使用的产品，因此，事先要求的最先进的最新产品标准

确保最新的技术规格满足您的要求。

（ 5 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -

妈妈等级，操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -

明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。

即使产品的保证值范围内使用，多余的设计建议，

所以，这样的设备可能没有违反，因为功能的有关法律，法规我们

产品。

（ 6 ）使用了该干的包装要求的产品，观察条件（包括保质期

及后拆包待机时间）约定，当规格表被单独更换。

（ 7 ）本资料的任何部分，未经书面许可，不得转载或复制任何手段

从我们公司。

使用数据表之前，请仔细阅读下面的注意事项

A.这些材料的目的是作为参考，以帮助客户松下的选择

半导体产品最适合他们的应用程序。

由于变形或其他原因，本资料中的任何信息，如可用的

产品类型，技术参数等，如有更改，恕不另行通知。

建议客户联系我们的半导体销售办事处，并获得最新信息

在开始之前，精确的技术研究和/或采购活动。

B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性，但

总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此，

松下将不承担任何错误等，可能AP-而引起的任何损失承担任何责任

梨在这种材料。

C.这些材料仅适用于客户的个人使用。

因此，如果没有松下的事先书面同意，任何其他用途，如再现，

销售或分发该材料给第三方，通过互联网或以任何其他方式，是禁止的。

2001年MAR

硅MOS场效应管（小信号）

2SK0665

(2SK665)

硅N沟道MOS FET

单位：mm

(0.425)

切换

特点

0.3

+0.1

–0.0

0.15

+0.10

–0.05

1.25

±0.10

(0.65) (0.65)

1.3

±0.1

2.0

±0.2

10°

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

最大漏极电流

允许功耗

通道温度

储存温度

符号

GSO

英镑

评级

100

200

150

+150

单位

°C

1 ：门

2 ：源

3 ：排水

0-0.1

0.9

±0.1

0.9

+0.2

–0.1

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

EIAJ ： SC- 70

SMini3 -G1封装

标记符号： 3O

内部连接

电气特性

（ TA = 25°C ）

参数

漏极到源极截止电流

门源漏电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏极至源极导通电阻

正向转移导纳

高电平输出电压

低电平输出电压

输入阻抗

开启时间

打开-O FF时间

符号

DSS

GSS

DSS

DS(on)*3

| Y

+ R

on*2

off*2

条件

= 10V, V

= 0

= 8V, V

= 0

= 100μA ，V

= 0

= 100μA ，V

= V

= 20mA时， V

= 5V

= 20mA时， V

= 5V ， F = 1kHz时

= 5V, V

= 1V ，R

= 200

= 5V, V

= 5V ，R

= 200

= 5V, V

= 0 5V ，R

= 200

= 5V, V

= 5 0V ，R

= 200

民

1.5

4.5

典型值

最大

3.5

单位

100

200

电阻比R

= 1/50

OUT

200

, t

关闭

测量电路

脉冲测量

90%

100F

= 5V

OUT

10%

90%

关闭

注）括号中的部分数字表示以往的零件号。

0.2

±0.1

高速开关

由于高输入inpedance小的驱动电流

高压静电击穿电压

2.1

±0.1

5°

291

硅MOS场效应管（小信号）

240

120

Ta=25C

200

100

2SK0665

120

=5V

允许功耗P

（ mW）的

漏电流I

（MA ）

160

漏电流I

（MA ）

=6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

Ta=–25C

25C

120

75C

4.0V

3.5V

3.0V

80 100 120 140 160

环境温度Ta （C ）

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

| Y

国际空间站

, C

OSS

输入电容（共源）

输出电容（共源）C

国际空间站

OSS

（PF ）

=5V

Ta=25C

f=1MHz

Ta=25C

国际空间站

DS （ ON）

漏源导通电阻R

DS （ ON）

(

)

120

=20mA

100

正向转移导纳| Y

| （女士）

Ta=75C

OSS

25C

–25C

0.1

0.3

100

栅极至源极电压V

(V)

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

1000

300

=1V

Ta=25C

输入电压V

(V)

100

0.3

0.1

0.3

100

输出电流I

（MA ）

292

请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息

并在此材料中描述的半导体

（ 1）出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的

换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术

＆ QUOT ;外汇及外国贸易法＆ QUOT ;要导出或带出日本。

（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-

istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得

物业，给予相对权利，或者给予任何许可。

（3）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-

ERAL电子设备（如办公设备，通讯设备，测量IN-

struments和家用电器）。

提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：

特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，

燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和

可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或

对人体的危害。

任何应用程序比预期的标准应用程序等。

（ 4 ）在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不

通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段，采购

荷兰国际集团，或使用的产品，因此，事先要求的最先进的最新产品标准

确保最新的技术规格满足您的要求。

（ 5 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -

妈妈等级，操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -

明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。

即使产品的保证值范围内使用，多余的设计建议，

所以，这样的设备可能没有违反，因为功能的有关法律，法规我们

产品。

（ 6 ）使用了该干的包装要求的产品，观察条件（包括保质期

及后拆包待机时间）约定，当规格表被单独更换。

（ 7 ）本资料的任何部分，未经书面许可，不得转载或复制任何手段

从我们公司。

使用数据表之前，请仔细阅读下面的注意事项

A.这些材料的目的是作为参考，以帮助客户松下的选择

半导体产品最适合他们的应用程序。

由于变形或其他原因，本资料中的任何信息，如可用的

产品类型，技术参数等，如有更改，恕不另行通知。

建议客户联系我们的半导体销售办事处，并获得最新信息

在开始之前，精确的技术研究和/或采购活动。

B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性，但

总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此，

松下将不承担任何错误等，可能AP-而引起的任何损失承担任何责任

梨在这种材料。

C.这些材料仅适用于客户的个人使用。

因此，如果没有松下的事先书面同意，任何其他用途，如再现，

销售或分发该材料给第三方，通过互联网或以任何其他方式，是禁止的。

2001年MAR