【2SC5002硅NPN三重扩散平面晶体管（高压Switchihg晶体管）s绝对最大额定值(Ta=25】,IC型号2SC5002,2SC5002 PDF资料,2SC5002经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SC5002

硅NPN三重扩散平面晶体管

（高压Switchihg晶体管）

s

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

C

Tj

T

英镑

2SC5002

1500

800

6

7(

脉冲

14)

3.5

80(Tc=25°C)

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

应用：

显示水平偏转输出，开关稳压器和通用

(Ta=25°C)

2SC5002

100

最大

1

最大

100

最大

800

民

8

民

4-9个

5

最大

1.5

最大

4

典型值

100

典型值

单位

A

mA

A

V

s

电气特性

符号

I

CBO1

I

CBO2

I

EBO

V

（ BR ） CEO

h

FE1

h

FE2

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

f

T

C

OB

条件

V

CB

=1200V

V

CB

=1500V

V

EB

=6V

I

C

=10mA

V

CE

= 5V ，我

C

=1A

V

CE

= 5V ，我

C

=5A

I

C

= 5A ，我

B

=1.2A

I

C

= 5A ，我

B

=1.2A

V

CE

= 12V，我

E

=–0.5A

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

外形尺寸

FM100(TO3PF)

0.8

±0.2

15.6

±0.2

5.5

±0.2

3.45

±0.2

5.5

3.3

±0.2

1.6

23.0

±0.3

9.5

±0.2

a

b

V

兆赫

pF

16.2

1.75

2.15

1.05

+0.2

-0.1

5.45

±0.1

5.45

±0.1

4.4

1.5

0.65

+0.2

-0.1

3.3

0.8

3.35

s

典型的开关特性（共发射极）

V

CC

(V)

200

R

L

()

50

I

C

(A)

4

V

BB1

(V)

10

V

BB2

(V)

–5

I

B1

(A)

0.8

I

B2

(A)

–1.6

t

英镑

(

s)

4.0

最大

t

f

(

s)

0.2

最大

1.5

B

C

E

重量：约6.5克

一。型号

B 。批号

I

C

– V

CE

特征

（典型值）

ollec于r - é手套儿个TU配给武LT年龄V

CE （SAT）

( V )

7

A

1.5

V

CE

（SAT） -I

C

特征

（典型值）

3

( I

C

: I

B

= 5 : 1)

I

C

– V

Bé

温度特性

（典型值）

7

( V

CE

=5 V )

1 .2 A

6

C 0 L L权证吨 R C ü R R鄂西北我

C

( A )

70 0米一

6

5

2

联合L L权证T O服务铜R R简T I

C

( A)

4

400毫安

4

MP ）

ê特

ASE特

200毫安

1

0

1

2

3

4

0

0.02

0. 1

0 .5

1

5

10

0

0.5

125

C

I

B

-10 0米一

–30C

(C

2

25C (C

2

ASE特

m

3

（CAS

p)

1.0

3.0

1 .5

联合L L ECT 的R - 他们我TTE诉OL踏歌V

权证

( V)

C 0 LL ê CT 铜R R鄂西北我

C

( A)

B一个发E - EM I T T O服务武L T A G é V

BE

( V )

h

FE

– I

C

特征

（典型值）

(V

权证

=5 V)

100

的Wi T C喜体中T I M E

t

s TG

t

f

(

s )

D C ú R R简吨盖N·H

FE

50

20

10

5

t

s TG

t

f

– I

C

特征

（典型值）

瞬态热阻

θ

J-一

（℃ / W）的

.

V

C C

= 20 0V

.

I

C

: I

B 1

: –I

B2

= 5 : 1: 2

3

θ

J-一

- T特征

125 C

t

ST克

25 C

1

10

5

– 3 0 C

1

0 .5

t

f

0.5

2

0.02

0.05

0. 1

0 .5

1

5

7

0 .1

0 .2

0 .5

1

5

7

0.1

1

10

10 0

时间t（ ms）的

1 0 0 0 20 0 0

联合升乐CT或Curre NT I

C

(A )

联合升乐C到R C乌尔 - [R EN T I

C

( A)

安全工作区

（单脉冲）

20

100s

反向偏置安全工作区

20

80

电脑 - 钽降额

10

合作LLE CTO R C ü R R简T I

C

( A )

合作LLE CTO R C乌尔重新N t个我

C

( A)

M AX IM ü米P 2 O WE R迪S S小我P A T I O 4 N P

C

( W )

