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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD762 2SD762A
描述
·带
TO- 220封装
ùWide
安全工作区
应用
For
音频freuqency电源
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
·
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
参数
2SD762
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SD762A
2SD762
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SD762A
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
条件
价值
60
单位
发射极开路
80
60
开基
80
集电极开路
8
4
6
1
T
C
=25℃
30
150
-55~150
V
V
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
A
A
A
W
℃
℃
P
C
T
j
T
英镑
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2SD762
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2SD762A
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
I
C
= 2 A;我
B
=0.4 A
B
2SD762 2SD762A
条件
民
60
典型值。
最大
单位
I
C
= 0.2A ; L = 25mH
80
1.0
1.2
30
1
40
30
160
V
V
V
μA
mA
I
C
= 1A ; V
CE
=3V
V
CB
= 50V ;我
E
=0
V
EB
= 8V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=3V
I
C
= 1A ; V
CE
=3V
h
FE-2
分类
Q
30-60
P
50-100
O
80-160
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD762 2SD762A
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD762 2SD762A
描述
·采用TO- 220封装
·安全运行的广域
应用
·对于音频freuqency电源
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
参数
2SD762
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SD762A
2SD762
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SD762A
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
80
8
4
6
1
30
150
-55~150
V
A
A
A
W
发射极开路
80
60
V
条件
价值
60
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2SD762
I
C
= 0.2A ; L = 25mH
2SD762A
I
C
= 2 A;我
B
=0.4 A
I
C
= 1A ; V
CE
=3V
V
CB
= 50V ;我
E
=0
V
EB
= 8V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=3V
I
C
= 1A ; V
CE
=3V
条件
2SD762 2SD762A
符号
民
60
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
80
1.0
1.2
30
1
40
30
160
V
V
A
mA
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
h
FE-2
分类
Q
30-60
P
50-100
O
80-160
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD762 2SD762A
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
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281282-2
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