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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD2551
描述
高
击穿电压 -
：V
CBO
= 1700V （最小值）
高
开关速度
ULOW
饱和电压
.Built式
阻尼二极管
应用
·设计
彩电水平偏转应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1700
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
600
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
5
V
I
C
集电极电流 - 连续
5
A
I
CM
集电极电流 - 脉冲
10
A
I
B
B
基地电流 - 连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
2.5
A
P
C
50
W
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SD2551
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 300毫安;我
C
= 0
5
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 0.8A
B
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 0.8A
B
1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 1700V ;我
E
= 0
1.0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
66
200
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
8
28
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 4A ; V
CE
= 5V
5
10
V
ECF
C- ê二极管正向电压
I
F
= 5A
2.0
V
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 10V
3
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
=1.0MHz
125
pF
开关时间
t
s
贮存时间
I
CP
= 4A ，我
B1(
结束
)
= 0.8A,
f
H
= 15.75kHz
10
μs
t
f
下降时间
1.0
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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