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订购数量: ENN7150
2SJ591LS
P沟道MOSFET硅
2SJ591LS
DC / DC转换器应用
特点
包装尺寸
单位:mm
2078C
[2SJ591LS]
10.0
3.2
4.5
2.8
低导通电阻。
4V的驱动器。
3.5
7.2
16.1
16.0
3.6
0.9
1.2
1.2
0.75
1 2 3
14.0
0.7
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
Tc=25°C
条件
2.55
2.55
1 :门
2 :排水
3 :源
三洋: TO- 220FI ( LS )
评级
-
-60
±20
-
-28
--112
2.0
35
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
条件
ID = - 1mA时, VGS = 0
VDS = -
-60V , VGS = 0
VGS = ± 16V , VDS = 0
VDS = -
-10V , ID = - 1毫安
VDS = -
-10V ,ID = - 14A
ID = - 14A , VGS = - 10V
ID = - 14A , VGS = - 4V
评级
--60
--10
±10
-
-1.0
18
26
27
38
35
53
--2.4
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
2.4
0.6
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
11502 TS IM TA- 3296 No.7150-1 / 4
2SJ591LS
从接下页。
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = - 20V , F = 1MHz的
VDS = - 20V , F = 1MHz的
VDS = - 20V , F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS = - 10V ,V GS = - 10V ,ID = -
-28A
VDS = - 10V ,V GS = - 10V ,ID = -
-28A
VDS = - 10V ,V GS = - 10V ,ID = -
-28A
IS = - 28A , VGS = 0
评级
典型值
3100
640
200
24
140
270
140
92
12
26
--0.92
--1.2
最大
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VDD = --30V
VIN
0V
--10V
VIN
PW=10s
D.C.≤1%
ID = --14A
RL=2.14
D
VOUT
G
P.G
50
2SJ591LS
S
--30
ID - VDS
V
--6.
0
--35
ID - VGS
VDS = --10V
25
°
C
75
°
C
--4.5
--5.0
IT04160
120
140
IT04162
.0V
--4
漏极电流ID -
漏极电流ID -
--10
.0V
--8.0
V
--5
.0V
--20
--20
--15
--15
--10
--3.0V
--5
--10
--5
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
VGS = --2.5V
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
IT04159
80
漏极至源极电压VDS - V
80
RDS ( ON) - VGS
栅极 - 源极电压VGS - V
RDS ( ON) - 锝
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
70
60
50
40
30
20
10
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
Tc=25°C
ID = --14A
70
60
50
40
30
20
10
0
--60
14
= --
ID
A,
= --
V GS
4V
--1
I D =
4A
= --1
VGS
,
0V
--16
--18
--20
--40
--20
0
20
40
60
80
栅极 - 源极电压VGS - V
IT04161
外壳温度,TC -
°C
TC =
100
--3.5V
--25
--25
°
C
--25
--30
No.7150-2/4
2SJ591LS
正向转移导纳,
y
fs - S
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
--0.001 2 3 5 --0.01 2 3 5 7
--0.1 2 3 5 7
--1.0 2 3 5 7--10 2 3 5 7
--100
IT04163
漏极电流ID -
1000
7
y
fs - ID
VDS = --10V
Tc
-2
=-
C
75
°
5
°
C
--100
7
5
3
2
IF - 室间隔缺损
VGS=0
正向电流IF - 一个
C
25
°
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.4
°
C
TC =
75
25
°
C
--0.01
--0.2
--0.6
--25
°
C
--0.8
--1.0
--1.2
IT04164
SW时间 - ID
TD (关闭)
二极管的正向电压, VSD - V
10000
7
5
西塞,科斯,的Crss - VDS
f=1MHz
VDD = --30V
VGS = --10V
切换时间, SW时间 - NS
5
3
2
西塞,科斯,的Crss - pF的
3
2
西塞
tf
100
7
5
3
2
1000
7
5
3
2
tr
科斯
TD (上)
CRSS
0
--10
--20
--30
--40
--50
--60
--70
IT04166
10
--0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
100
漏极电流ID -
--12
5 7 --100
IT04165
2
--100
7
5
VGS - 的Qg
漏极至源极电压VDS - V
ASO
栅极 - 源极电压VGS - V
VDS = --10V
ID = --28A
IDP = --112A
ID = --28A
10
DC
Op
10s
--10
漏极电流ID -
--8
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
10
0m
TIO
1
1m
00
s
s
ms
s
--6
ERA
--4
操作在此
区域由的RDS(on )的限制。
n
--2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
--0.1
--0.1
Tc=25°C
单脉冲
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
总栅极电荷QG - 数控
2.5
IT04167
40
漏极至源极电压VDS - V
5 7 --100
IT04168
PD - TA
允许功耗, PD - 含
PD - 锝
允许功耗, PD - 含
35
30
25
20
15
10
5
0
2.0
1.5
No
he
at
k
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度,钽 -
°C
IT04169
外壳温度,TC -
°C
IT04170
No.7150-3/4
2SJ591LS
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能,
特点,以及在独立国家所描述的产品功能,并且不保证
的性能,特点,以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个独立的装置来评估,
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火引起,
或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用安全的措施,
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路,电路错误预防安全设计,多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品(包括技术参数和服务)的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制,