10

5

60

W

第i个

In

鳍

ITE

he

5

40

at

si

nk

1

无需散热器

自然冷却

L=3mH

–I

B2

=1A

职务：小于1 ％

无需散热器

自然冷却

0.5

20

W I吨浩ü吨 EA吨的I NK

1

100

50 0

醇L E CT或 - 他们我TT呃武L T AG电子V

权证

(V )

1000

0.1

50

10 0

5 00

1 0 00

20 0 0

3. 5

0

50

100

150

联合升乐C到的R - ê米它吨呃武升踏歌V

权证

( V)

上午B I E N t个率T e M·P ER在ü 吨（ C）

122

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 3PML包

高

电压开关

应用

2SC5002

·显示

水平偏转输出;

开关稳压器通用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

C

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

1500

800

6

7

14

3.5

80

150

-55~150

单位

V

A

W

℃

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC5002

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO1

I

CBO2

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

OB

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

输出电容

条件

I

C

= 10毫安;我

B

=0

I

C

=5A;I

B

=1.2A

I

C

=5A;I

B

=1.2A

V

CB

= 1200V ;我

E

=0

V

CB

= 1500V ;我

E

=0

V

EB

= 6V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

I

C

= 5A ; V

CE

=5V

I

E

= -0.5A ; V

CE

=12V

V

CB

=10V;f=1MHz

8

4

100

9

兆赫

pF

民

800

5

1.5

100

1

100

典型值。

最大

单位

V

μA

mA

μA

开关时间

t

英镑

t

f

贮存时间

下降时间

I

C

=4A;I

B1

=0.8A;

I

B2

=-1.6A;R

L

=50

V

CC

=200V

4.0

0.2

μs

2

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC5002

图2外形尺寸

3

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC5002

4

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 3PML包

·高电压开关

应用

2SC5002

·显示水平偏转输出;

开关稳压器通用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号

辐射源

描述

绝对最大额定值（ TA = 25 ）

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

C

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

1500

800

6

7

14

3.5

80

150

-55~150

单位

V

A

W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC5002

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

输出电容

条件

I

C

= 10毫安;我

B

=0

I

C

=5A;I

B

=1.2A

I

C

=5A;I

B

=1.2A

V

CB

= 1200V ;我

E

=0

V

CB

= 1500V ;我

E

=0

V

EB

= 6V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

I

C

= 5A ; V

CE

=5V

I

E

= -0.5A ; V

CE

=12V

V

CB

=10V;f=1MHz

8

4

100

9

兆赫

pF

民

800

5

1.5

100

1

100

典型值。

最大

单位

V

A

mA

A

符号

V

（ BR ） CEO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO1

I

CBO2

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

OB

开关时间

t

英镑

t

f

贮存时间

下降时间

I

C

=4A;I

B1

=0.8A;

I

B2

=-1.6A;R

L

=50A

V

CC

=200V

4.0

0.2

s

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC5002

图2外形尺寸

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC5002

4

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 3PML包

高

电压开关

应用

2SC5002

·显示

水平偏转输出;

开关稳压器通用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

C

T

j

T

英镑

参数

固电

IN

集电极 - 基极电压

导½

半

发射极开路

开基

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

的HAn

C

ES

G

ON

MIC

E

条件

OR

DUT

价值

1500

800

6

7

14

3.5

单位

V

A

W

℃

集电极开路

集电极电流峰值

基极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25℃

80

150

-55~150

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC5002

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO1

I

CBO2

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

OB

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

条件

I

C

= 10毫安;我

B

=0

I

C

=5A;I

B

=1.2A

I

C

=5A;I

B

=1.2A

V

CB

= 1200V ;我

E

=0

V

CB

= 1500V ;我

E

=0

V

EB

= 6V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

I

C

= 5A ; V

CE

=5V

I

E

= -0.5A ; V

CE

=12V

V

CB

=10V;f=1MHz

8

4

9

兆赫

pF

民

800

5

1.5

100

1

100

典型值。

最大

单位

V

μA

mA

μA

开关时间

t

英镑

t

f

固电

下降时间

输出电容

贮存时间

IN

ES

昂

CH

导½

半

I

C

=4A;I

B1

=0.8A;

I

B2

=-1.6A;R

L

=50

V

CC

=200V

ON

MIC

E

OR

DUT

100

4.0

0.2

μs

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC5002

固电

IN

ES

昂

CH

导½

半

ON

MIC

E

OR

DUT

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC5002

固电

IN

ES

昂

CH

导½

半

ON

MIC

E

OR

DUT

4