订购数量： EN7625A
2SJ652
三洋半导体
数据表
2SJ652
特点
P沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
导通电阻RDS （ ON） 1 = 28.5米
Ω
（典型值）。
输入电容西塞= 4360pF （典型值）。
4V DRIVE
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量（单脉冲） * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
条件
评级
--60
±20
-
-28
--112
2.0
30
150
-
-55到+150
343
-
-28
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
注意：
*1
VDD = - 30V ， L = 500
μ
H， IAV = -
-28A （图1）
*2
L
≤
500
μ
H，单脉冲
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7529-001
10.16
3.18
3.3
4.7
2.54
产品&包装信息
包
JEITA ， JEDEC
最小包装量
2SJ652-1E
： TO- 220F - 3SG
： SC- 67
： 50个/杂志
记号
电气连接
2
15.87
6.68
A
15.8
3.23
J652
LOT号
1
2.76
1.47 MAX
0.8
1
2
3
12.98
3
DETAIL -A
(0.84)
0.5
FRAME
EMC
( 1.0)
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
三洋： TO- 220F - 3SG
2.54
2.54
http://semicon.sanyo.com/en/network
51612QA TKIM TC- 00002759 / 72503 TSIM TA- 4245 No.7625-1 / 7
2SJ652
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = - 28A ， VGS = 0V
VDS = - 30V ， VGS = - 10V ， ID = - 28A
见图2
VDS = - 20V ， F = 1MHz的
条件
ID = - 1mA时， VGS = 0V
VDS = - 60V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = - 10V ，ID = - 1毫安
VDS = - 10V ，ID = - 14A
ID = - 14A ， VGS = - 10V
ID = - 14A ， VGS = - 4V
评级
民
--60
-
-1
±10
--1.2
18
26
28.5
39
4360
470
335
33
210
310
180
80
15
12
-
-0.96
-
-1.2
38
55.5
-
-2.6
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
图1雪崩电阻测试电路
图2开关时间测试电路
L
≥50Ω
RG
2SJ652
0V
--10V
50Ω
VDD
0V
--10V
VIN
VDD = --30V
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
D
ID = --14A
RL=2.1Ω
VOUT
2SJ652
P.G
50Ω
S
订购信息
设备
2SJ652-1E
包
TO-220F-3SG
航运
50pcs./magazine
备忘录
无铅
No.7625-2/7
QQ：2881677436 复制