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段,电子或
机械,包括影印和记录,或任何信息存储或检索系统,
或以其他方式,而不三洋电机有限公司的事先书面许可,
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品,你打算使用。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠,但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的1月, 2002年规范和信息此处如有
更改,恕不另行通知。
PS No.7150-4 / 4
订购数量: ENN7150
2SJ591LS
P沟道MOSFET硅
2SJ591LS
DC / DC转换器应用
特点
包装尺寸
单位:mm
2078C
[2SJ591LS]
10.0
3.2
4.5
2.8
低导通电阻。
4V的驱动器。
3.5
7.2
16.1
16.0
3.6
0.9
1.2
1.2
0.75
1 2 3
14.0
0.7
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
Tc=25°C
条件
2.55
2.55
1 :门
2 :排水
3 :源
三洋: TO- 220FI ( LS )
评级
-
-60
±20
-
-28
--112
2.0
35
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
条件
ID = - 1mA时, VGS = 0
VDS = -
-60V , VGS = 0
VGS = ± 16V , VDS = 0
VDS = -
-10V , ID = - 1毫安
VDS = -
-10V ,ID = - 14A
ID = - 14A , VGS = - 10V
ID = - 14A , VGS = - 4V
评级
--60
--10
±10
-
-1.0
18
26
27
38
35
53
--2.4
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
2.4
0.6
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
11502 TS IM TA- 3296 No.7150-1 / 4
2SJ591LS
从接下页。
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = - 20V , F = 1MHz的
VDS = - 20V , F = 1MHz的
VDS = - 20V , F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS = - 10V ,V GS = - 10V ,ID = -
-28A
VDS = - 10V ,V GS = - 10V ,ID = -
-28A
VDS = - 10V ,V GS = - 10V ,ID = -
-28A
IS = - 28A , VGS = 0
评级
典型值
3100
640
200
24
140
270
140
92
12
26
--0.92
--1.2
最大
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VDD = --30V
VIN
0V
--10V
VIN
PW=10s
D.C.≤1%
ID = --14A
RL=2.14
D
VOUT
G
P.G
50
2SJ591LS
S
--30
ID - VDS
V
--6.
0
--35
ID - VGS
VDS = --10V
25
°
C
75
°
C
--4.5
--5.0
IT04160
120
140
IT04162
.0V
--4
漏极电流ID -
漏极电流ID -
--10
.0V
--8.0
V
--5
.0V
--20
--20
--15
--15
--10
--3.0V
--5
--10
--5
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
VGS = --2.5V
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
IT04159
80
漏极至源极电压VDS - V
80
RDS ( ON) - VGS
栅极 - 源极电压VGS - V
RDS ( ON) - 锝
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
70
60
50
40
30
20
10
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
Tc=25°C
ID = --14A
70
60
50
40
30
20
10
0
--60
14
= --
ID
A,
= --
V GS
4V
--1
I D =
4A
= --1
VGS
,
0V
--16
--18
--20
--40
--20
0
20
40
60
80
栅极 - 源极电压VGS - V
IT04161
外壳温度,TC -
°C
TC =
100
--3.5V
--25
--25
°
C
--25
--30
No.7150-2/4
2SJ591LS
正向转移导纳,
y
fs - S
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
--0.001 2 3 5 --0.01 2 3 5 7
--0.1 2 3 5 7
--1.0 2 3 5 7--10 2 3 5 7
--100
IT04163
漏极电流ID -
1000
7
y
fs - ID
VDS = --10V
Tc
-2
=-
C
75
°
5
°
C
--100
7
5
3
2
IF - 室间隔缺损
VGS=0
正向电流IF - 一个
C
25
°
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.4
°
C
TC =
75
25
°
C
--0.01
--0.2
--0.6
--25
°
C
--0.8
--1.0
--1.2
IT04164
SW时间 - ID
TD (关闭)
二极管的正向电压, VSD - V
10000
7
5
西塞,科斯,的Crss - VDS
f=1MHz
VDD = --30V
VGS = --10V
切换时间, SW时间 - NS
5
3
2
西塞,科斯,的Crss - pF的
3
2
西塞
tf
100
7
5
3
2
1000
7
5
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2
tr
科斯
TD (上)
CRSS
0
--10
--20
--30
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--50
--60
--70
IT04166
10
--0.1
2
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2
3
5 7 --10
2
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漏极电流ID -
--12
5 7 --100
IT04165
2
--100
7
5
VGS - 的Qg
漏极至源极电压VDS - V
ASO
栅极 - 源极电压VGS - V
VDS = --10V
ID = --28A
IDP = --112A
ID = --28A
10
DC
Op
10s
--10
漏极电流ID -
--8
3
2
--10
7
5
3
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--1.0
7
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3
2
10
0m
TIO
1
1m
00
s
s
ms
s
--6
ERA
--4
操作在此
区域由的RDS(on )的限制。
n
--2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
--0.1
--0.1
Tc=25°C
单脉冲
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
总栅极电荷QG - 数控
2.5
IT04167
40
漏极至源极电压VDS - V
5 7 --100
IT04168
PD - TA
允许功耗, PD - 含
PD - 锝
允许功耗, PD - 含
35
30
25
20
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